[發明專利]一種透明導電氧化物圖案消隱結構、觸控面板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201510085551.7
• 申請日: 2015-02-17
• 公開（公告）號: CN104571721B
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 楊文娟
• 申請（專利權）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

本發明公開了一種透明導電氧化物圖案消隱結構、觸控面板及顯示裝置，在襯底基板上層疊設置具有特定圖案的透明導電氧化物層，以及可使透明導電氧化物層的特定圖案在可見光下不可見的圖案消隱層，這樣可以在制作透明導電氧化物層圖案時制作出整層設置的圖案消隱層，不必增加貼附或構圖工藝，即可在較低制作成本下，達到透明導電氧化物層圖案從清晰可見到在可見光下不可見的效果。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種透明導電氧化物圖案消隱結構、觸控面板及顯示裝置。

背景技術

目前，諸如氧化銦錫(Indium Tin Oxides，ITO)的透明導電氧化物材料因其化學性能穩定，導電率高，被廣泛應用于顯示器件中作為透明電極使用，尤其是廣泛用作觸控面板中的觸控電極(Touch Sensor)使用。具體地，觸控面板的基本結構，如圖1所示，包括：設置在襯底基板01上的具有X方向02x和Y方向02y的觸控電極圖案的透明導電氧化物層02，絕緣層03，橋接X方向或Y方向的觸控電極的橋接層04，以及設置在周邊區域的相關引線層。并且，在具體實施時，觸控面板具體可以采用如圖2a和圖2b所示的兩種實現方式，一種為如圖2a所示的橋接層04設置在透明導電氧化物層02之上的結構，另一種為如圖2b所示的橋接層04設置在透明導電氧化物層02之下的結構。

在上述觸控面板中采用透明導電氧化物層制作觸控電極圖案時，由于透明導電氧化物特有的顏色在制作成圖案后，該圖案在環境光的照射下容易被肉眼觀看到，逐漸為不為客戶所接受。因此，目前常見的解決方式是在觸控面板上貼附或增加一些膜層05。

其中，按照觸控面板中各膜層的疊加順序，可以以下幾種實現方式：1、如圖3a所示，在觸控面板上貼附一層光學功能膜層以實現圖案消隱效果，該種方式采用功能膜貼附的方式具有工藝簡單的優勢，但該功能膜的存在大大降低觸控面板的透過率，且在長期使用后觸控面板表面容易出現磨損痕跡；2、如圖3b所示，在觸控面板的透明導電氧化物層上制作SiNxOy膜層；3、如圖3c所示，在觸控面板的橋接層上制作OC膜層，該種方式利用了OC層的消隱效果，需要在制作觸控面板時多追加一道Mask工藝來制作OC層，并且若采用黃光制程，其設備投資高，制作成本相應也會升高。

因此，如何獲得消隱效果更好且成本更低的透明導電氧化物膜層是本領域技術人員亟需解決的技術問題。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供了一種透明導電氧化物圖案消隱結構、觸控面板及顯示裝置，用以獲得消隱效果更好且成本更低的透明導電氧化物膜層。

因此，本發明實施例提供了一種透明導電氧化物圖案消隱結構，包括：襯底基板，在所述襯底基板上層疊設置的具有特定圖案的透明導電氧化物層，以及可使所述透明導電氧化物層的特定圖案在可見光下不可見的圖案消隱層。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述透明導電氧化物圖案消隱結構中，所述圖案消隱層具體包括：設置在所述襯底基板和所述透明導電氧化物層之間的至少一組介質薄膜層組；各所述介質薄膜層組包括層疊設置的折射率從所述襯底基板指向所述透明導電氧化物層依次遞減的至少兩層介質薄膜層。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述透明導電氧化物圖案消隱結構中，各所述介質薄膜層組包括：第一介質薄膜層和位于所述第一介質薄膜層上的第二介質薄膜層；

所述第二介質薄膜層的折射率小于所述第一介質薄膜層的折射率。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述透明導電氧化物圖案消隱結構中，所述第一介質薄膜層的折射率為1.9至2.2；所述第二介質薄膜層的折射率為1.4至1.6。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述透明導電氧化物圖案消隱結構中，所述第一介質薄膜層的材料為Nb₂O₅；所述第二介質薄膜層的材料為SiO₂。