[發明專利]一種雙層聚酯貼膜及其制備方法有效
| 申請號: | 201510082133.2 | 申請日: | 2015-02-13 |
| 公開(公告)號: | CN104629641A | 公開(公告)日: | 2015-05-20 |
| 發明(設計)人: | 崔明培;余力;梁文平;鄺耀庭;劉思敏 | 申請(專利權)人: | 佛山市鉅仕泰粉末冶金有限公司 |
| 主分類號: | C09J7/02 | 分類號: | C09J7/02;C09D175/14;C09D5/32;C09D7/12 |
| 代理公司: | 深圳市精英專利事務所 44242 | 代理人: | 任哲夫 |
| 地址: | 528244 廣東省佛山市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 雙層 聚酯 及其 制備 方法 | ||
1.一種雙層聚酯貼膜,其特征在于,由以下各層依次緊密層疊構成:自清潔輔助耐磨層、第一基材層、抗紫外紅外隔熱層、第二基材層、壓敏膠層、離型膜層;
所述抗紫外紅外隔熱層由抗紫外紅外涂料固化而成,所述抗紫外紅外涂料由以下質量百分比的各組分組成:
0.3-2%的紫外線吸收劑,0-40%的近紅外長波阻隔納米材料分散液,0-25%的近紅外短波阻隔納米材料分散液,0.1-0.5%的空心玻璃微珠,10-20%的聚氨酯丙烯酸樹脂預聚物,8-16%的雙季戊四醇五/六丙烯酸酯,4-8%的光引發劑,20-40%的活性稀釋劑,0.3-1%的流平劑。
2.根據權利要求1所述一種雙層聚酯貼膜,其特征在于,所述近紅外長波阻隔納米材料分散液是濃度為20-40wt%的ITO分散液或濃度為20-40wt%的ATO分散液;近紅外長波阻隔納米材料分散液中固體顆粒的粒徑均為20-35nm。
3.根據權利要求2所述一種雙層聚酯貼膜,其特征在于,所述近紅外短波阻隔納米材料分散液是濃度為15-25wt%的銫摻雜三氧化鎢分散液或濃度為15-25wt%的銫和鎢共摻雜二氧化釩分散液;近紅外短波阻隔納米材料分散液中固體顆粒的粒徑均為30-50nm。
4.根據權利要求3所述一種雙層聚酯貼膜,其特征在于,所述空心玻璃微珠的粒徑為10-20μm,抗壓強度為6000-12000PSI,導熱系數為0.03-0.1W/(m·k)。
5.根據權利要求1所述一種雙層聚酯貼膜,其特征在于,所述自清潔輔助耐磨層由自清潔涂料固化而成,所述自清潔涂料由以下質量百分比的各組分組成:
15-30%的納米自清潔材料,15-30%的聚氨酯丙烯酸樹脂預聚物,10-20%的雙季戊四醇五/六丙烯酸酯,4-8%的光引發劑,32-40%的有機溶劑,0.3-0.6%的流平劑。
6.根據權利要求5所述一種雙層聚酯貼膜,其特征在于,所述納米自清潔材料為SiO2、有機硅、有機氟硅、銳鈦型TiO2中的任一種或兩種。
7.根據權利要求1-6任一項所述一種雙層聚酯貼膜,其特征在于,所述聚氨酯丙烯酸樹脂預聚物的分子量為650-5400,粘度為1500-12000cps,官能度為2-6。
8.根據權利要求7所述一種雙層聚酯貼膜,其特征在于,所述自清潔輔助耐磨層的厚度為3-6μm,第一基材層的厚度為25-38μm,抗紫外紅外隔熱層的厚度為8-20μm,第二基材層的厚度為25-38μm,壓敏膠層的厚度為5-12μm,離型膜層的厚度為15-35μm。
9.一種如權利要求1所述雙層聚酯貼膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、將自清潔涂料涂布在第一基材層的上表面,然后將第一基材層置于65-80℃中熱處理3-8min,接著將第一基材層置于UV固化箱中光固化5-10min;在第一基材層的上表面形成自清潔輔助耐磨層;
S2、將抗紫外紅外涂料涂布在第一基材層的下表面和第二基材層的上表面,然后將第一基材層和第二基材層相互疊合,且第一基材層的下表面和第二基材層的上表面相向;接著將第一基材層和第二基材層置于65-80℃中熱處理3-8min,再接著將第一基材層和第二基材層置于UV固化箱中光固化8-20min;在第一基材層和第二基材層之間形成抗紫外紅外隔熱層;
S3、在第二基材層的下表面涂布壓敏膠,形成壓敏膠層;然后在壓敏膠層上覆蓋一層離型膜,形成離型膜層;制得雙層聚酯貼膜。
10.根據權利要求9所述雙層聚酯貼膜的制備方法,其特征在于,步驟S1和步驟S2中采用滴膠涂布與濕式復合的涂布方式。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于佛山市鉅仕泰粉末冶金有限公司,未經佛山市鉅仕泰粉末冶金有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510082133.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





