[發(fā)明專利]硅-玻璃混合插入層電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510086780.0
• 申請日: 2015-02-25
• 公開（公告）號: CN104867892B
• 公開（公告）日: 2018-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: M·沈
• 申請（專利權(quán)）人: 阿爾特拉公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/538;H01L21/48
• 代理公司: 北京紀凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

本發(fā)明涉及硅?玻璃混合插入層電路。提供了一種插入層。該插入層包括硅基板層、玻璃基板層和至少一個貫通插入層通孔。在玻璃基板層的頂部上形成硅基板層。插入層也可以被稱為混合插入層，因為它包括兩種不同類型的基板層，它們形成了一個插入層。貫通插入層通孔被形成為穿過硅基板層和玻璃基板層。插入層可以用于形成集成電路封裝。集成電路封裝包括安裝在插入層上的多個集成電路。

本申請要求2014年2月20日提交的美國專利申請14/185,631的優(yōu)先權(quán)，該美國專利申請通過引用整體合并于此。

背景技術(shù)

具有多個堆疊的集成電路的集成電路器件常常包括插入層(interposer)作為將不同的集成電路耦合在一起的介質(zhì)。插入層通常被放置在集成電路與封裝襯底之間。插入層可以具有信號通道，該信號通道能夠用于在安裝在插入層上的兩個或更多個集成電路之間傳輸數(shù)據(jù)，或者在插入層上的其中一個集成電路與直接安裝在封裝基板上的部件之間傳輸數(shù)據(jù)。

插入層通常由硅基板形成。然而，由硅晶圓形成的插入層可能是易碎的。因此，可能需要復(fù)雜的制造工藝來生產(chǎn)此類插入層。在硅插入層中可能嵌入有源器件和無源器件。然而，它們通常具有較差的信號傳輸特性(例如，較差的插入損耗和較差的返回損耗)。因此，硅插入層可能不適合高頻應(yīng)用。

可以用來形成插入層的另一類型的晶圓是玻璃晶圓(或非半導(dǎo)體晶圓)。玻璃插入層不包括任何硅基板材料，并且與硅插入層相比，可以展現(xiàn)出更優(yōu)的信號傳輸特性。然而，有源電路(即，晶體管)不能被嵌入在玻璃插入層中。

發(fā)明內(nèi)容

在此描述的實施例包括混合插入層和制造該混合插入層的方法。應(yīng)該理解，實施例可以以許多方式實現(xiàn)，例如過程、裝置、系統(tǒng)、器件或方法。以下描述了若干實施例。

在一個實施例中，描述了一種插入層。該插入層包括硅基板層、玻璃基板層和至少一個貫通插入層通孔。在玻璃基板層的頂部上形成硅基板層。插入層也可以被稱為混合插入層，因為它包括兩種不同類型的基板層，它們形成了一個插入層。貫通插入層通孔被形成為穿過硅基板層和玻璃基板層。

在另一個實施例中，在以上實施例中描述的插入層可以用于形成集成電路封裝。集成電路封裝包括安裝在插入層上的多個集成電路。

此外，描述了制造具有玻璃晶圓的混合插入層的方法。該方法包括在玻璃晶圓上形成硅晶圓的步驟。接下來，該方法包括形成用于混合插入層的多個微凸點的步驟。最后，該方法包括形成用于混合插入層的多個倒裝芯片凸點的步驟。

從附圖和優(yōu)選實施例的以下詳細描述，本發(fā)明的進一步特征、其本質(zhì)和各種優(yōu)點將更顯而易見。

附圖說明

圖1示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的集成電路封裝的說明性圖示。

圖2A-圖2I為根據(jù)本發(fā)明的實施例的在不同制造階段處的混合插入層的說明性圖示。

圖3示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于制造混合插入層的說明性步驟的流程圖。

圖4示出說明性圖表，其描繪根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的傳輸通過混合插入層中的貫通插入層通孔的信號的插入損耗性能。

具體實施方式

以下實施例描述了混合插入層和制造該混合插入層的方法。然而，對本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，本示例性實施例可以在沒有這些具體細節(jié)中的一些或全部的情況下實踐。在其它實例中，沒有詳細描述眾所周知的操作，以便不會不必要地掩蓋本實施例。

圖1意在說明性而非限制性地示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的集成電路封裝。集成電路封裝100包括集成電路130和140、插入層150和封裝基板160。集成電路封裝100進一步包括在封裝基板160的底表面上的焊球170。