[發明專利]用于處理晶片形物件的方法和裝置有效
| 申請號: | 201510083843.7 | 申請日: | 2015-02-16 |
| 公開(公告)號: | CN104851780B | 公開(公告)日: | 2018-03-13 |
| 發明(設計)人: | 萊茵霍爾德·施瓦辛格;克里斯蒂安·帕茲 | 申請(專利權)人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務所31263 | 代理人: | 樊英如,李獻忠 |
| 地址: | 奧地利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 處理 晶片 物件 方法 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及用于處理諸如半導體晶片、平板顯示器或光盤之類的晶片形物件的裝置和方法。
背景技術
半導體晶片要進行各種表面處理工藝,比如蝕刻、清潔、拋光和材料沉積。為了適應這些工藝,單個晶片可相對于一或多個工藝流體噴嘴由關聯于旋轉載具的卡盤支撐,如例如美國專利第4,903,717和5,513,668號中所描述的。
美國專利第4,903,717號公開了其旋轉卡盤可相對于周圍的液體收集器被升高和降低,液體收集器具有多個液體收集水平部位和用于從液體收集器的內部收集氣體的公用排氣裝置。
美國專利第7,837,803號公開了一種改進的液體和氣體收集器,其中在每個水平部位的排氣裝置可經由在每個水平部位提供的閥被單獨控制。但是,根據在晶片形物件上執行的具體工藝,該專利的閥會與化學侵蝕性的煙氣接觸。在這種條件下,將這種閥維持在良好工作狀態會是困難的。
因此,需要一種收集器結構,能夠更好地防止來自各種媒質(例如,酸、堿、有機物)的煙氣在共同的處理室中混合,以便防止蒸氣交叉污染。這種交叉污染會導致結晶固體在精密處理設備上的沉積,以及各種安全問題。
發明內容
因此,一方面,本發明涉及一種用于處理晶片形物件的設備,該設備包括用于保持并圍繞旋轉軸旋轉晶片形物件的旋轉卡盤和用于將流體分配到晶片形物件的至少一個表面上的至少一個分配器。收集器圍繞旋轉卡盤,用于收集工藝流體,具有至少兩個收集器水平部位,用于在不同收集器水平部位分別收集流體。所述至少兩個收集器水平部位中的每一個包括導向相應的排放氣體管道的排放氣體收集室。排放氣體管道中的至少一個包括閥機構,該閥機構在向收集器外面的周圍環境打開排放氣體管道的同時相互地制約來自其相關排放氣體管道的排放氣體流,反之亦然。本文所使用的術語“流體”旨在表示液體,但這種液體可包含氣泡(例如具有泡沫性質的兩相混合物),或者可以是兩或更多種易混或難混的液體的混合物,或者包括懸浮固體的液體,或者前述物的任意混合物。
在根據本發明的設備的優選實施方式中,所述排氣管道中的一個包括旁通閥,該旁通閥能操作來將排放氣體從所述排氣管道中的該一個改道至所述排氣管道中的另一個。
在根據本發明的設備的優選實施方式中,所述閥機構包括翻板閥,該翻板閥能在室位置和環境位置之間移動,在該室位置,來自其相關排氣管道的排放氣體被允許通過,同時所述排氣管道對外部環境密封,在該環境位置,所述收集器外面的環境大氣被允許通過,同時所述排氣管道對所述閥機構上游的室排放氣體密封。
在根據本發明的設備的優選實施方式中,所述收集器包括所述收集器水平部位中的至少三個,且其中所述收集器水平部位中的至少兩個的排氣管道各自包括相應的所述閥機構。
在根據本發明的設備的優選實施方式中,所述排氣管道中的一個包括第一旁通閥,該第一旁通閥能操作來將排放氣體從所述排氣管道中的一個改道至所述排氣管道中的第二個,以及第二旁通閥,該第二旁通閥能操作來將排放氣體從所述排氣管道中的一個改道至所述排氣管道中的第三個。
在根據本發明的設備的優選實施方式中,控制器被提供,用于致動所述閥機構,且所述閥機構響應于所述旋轉卡盤相對于所述收集器從一個收集器水平部位移動到另一個收集器水平部位而被致動。
在根據本發明的設備的優選實施方式中,所述收集器水平部位沿所述旋轉卡盤的旋轉軸垂直疊置。
在根據本發明的設備的優選實施方式中,所述收集器包括三個收集器水平部位,且所述三個收集器水平部位中的最上面一個的排氣管道包括能操作來將排放氣體從所述排氣管道轉到所述三個收集器水平部位的最下面一個的排氣管道的第一旁通閥,能操作來將排放氣體從所述排氣管道轉到所述三個收集器水平部位的中間一個的排氣管道的第二旁通閥,以及設置在所述第一和第二旁通閥的下游的所述最上面的收集器水平部位的所述排氣管道中的閥機構。
在根據本發明的設備的優選實施方式中,所述收集器包括三個收集器水平部位,且每一個相應的排氣管道包括各自的閥機構。
在根據本發明的設備的優選實施方式中,所述閥機構能操作使得所述閥機構在其相關排氣管道中的致動在所述至少兩個收集器水平部位中的任何其它收集器水平部位中引起小于20帕的壓強變化。
在根據本發明的設備的優選實施方式中,所述收集器包括三個收集器水平部位,且每一個相應的排氣管道包括各自的閥機構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





