[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510080229.5
• 申請日: 2015-02-13
• 公開（公告）號: CN104614910B
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 辛燕霞;楊小飛;胡偉
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L23/50
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

薄膜晶體管-液晶顯示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)是當(dāng)前主流的平板顯示器，其基本結(jié)構(gòu)包括由兩塊基板對盒而成的液晶面板，通過給基板施加電場，形成一定的驅(qū)動(dòng)電場以控制液晶轉(zhuǎn)向。如圖1所示，為傳統(tǒng)的TN型TFT-LCD陣列基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖，其中，數(shù)據(jù)線1和與其相鄰的像素電極3間存在耦合電容(以下簡稱寄生電容)，在列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)模式下，上述數(shù)據(jù)線1與像素電極3間的耦合電容會(huì)引起交叉串?dāng)_，影響顯示質(zhì)量。

目前改善TFT-LCD圖像交叉串?dāng)_的方法是在數(shù)據(jù)線1和像素電極3之間增加如圖2所示的屏蔽電極5，屏蔽電極5隔著絕緣層設(shè)置在數(shù)據(jù)線1的正上方，且與公共電極4通過過孔連接(圖中未示出)，此結(jié)構(gòu)可以有效屏蔽數(shù)據(jù)線1和像素電極3間的耦合電容。然而，形成屏蔽電極5需要在傳統(tǒng)陣列基板制造工藝基礎(chǔ)上增加兩次構(gòu)圖工藝，具體為：一次構(gòu)圖工藝形成屏蔽電極5的圖形；一次構(gòu)圖工藝形成使屏蔽電極5與公共電極4相連接的過孔，工藝增加導(dǎo)致陣列基板的制作成本提高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，不需要增加構(gòu)圖工藝即可設(shè)置屏蔽電極，改善TFT-LCD顯示圖像交叉串?dāng)_問題，提高了顯示質(zhì)量。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，包括：基板、及形成在所述基板上的數(shù)據(jù)線、像素電極和公共電極，所述公共電極包括與所述像素電極相對的主體部分，還包括延伸至所述像素電極、與所述像素電極相鄰的數(shù)據(jù)線之間的屏蔽部分；所述屏蔽部分用于屏蔽所述像素電極與所述數(shù)據(jù)線之間的電容耦合作用。

進(jìn)一步地，所述屏蔽部分的具體位置滿足如下條件：在平行于所述基板的方向上，所述屏蔽部分在所述基板上的投影位于所述像素電極的投影和所述數(shù)據(jù)線的投影之間；同時(shí)，在垂直于所述基板的方向上，所述屏蔽部分位于所述像素電極與所述數(shù)據(jù)線之間，或者，所述屏蔽部分位于所述像素電極所在平面或所述數(shù)據(jù)線所在平面上。

進(jìn)一步地，所述陣列基板還包括：緩沖層，所述緩沖層分布于所述屏蔽部分的下方，用于墊高所述屏蔽部分，以使所述屏蔽部分在垂直于所述基板方向上能位于所述像素電極與所述數(shù)據(jù)線之間，或者，位于所述像素電極所在平面或所述數(shù)據(jù)線所在平面上。

進(jìn)一步地，所述像素電極的下方還設(shè)置有鈍化層、處于鈍化層下方的柵絕緣層，所述像素電極下方相對應(yīng)區(qū)域的鈍化層的厚度被部分或者全部刻蝕；或者，所述像素電極下方相對應(yīng)區(qū)域的鈍化層被全部刻蝕，且所述像素電極下方相對應(yīng)區(qū)域的柵絕緣層的厚度被部分或者全部刻蝕，使所述像素電極靠近所述基板，所述公共電極的屏蔽部分在垂直于所述基板方向上能位于所述像素電極與所述數(shù)據(jù)線之間，或者能位于所述像素電極所在平面或所述數(shù)據(jù)線所在平面上。

優(yōu)選地，所述陣列基板還包括：柵線，所述公共電極與所述柵線同層設(shè)置。或者，所述公共電極與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置。

優(yōu)選地，所述公共電極呈U字型，U字型公共電極中與柵線相平行部分，局部或者全部與所述像素電極相層疊，U字型公共電極中與數(shù)據(jù)線相平行部分，至少部分延伸至所述像素電極、與所述像素電極相鄰的數(shù)據(jù)線之間。

可選地，所述公共電極的主體部分與所述像素電極相層疊，構(gòu)成所述陣列基板用于存儲顯示信號的存儲電容。

可選地，用于將所述公共電極的屏蔽部分墊高的緩沖層的材料為硅。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板的制造方法，包括：形成公共電極的工序，所述形成公共電極的工序中形成的公共電極，包括：與所述像素電極相對的主體部分，還包括：延伸至所述像素電極、與所述像素電極相鄰的數(shù)據(jù)線之間的屏蔽部分。所述屏蔽部分用于屏蔽所述像素電極與所述數(shù)據(jù)線之間的電容耦合作用。

可選地，所述形成公共電極的工序，具體包括：

在基板上沉積緩沖材料層；

在所述緩沖材料層上沉積公共電極材料層；

通過構(gòu)圖工藝，在所述緩沖材料層、所述公共電極材料層上形成公共電極的圖形。

可選地，所述形成公共電極的工序之后，還包括：

形成柵絕緣層；

形成有源層；

形成包括薄膜晶體管的源、漏極和數(shù)據(jù)線在內(nèi)的源漏金屬層；

沉積鈍化層并進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成鈍化層過孔，同時(shí)對處于所述像素電極下方相對應(yīng)區(qū)域的鈍化層的厚度進(jìn)行部分或者全部刻蝕；或者，