[發明專利]薄膜晶體管基板及利用該薄膜晶體管基板的顯示裝置

有效

• 申請號: 201510087375.0
• 申請日: 2015-02-25
• 公開（公告）號: CN104867932B
• 公開（公告）日: 2018-02-02
• 發明（設計）人: 李瑛長;孫庚模;李昭珩;鄭昊暎;樸文鎬;李成秦
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L27/32
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國

1.一種顯示裝置，包括：

第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管包括多晶半導體層、所述多晶半導體層上的第一柵極電極、第一源極電極以及第一漏極電極；

第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管包括第二柵極電極、所述第二柵極電極上的氧化物半導體層、第二源極電極以及第二漏極電極；

包括氮化物層及在所述氮化物層上的氧化物層的中間絕緣層，所述中間絕緣層設置在第一柵極電極和第二柵極電極之上并在所述氧化物半導體層之下；以及

設置在氧化物半導體層上的蝕刻阻擋層，

其中氧化物層的厚度比氮化物層更厚。

2.根據權利要求1所述的顯示裝置，還包括驅動器，

其中所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管中的至少一個設置在像素中，以及

其中所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管中的至少一個設置在所述驅動器。

3.根據權利要求1所述的顯示裝置，還包括覆蓋所述多晶半導體層的柵極絕緣層。

4.根據權利要求3所述的顯示裝置，其中所述第一柵極電極和第二柵極電極形成在所述柵極絕緣層上。

5.根據權利要求1所述的顯示裝置，

其中所述第二薄膜晶體管是用于選擇像素的開關元件，

其中所述第一薄膜晶體管是用于驅動由第二薄膜晶體管選擇的像素的有機發光二極管的驅動元件。

6.根據權利要求2所述的顯示裝置，其中所述驅動器包括：

輸出數據電壓的數據驅動器；

分配數據驅動器的數據電壓給數據線的多工器；以及

輸出掃描脈沖給柵極線的柵極驅動器；

其中所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管中的至少一個設置在多工器和柵極驅動器中的任何一個。

7.根據權利要求3所述的顯示裝置，

其中所述第一源極電極設置在蝕刻阻擋層上，并通過貫穿蝕刻阻擋層、中間絕緣層和柵極絕緣層的第一源極接觸孔連接到多晶半導體層的一部分，

其中所述第一漏極電極設置在蝕刻阻擋層上，并通過貫穿蝕刻阻擋層、中間絕緣層和柵極絕緣層的第一漏極接觸孔連接到多晶半導體層的另一部分，

其中所述第二源極電極設置在蝕刻阻擋層上，并通過貫穿蝕刻阻擋層的第二源極接觸孔連接到氧化物半導體層的一部分，以及

其中所述第二漏極電極設置在蝕刻阻擋層上，并通過貫穿蝕刻阻擋層的第二漏極接觸孔連接到氧化物半導體層的另一部分。

8.根據權利要求1所述的顯示裝置，

其中所述第二源極電極設置在蝕刻阻擋層上，并接觸氧化物半導體層的一部分，以及

其中所述第二漏極電極設置在蝕刻阻擋層上，并接觸氧化物半導體層的另一部分。

9.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中所述中間絕緣層還包括在氮化物層之下以及在第一及第二柵極電極之上的下氧化物層。

10.根據權利要求1所述的顯示裝置，

其中所述氮化物層和氧化物層的每一個都具有至的厚度。

11.一種顯示裝置，包括：

包括多晶半導體材料的第一半導體層；

覆蓋第一半導體層的柵極絕緣層；

設置在柵極絕緣層上并與第一半導體層重疊的第一柵極電極；

設置在柵極絕緣層上的第二柵極電極；

中間絕緣層，包括氮化物層及在所述氮化物層上的氧化物層，所述中間絕緣層覆蓋第一柵極電極和第二柵極電極；

設置在中間絕緣層上的第二半導體層，所述第二半導體層包括氧化物半導體材料且與第二柵極電極重疊；

設置在中間絕緣層上的第一源極電極和第一漏極電極；

設置在第二半導體層上的蝕刻阻擋層；以及

設置在蝕刻阻擋層上的第二源極電極和第二漏極電極，

其中氧化物層的厚度比氮化物層更厚。

12.根據權利要求11所述的顯示裝置，其中所述第一半導體層、第一柵極電極、第一源極電極和第一漏極電極構成第一薄膜晶體管；

其中所述第二半導體層、第二柵極電極、第二源極電極和第二漏極電極構成第二薄膜晶體管。