[發(fā)明專利]發(fā)光裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510079304.6
• 申請日: 2015-02-13
• 公開（公告）號: CN104916765B
• 公開（公告）日: 2018-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 和田聰;福井康生;野野川貴志
• 申請（專利權(quán)）人: 豐田合成株式會社
• 主分類號: H01L33/54
• 分類號: H01L33/54;H01L33/56
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 舒艷君,李洋

1.一種發(fā)光裝置，其具備：基板；被安裝在基板上的發(fā)光二極管芯片；被安裝在基板上的發(fā)光二極管芯片的旁邊的齊納二極管芯片；在基板上形成的包圍發(fā)光二極管芯片以及齊納二極管芯片的框狀的壩材；以及被注入于壩材的內(nèi)側(cè)、并覆蓋發(fā)光二極管芯片的側(cè)面并且覆蓋齊納二極管芯片的側(cè)面以及上表面的光反射性樹脂，所述發(fā)光裝置的特征在于，

框狀的壩材的邊中的一條邊的一部分向外鼓出而包圍齊納二極管芯片的三個側(cè)面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

熒光體板重疊在發(fā)光二極管芯片之上，并且該熒光體板的上表面是光導出面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

壩材的一部分以外的部分亦即壩材的主要部分與熒光體板之間的第二距離大于壩材的一部分與齊納二極管芯片之間的第三距離。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

齊納二極管芯片熒光體板之間的第一距離、與壩材的一部分以外的部分亦即壩材的主要部分與熒光體板之間的第二距離為同程度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

光反射性樹脂進入齊納二極管芯片的下方的縫隙而成為底部填料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

光反射性樹脂進入發(fā)光二極管芯片的下方的縫隙而成為底部填料。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

光反射性樹脂由在固化前相對低粘度的下層的光反射性樹脂和在固化前相對高粘度的上層的光反射性樹脂構(gòu)成，下層的光反射性樹脂的一部分成為所述底部填料。

8.一種發(fā)光裝置的制造方法，所述發(fā)光裝置具備：基板；被安裝在基板上的發(fā)光二極管芯片；被安裝在基板上的發(fā)光二極管芯片的旁邊的齊納二極管芯片；在基板上形成的包圍發(fā)光二極管芯片以及齊納二極管芯片的框狀的壩材；以及被注入于壩材的內(nèi)側(cè)、并覆蓋發(fā)光二極管芯片的側(cè)面并且覆蓋齊納二極管芯片的側(cè)面以及上表面的光反射性樹脂，所述發(fā)光裝置的制造方法的特征在于，

使框狀的壩材的邊中的一條邊的一部分形成為向外鼓出而包圍齊納二極管芯片的三個側(cè)面，

使光導出面與齊納二極管芯片的距離在分配器噴嘴的開口部的內(nèi)徑以上，從分配器噴嘴的開口部以不使光反射性樹脂直接覆蓋于光導出面以及齊納二極管芯片的上表面的方式，將光反射性樹脂注入光導出面與齊納二極管芯片的側(cè)面之間，而使光反射性樹脂進入發(fā)光二極管芯片的下方的縫隙以及齊納二極管芯片的下方的縫隙。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，

將熒光體板重疊在發(fā)光二極管芯片之上，并使該熒光體板的上表面為光導出面。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，

將多個發(fā)光二極管芯片排列，并且邊使分配器噴嘴沿發(fā)光二極管芯片的排列方向移動邊注入光反射性樹脂。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，

邊使分配器噴嘴沿發(fā)光二極管芯片移動邊注入光反射性樹脂，在分配器噴嘴通過光導出面與齊納二極管芯片之間時，以使分配器噴嘴離開光導出面并接近齊納二極管芯片的側(cè)面的方式，使分配器噴嘴沿所述壩材的一部分的鼓出形狀轉(zhuǎn)彎并移動。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，

光反射性樹脂按如下方式注入：注入相對低粘度的下層的光反射性樹脂，并且在使該下層的光反射性樹脂的一部分進入所述縫隙后，注入相對高粘度的上層的光反射性樹脂。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，

在將光反射性樹脂注入時或者注入后，形成抽真空氣氛。