[發(fā)明專利]填充式氣相色譜柱及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510082100.8 | 申請(qǐng)日: | 2015-02-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104880520B | 公開(公告)日: | 2017-06-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫建海;崔大付;張璐璐;陳興 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院電子學(xué)研究所 |
| 主分類號(hào): | G01N30/60 | 分類號(hào): | G01N30/60 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
| 地址: | 100190 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 填充 式氣相 色譜 及其 制備 方法 | ||
1.一種填充式氣相色譜柱,其特征在于,包括:
第一基底,在其表面加工有微槽道;
第二基底,在其表面加工有微槽道,該微槽道與所述第一基底表面上的微槽道的位置相互對(duì)應(yīng),在第一基底和第二基底相互結(jié)合密封后,第一基底上的微槽道和第二基底上的微槽道共同構(gòu)成色譜柱微溝道(4);以及
色譜填料(5),填充于所述色譜柱微溝道(4)中,該色譜填料(5)為以下材料中的一種或多種:碳納米管、碳分子篩、5A、Al2O3、Porapak-Q;
其中,所述色譜柱微溝道(4)的末端為氣體出口(2);所述填充式氣相色譜柱還包括:微型過濾器(3),設(shè)置于所述色譜柱微溝道的氣體出口(2)的位置,用于防止所述色譜填料(5)從色譜柱微溝道(4)中流出;所述色譜柱微溝道(4)的長度介于0.5m-4m之間,深度介于0.5mm-1mm之間,寬度介于0.4mm-1mm之間;
其中,所述第一基底為玻璃基底,所述第二基底為硅基底。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的填充式氣相色譜柱,其特征在于:
所述第一基底和第二基底上的微槽道為蛇形;
所述色譜柱微溝道(4)的橫截面呈圓形、橢圓形、梯形、錐形或者矩形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的填充式氣相色譜柱,其特征在于,所述色譜柱微溝道(4)的寬度和深度大于等于2~3倍的單個(gè)色譜填料顆粒直徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的填充式氣相色譜柱,其特征在于,還包括:
微型加熱器(6),形成于所述第一基底和/或第二基底未刻蝕微槽道的背面,用于對(duì)色譜柱微溝道內(nèi)的色譜填料(5)進(jìn)行加熱。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的填充式氣相色譜柱,其特征在于,所述微型加熱器(6)為平面加熱器,其阻值介于5-50Ω之間,其材料為Pt、鎳鉻合金或鎢。
6.一種權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述填充式氣相色譜柱的制備方法,其特征在于,包括:
步驟A:在第一基底和第二基底上形成形狀和位置相互對(duì)應(yīng)的微槽道;
步驟B:在硅基底的背面形成微型加熱器(6);
步驟C:將所述第一基底和第二基底具有微槽道的一側(cè)相對(duì),進(jìn)行鍵合密封,兩者的微槽道共同構(gòu)成色譜柱微溝道(4);
步驟D:在所述色譜柱微溝道(4)內(nèi)填充色譜填料(5);以及
步驟E:對(duì)色譜柱微溝道內(nèi)的色譜填料(5)進(jìn)行老化,從而制備出填充式氣相色譜柱。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,所述步驟D包括:
將色譜柱微溝道的氣體出口(2)與導(dǎo)氣管的一端連接封裝,導(dǎo)氣管的另一端與泵連接;
將色譜柱微溝道的氣體入口(1)浸沒在色譜填料中;
打開泵,色譜填料在泵的吸力作用下,進(jìn)入色譜柱微溝道并依次填充在色譜柱微溝道(4)中;以及
待整個(gè)色譜柱微溝道(4)被色譜填料填滿之后,關(guān)閉泵。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,所述步驟E包括:
將色譜柱微溝道的氣體入口(1)與導(dǎo)氣管連接封裝,向色譜柱微溝道通入保護(hù)氣體;
將填充式氣相色譜柱置于烘箱內(nèi),逐步升高溫度,并分別在第一預(yù)設(shè)溫度和第二預(yù)設(shè)溫度下對(duì)色譜填料進(jìn)行老化處理;以及
將溫度冷卻到室溫,完成色譜柱微溝道內(nèi)色譜填料的老化;
其中,第一預(yù)設(shè)溫度介于80-120℃之間;第二預(yù)設(shè)溫度介于180-280℃之間。
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