[發明專利]通用處理襯底的載體在審
| 申請號: | 201510083427.7 | 申請日: | 2015-02-12 |
| 公開(公告)號: | CN104851828A | 公開(公告)日: | 2015-08-19 |
| 發明(設計)人: | H·J·C·托克;A·Q·楊;S·韋伯斯特 | 申請(專利權)人: | 蘋果公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 羅銀燕 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 通用 處理 襯底 載體 | ||
1.一種用于處理襯底的載體裝置,包括:
第一載體板,所述第一載體板具有第一多個腔,所述第一多個 腔中的每個腔的尺寸被設計為接收襯底的第一側;
第二載體板,所述第二載體板具有第二多個腔,所述第二多個 腔中的每個腔的尺寸被設計為當所述第一載體板與所述第二載體板 彼此接觸地放置時接收所述襯底的第二側;以及
磁體組件,所述磁體組件被配置為將所述第一載體板和所述第 二載體板保持在一起,使得所述襯底被保持在所述第一載體板和所 述第二載體板之間的位置,所述磁體組件具有定位在沿所述第一載 體板或所述第二載體板的一側形成的凹口內的至少一個磁體。
2.根據權利要求1所述的裝置,其中僅所述第一載體板包括所述磁體 組件,并且所述第二載體板由被所述磁體組件中的所述至少一個磁 體吸引的金屬材料制成。
3.根據權利要求1所述的裝置,其中所述襯底為微電子器件襯底。
4.根據權利要求1所述的裝置,其中所述第一多個腔和所述第二多個 腔具有倒角拐角。
5.根據權利要求1所述的裝置,其中所述第一多個腔和所述第二多個 腔中的每一者形成開口,使得所述襯底的所述第一側和所述第二側
均通過所述開口被暴露。
6.根據權利要求1所述的裝置,其中所述第一載體板的占有面積與所 述第二載體板的占有面積基本上相同。
7.根據權利要求1所述的裝置,還包括:
釋放磁體組件,所述釋放磁體組件被配置為將所述第一載體板 從所述第二載體板釋放。
8.一種微電子器件襯底處理裝置,包括:
頂部載體板,所述頂部載體板具有尺寸被設計為接收微電子器 件襯底的第一多個開口以及在其中定位有磁體的多個凹口;以及
底部載體板,所述底部載體板具有尺寸被設計為接收微電子器 件襯底的第二多個開口,其中所述底部載體板包括被所述磁體吸引 的材料,使得當所述頂部載體板被放置在所述底部載體板上時,所 述磁體將所述頂部載體板固定至所述底部載體板。
9.根據權利要求8所述的裝置,其中所述凹口內的所述磁體的磁極中 的每個磁極的取向相同。
10.根據權利要求8所述的裝置,其中所述第一多個開口和所述第二多 個開口中的每一者在其相應的頂部載體板和底部載體板內是不可分 開的。
11.根據權利要求8所述的裝置,其中所述頂部載體板和所述底部載體 板中的每一者為單個一體成型板。
12.根據權利要求8所述的裝置,還包括:
釋放磁體組件,所述釋放磁體組件包括至少一個釋放磁體,所 述至少一個釋放磁體與所述頂部載體板的所述磁體具有相同的極 性,使得當所述頂部載體板被放置在所述底部載體板上時,將所述 釋放磁體組件定位在所述頂部載體板附近使所述頂部載體板從所述 底部載體板釋放。
13.根據權利要求8所述的裝置,其中所述第一多個開口和所述第二多 個開口中的每一者具有倒角拐角,所述倒角拐角與定位在其中的微 電子器件襯底的拐角重疊。
14.根據權利要求8所述的裝置,其中所述第一多個開口的圖案基本上 類似于所述第二多個開口的圖案,使得當所述頂部載體板被放置在 所述底部載體板上時,所述第一多個開口與所述第二多個開口對 準。
15.根據權利要求8所述的裝置,其中所述底部載體板的所述材料為鐵 磁材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





