[發(fā)明專利]一種加成法制作線路板的激光活化技術(shù)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510084225.4 | 申請(qǐng)日: | 2015-02-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104661441B | 公開(公告)日: | 2018-06-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 何波;向勇;張庶;陸云龍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 珠海元盛電子科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H05K3/18 | 分類號(hào): | H05K3/18 |
| 代理公司: | 廣州市紅荔專利代理有限公司 44214 | 代理人: | 王賢義 |
| 地址: | 519060 廣東省珠*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 線路板 激光活化 線路軌道 催化層 加成法 孔洞 蝕刻 激光照射作用 電路板 電路板基材 納米級(jí)孔洞 凹槽側(cè)壁 催化粒子 導(dǎo)電圖案 軌道表面 化學(xué)鍍銅 環(huán)境友好 基材表面 激光燒蝕 線路金屬 傳統(tǒng)的 活化 基材 吸附 制作 清洗 | ||
本發(fā)明公開一種加成法制作線路板的激光活化技術(shù)方法。該方法包括:清洗電路板基材;在基材表面使用激光燒蝕形成線路軌道圖形,同時(shí)在激光照射作用下,基材軌道表面形成納米級(jí)孔洞;催化粒子滲透孔洞吸附在凹槽側(cè)壁和底部,形成活化催化層;最后利用催化層實(shí)現(xiàn)化學(xué)鍍銅,完成線路軌道填銅,形成電路板導(dǎo)電圖案。這種方法異于傳統(tǒng)的蝕刻減成法,可以十分方便地實(shí)現(xiàn)線路金屬化,而且工藝簡(jiǎn)單,環(huán)境友好。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及加成制作電路板方法,尤其涉及一種基于激光照射改性,再通過化學(xué)填銅制作電路圖案的方法。
背景技術(shù)
印制電路板作為電子產(chǎn)品元器件的載板,起著重要的互聯(lián)作用。在電路板的電氣連接中,銅導(dǎo)體電路無疑是關(guān)鍵的一個(gè)方面。銅線線寬線距直接影響電氣性能的穩(wěn)定性,尤其是對(duì)信號(hào)傳輸要求比較高的高頻阻抗板來說。
傳統(tǒng)的PCB生產(chǎn)工藝是利用蝕刻的方法,將整塊銅箔基板覆蓋干膜并曝光顯影后,再由化學(xué)蝕刻除去不需要的面銅形成導(dǎo)體線路,是一種減成方法。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是工藝十分成熟,但是存在材料消耗,工序復(fù)雜等缺點(diǎn),并且由于曝光顯影設(shè)備的約束,導(dǎo)線線路精度因此受到限制。并且在化學(xué)鍍工序要經(jīng)歷粗化,吸附,還原等步驟,對(duì)電路板可靠性有一定影響,同時(shí)帶來了化學(xué)藥品的污染問題。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)傳統(tǒng)工藝的局限性,提出一種加成法制作線路板的方法,該方法用到了激光活化技術(shù),并基于此利用化學(xué)鍍銅形成導(dǎo)線圖案。通過這種激光活化法,可以省去化學(xué)鍍的粗化前處理,簡(jiǎn)化了工藝,提高了線路板的可靠性。
本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:該方法包括以下步驟:
(1)對(duì)絕緣基底材料表面使用激光燒蝕形成線路軌道圖形,同時(shí)在激光照射作用下,基材軌道表面形成納米級(jí)孔洞;
(3)將催化粒子滲透孔洞,吸附在材料表面,形成活化催化層;
(3)金屬通過化學(xué)填銅的方法在凹槽內(nèi)填銅形成導(dǎo)電圖案。
進(jìn)一步地,在所述步驟(1)中,使用激光燒蝕的同時(shí),使軌道側(cè)壁和底部出現(xiàn)納米級(jí)孔洞。
進(jìn)一步地,所述步驟(2)中,所述催化粒子包括但不限于膠體鈀,納米金屬顆粒,納米碳。
進(jìn)一步地,所述步驟(2)中,所述活化催化層的厚度為20nm-200nm。
進(jìn)一步地,所述步驟(2)中,在納米粒子吸附形成催化層后,對(duì)材料表面進(jìn)行干燥。
進(jìn)一步地,所述步驟(3)中,化學(xué)填銅包括但不限于化學(xué)鍍銅、鍍鎳、鍍銀、鍍金、鍍鎳磷硼,后再進(jìn)行填銅。
進(jìn)一步地,所述步驟(1)中, 激光燒蝕過程中,激光的脈沖能量控制在80-100mJ,聚焦高度控制在50-60mm,頻率控制在40-60 kHz,脈沖寬度控制在102-120nms,光束直徑控制在15-20mm。
進(jìn)一步地,所述步驟(1)中,在進(jìn)行激光燒蝕的后段,激光的脈沖能量控制在10-40mJ,聚焦高度控制在50-60mm,頻率控制在48-60 kHz,脈沖寬度控制在102-120nms,光束直徑控制在15-20mm。
進(jìn)一步地,所述催化粒子的粒徑小于或等于100nm,所述催化粒子應(yīng)均勻懸浮在液態(tài)分散體系。
更進(jìn)一步地,化學(xué)填銅時(shí)應(yīng)將凹槽填滿銅為止。
具體地,本發(fā)明選擇合適的基底材料(非銅箔),并切割成適合電路加工的尺寸。
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