[發明專利]用于處理晶片形物件的方法和裝置有效
| 申請號: | 201510083843.7 | 申請日: | 2015-02-16 |
| 公開(公告)號: | CN104851780B | 公開(公告)日: | 2018-03-13 |
| 發明(設計)人: | 萊茵霍爾德·施瓦辛格;克里斯蒂安·帕茲 | 申請(專利權)人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務所31263 | 代理人: | 樊英如,李獻忠 |
| 地址: | 奧地利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 處理 晶片 物件 方法 裝置 | ||
1.一種用于處理晶片形物件的設備,包括:
用于保持并圍繞旋轉軸旋轉晶片形物件的旋轉卡盤;
用于將液體分配到晶片形物件的至少一個表面上的至少一個分配器;
圍繞所述旋轉卡盤用于收集工藝液體的收集器,其具有至少兩個收集器水平部位,用于在不同收集器水平部位分別收集液體;
其中所述至少兩個收集器水平部位中的每一個包括排放氣體收集室和排放氣體管道;且
其中所述排放氣體管道中的至少一個包括閥機構,以選擇性地(i)將所述排放氣體管道中的所述至少一個的室側流體連接到所述排放氣體管道中的所述至少一個的排氣單元側,以及(ii)制約所述排放氣體管道中的所述至少一個的所述室側并且將周圍環境流體連接到所述排放氣體管道中的所述至少一個的所述排氣單元側;以及
其中所述排放氣體管道中的一個包括旁通閥,該旁通閥能操作來將排放氣體從所述排放氣體管道中的該一個改道至所述排放氣體管道中的另一個。
2.根據權利要求1所述的設備,其中所述閥機構包括翻板閥,該翻板閥能在室位置和環境位置之間移動,在該室位置,來自所述室側的排放氣體被允許通過,同時所述排放氣體管道中的所述至少一個對周圍環境密封,在該環境位置,在所述周圍環境中的氣體被允許通過,同時所述排放氣體管道中的所述至少一個對室側密封。
3.根據權利要求1所述的設備,其中所述收集器包括所述收集器水平部位中的至少三個,且其中所述收集器水平部位中的至少兩個的排放氣體管道各自包括閥機構。
4.根據權利要求3所述的設備,其中所述排放氣體管道中的一個包括第一旁通閥,該第一旁通閥能操作來將排放氣體從所述排放氣體管道中的該一個改道至所述排放氣體管道中的第二個,以及第二旁通閥,該第二旁通閥能操作來將排放氣體從所述排放氣體管道中的該一個改道至所述排放氣體管道中的第三個。
5.根據權利要求1所述的設備,進一步包括用于致動所述閥機構的控制器,且其中所述閥機構響應于所述旋轉卡盤相對于所述收集器從一個收集器水平部位移動到另一個收集器水平部位而被致動。
6.根據權利要求1所述的設備,其中所述收集器水平部位沿所述旋轉卡盤的旋轉軸垂直疊置。
7.根據權利要求6所述的設備,其中所述收集器包括三個收集器水平部位,且其中最上面一個收集器水平部位中的排放氣體管道包括能操作來將排放氣體從最上面一個收集器水平部位中的所述排放氣體管道轉到最下面一個收集器水平部位中的排放氣體管道的第一旁通閥,能操作來將排放氣體從所述排放氣體管道轉到中間一個收集器水平部位中的排放氣體管道的第二旁通閥,以及設置在所述第一和第二旁通閥的下游的所述最上面的收集器水平部位的所述排放氣體管道中的閥機構。
8.根據權利要求1所述的設備,其中所述收集器包括三個收集器水平部位,且其中所述三個收集器水平部位中的每一個排放氣體管道包括閥機構。
9.根據權利要求1所述的設備,其中所述閥機構能操作使得所述閥機構的致動在所述至少兩個收集器水平部位中的任何其它收集器水平部位中引起小于20帕的壓強變化。
10.根據權利要求1所述的設備,其中所述排放氣體管道中的所述至少一個進一步包括設置在所述閥機構上游的旁通閥,所述旁通閥能操作來將排放氣體從所述排放氣體管道中的所述至少一個改道至所述排放氣體管道中的另一個。
11.根據權利要求10所述的設備,其中所述閥機構和所述旁通閥由控制器操作使得在致動所述閥機構以相對于室排氣的通道密封所述排放氣體管道中的所述至少一個的同時致動所述旁通閥以將排放氣體從排放氣體管道中的所述至少一個轉到所述排放氣體管道中的所述另一個,同時在所述旁通閥下游的位置對所述周圍環境打開所述排放氣體管道中的所述至少一個。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





