[發明專利]一種透明導電氧化物圖案消隱結構、觸控面板及顯示裝置有效
| 申請號： | 201510085551.7 | 申請日： | 2015-02-17 |
| 公開（公告）號： | CN104571721B | 公開（公告）日： | 2018-11-23 |
| 發明（設計）人： | 楊文娟 | 申請（專利權）人： | 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | G06F3/041 | 分類號： | G06F3/041 |
| 代理公司： | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人： | 黃志華 |
| 地址： | 230011 *** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 圖案 透明導電氧化物層 消隱 透明導電氧化物 可見光 觸控面板 顯示裝置 不可見 襯底基板 構圖工藝 時制 貼附 制作 上層 | ||
1.一種透明導電氧化物圖案消隱結構，其特征在于，包括：襯底基板，在所述襯底基板上設置的具有特定圖案的透明導電氧化物層，設置在所述襯底基板和所述透明導電氧化物層之間的至少一組介質薄膜層組，以及設置于所述透明導電氧化物層遠離所述介質薄膜層組一側的第三介質薄膜層；其中，
各所述介質薄膜層組包括層疊設置的折射率從所述襯底基板指向所述透明導電氧化物層依次遞減的至少兩層介質薄膜層；
各所述介質薄膜層組包括：第一介質薄膜層和位于所述第一介質薄膜層上的第二介質薄膜層；所述第二介質薄膜層的折射率小于所述第一介質薄膜層的折射率；所述第一介質薄膜層的折射率為1.9至2.2；所述第二介質薄膜層的折射率為1.4至1.6；所述第三介質薄膜層的材料為SiNxOy。
2.如權利要求1所述的透明導電氧化物圖案消隱結構，其特征在于，所述第一介質薄膜層的材料為Nb2O5；所述第二介質薄膜層的材料為SiO2。
3.如權利要求1所述的透明導電氧化物圖案消隱結構，其特征在于，所述第三介質薄膜層的折射率為1.4-1.9。
4.如權利要求1所述的透明導電氧化物圖案消隱結構，其特征在于，所述圖案消隱層還包括：設置在所述第三介質薄膜層遠離所述透明導電氧化物層一側的水膠貼合層。
5.一種透明導電氧化物圖案消隱結構，其特征在于，包括：襯底基板，在所述襯底基板上設置的具有特定圖案的透明導電氧化物層，以及依次設置于所述透明導電氧化物層上的第四介質薄膜層和水膠貼合層，所述第四介質薄膜層的折射率為1.5-1.9，且所述第四介質薄膜層的材料為SiOxNy。
6.一種觸控面板，其特征在于，包括如權利要求1-5任一項所述的透明導電氧化物圖案消隱結構。
7.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-5任一項所述的透明導電氧化物圖案消隱結構。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司，未經合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510085551.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
