[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201510080229.5
• 申請日: 2015-02-13
• 公開（公告）號: CN104614910B
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發明（設計）人: 辛燕霞;楊小飛;胡偉
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L23/50
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板，包括：基板及形成在所述基板上的數據線、像素電極和公共電極，其特征在于，

所述公共電極包括與所述像素電極相對的主體部分，還包括延伸至所述像素電極、與所述像素電極相鄰的數據線之間的屏蔽部分；所述屏蔽部分用于屏蔽所述像素電極與所述數據線之間的電容耦合作用，

所述屏蔽部分的具體位置滿足如下條件：

在平行于所述基板的方向上，所述屏蔽部分在所述基板上的投影位于所述像素電極的投影和所述數據線的投影之間；同時，在垂直于所述基板的方向上，所述屏蔽部分位于所述像素電極與所述數據線之間。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：緩沖層，所述緩沖層分布于所述屏蔽部分的下方，用于墊高所述屏蔽部分，以使所述屏蔽部分在垂直于所述基板方向上能位于所述像素電極與所述數據線之間。

3.根據權利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極的下方還設置有鈍化層、處于鈍化層下方的柵絕緣層；

所述像素電極下方相對應區域的鈍化層的厚度被部分或者全部刻蝕，或者，

所述像素電極下方相對應區域的鈍化層被全部刻蝕，且所述像素電極下方相對應區域的柵絕緣層的厚度被部分或者全部刻蝕，使所述像素電極靠近所述基板，所述公共電極的屏蔽部分在垂直于所述基板方向上能位于所述像素電極與所述數據線之間。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括：柵線，所述公共電極與所述柵線同層設置；

或者，所述公共電極與所述數據線同層設置。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極呈U字型，

U字型公共電極中與柵線相平行部分，局部或者全部與所述像素電極相層疊；

U字型公共電極中與數據線相平行部分，至少部分延伸至所述像素電極、與所述像素電極相鄰的數據線之間。

6.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極的主體部分與所述像素電極相層疊，構成所述陣列基板用于存儲顯示信號的存儲電容。

7.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述緩沖層的材料為硅。

8.一種陣列基板的制造方法，包括：形成公共電極的工序，其特征在于，所述形成公共電極的工序中形成的公共電極，包括：與像素電極相對的主體部分，還包括：延伸至所述像素電極、與所述像素電極相鄰的數據線之間的屏蔽部分；所述屏蔽部分用于屏蔽所述像素電極與所述數據線之間的電容耦合作用，

所述屏蔽部分的具體位置滿足如下條件：

在平行于所述基板的方向上，所述屏蔽部分在所述基板上的投影位于所述像素電極的投影和所述數據線的投影之間；同時，在垂直于所述基板的方向上，所述屏蔽部分位于所述像素電極與所述數據線之間。

9.根據權利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述形成公共電極的工序，具體包括：

在基板上沉積緩沖材料層；

在所述緩沖材料層上沉積公共電極材料層；

通過構圖工藝，在所述緩沖材料層、所述公共電極材料層上形成公共電極的圖形。

10.根據權利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述形成公共電極的工 序之后，還包括：

形成柵絕緣層；

形成有源層；

形成包括薄膜晶體管的源、漏極和數據線在內的源漏金屬層；

沉積鈍化層并進行構圖工藝，形成鈍化層過孔，同時對處于所述像素電極下方相對應區域的鈍化層的厚度進行部分或者全部刻蝕；或者，

去除處于所述像素電極下方相對應區域的鈍化層，并對處于所述像素電極下方相對應區域的柵絕緣層的厚度進行部分或者全部刻蝕；

形成像素電極，所述像素電極通過所述鈍化層過孔連接至薄膜晶體管的漏極。

11.根據權利要求9或10所述的制造方法，其特征在于，所述形成公共電極的工序中，還同步形成柵金屬層的圖形，所述柵金屬層與所述公共電極由同一材料層形成。