[發明專利]硅-玻璃混合插入層電路

有效

• 申請號: 201510086780.0
• 申請日: 2015-02-25
• 公開（公告）號: CN104867892B
• 公開（公告）日: 2018-09-25
• 發明（設計）人: M·沈
• 申請（專利權）人: 阿爾特拉公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/538;H01L21/48
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

1.一種插入層，其包括：

具有第一表面和第二表面的半導體層，其中在所述半導體層的所述第一表面上形成多個互連布線層；

具有第一表面和第二表面的玻璃層，其中所述玻璃層的所述第一表面物理附連到所述半導體層的所述第二表面；以及

貫通插入層通孔，其是穿過所述半導體層、所述玻璃層和所述多個互連布線層同時形成的。

2.根據權利要求1所述的插入層，其進一步包括：

在所述半導體層的所述第一表面上形成的有源電路。

3.根據權利要求2所述的插入層，其中所述有源電路包括晶體管。

4.根據權利要求1所述的插入層，其中所述半導體層的厚度小于所述玻璃層的厚度。

5.根據權利要求1所述的插入層，其中所述貫通插入層通孔是穿過所述半導體層中的孔形成的，所述插入層進一步包括：

絕緣層，所述絕緣層對所述孔進行襯墊，并且圍繞所述貫通插入層通孔的貫穿所述孔的一部分。

6.根據權利要求1所述的插入層，其中所述貫通插入層通孔包括在20吉赫茲(GHz)頻率下時，范圍在-0.06分貝(dB)和-0.46分貝之間的插入損耗值。

7.一種集成電路封裝，其包括：

集成電路；以及

混合插入層，其中所述集成電路安裝在所述混合插入層上，并且其中所述混合插入層包括：

硅基板；

在所述硅基板上形成的多個互連布線層；

在所述硅基板下方形成的玻璃基板，其中所述玻璃基板包含鈉；以及

穿過所述硅基板和所述多個互連布線層同時形成的貫通插入層通孔。

8.根據權利要求7所述的集成電路封裝，其中所述貫通插入層通孔包括：

完全貫穿所述硅基板和所述玻璃基板的導電結構；以及

僅圍繞所述導電結構的貫穿所述硅基板的一部分的絕緣襯墊。

9.根據權利要求7所述的集成電路封裝，其中所述硅基板的厚度小于所述玻璃基板的厚度。

10.根據權利要求7所述的集成電路封裝，其進一步包括：

插入在所述混合插入層與所述集成電路之間的多個微凸點。

11.一種制造具有玻璃晶圓的混合插入層的方法，其包括：

在所述玻璃晶圓上形成硅晶圓；

形成用于所述混合插入層的多個微凸點；

形成用于所述混合插入層的多個倒裝芯片凸點；以及

在所述玻璃晶圓上形成所述硅晶圓之后，形成僅穿過所述硅晶圓的孔。

12.根據權利要求11所述的方法，其進一步包括：

在所述硅晶圓的頂部上形成包括互連布線路徑的電介質堆疊。

13.根據權利要求11所述的方法，其中在所述玻璃晶圓上形成所述硅晶圓進一步包括：

將所述硅晶圓的表面放置在所述玻璃晶圓的表面上；以及

將所述硅晶圓的表面和所述玻璃晶圓的表面鍵合。

14.根據權利要求11所述的方法，其中所述硅晶圓和所述玻璃晶圓具有不同的厚度，所述方法進一步包括：

減小所述硅晶圓的厚度，使得所述硅晶圓展示出小于所述玻璃晶圓的厚度的減小的厚度。

15.根據權利要求11所述的方法，其進一步包括：

在所述硅晶圓中形成晶體管。

16.根據權利要求11所述的方法，其進一步包括：

在所述硅晶圓上形成無源電路結構。

17.根據權利要求11所述的方法，其進一步包括：

形成貫通插入層通孔，所述貫通插入層通孔是部分穿過所述硅晶圓形成并且部分穿過所述玻璃晶圓形成，其中形成所述貫通插入層通孔包括：

將電介質材料淀積到所述孔中；

形成穿過所述電介質材料和所述玻璃晶圓的附加孔，其中所述附加孔的直徑小于所述孔的直徑；以及

將導電材料淀積到所述附加孔中。