[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510076992.0
• 申請(qǐng)日: 2015-02-12
• 公開（公告）號(hào): CN104867927B
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 古畑智之
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 精工愛普生株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/088
• 分類號(hào): H01L27/088;H01L21/82
• 代理公司: 北京金信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11225
• 代理人: 黃威;蘇萌萌

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

半導(dǎo)體基板；

第一導(dǎo)電型的外延層，其外延生長(zhǎng)在所述半導(dǎo)體基板上；

第二導(dǎo)電型的第一阱，其被設(shè)置于所述外延層中，并被施以第一電位；

所述第二導(dǎo)電型的第二阱，其被設(shè)置于所述外延層中，并被施以與所述第一電位不同的第二電位；

所述第一導(dǎo)電型的第三阱，其被設(shè)置在所述第一阱與所述第二阱之間的所述外延層中；

所述第一導(dǎo)電型的第一雜質(zhì)區(qū)域，其被設(shè)置在所述第一阱之下的所述外延層中；

第一MOS晶體管，其被設(shè)置于所述第一阱中；

第二MOS晶體管，其被設(shè)置于所述第二阱中；

第三MOS晶體管，其被設(shè)置于所述第三阱中；

所述第二導(dǎo)電型的第二雜質(zhì)區(qū)域，其被設(shè)置于所述外延層中，

所述第一雜質(zhì)區(qū)域的雜質(zhì)濃度高于所述外延層的雜質(zhì)濃度，

所述第二雜質(zhì)區(qū)域具有：

第一部分，其被設(shè)置于所述第一雜質(zhì)區(qū)域之下；

第二部分，其與所述第一部分連接，并以在俯視觀察時(shí)包圍所述第一阱、所述第二阱以及所述第三阱的方式而被設(shè)置，

所述第一阱、所述第二阱以及所述第三阱在第一方向上排列，

在俯視觀察時(shí)，與所述第一方向正交的第二方向上的、所述第一阱與所述第二部分之間的距離大于所述第三阱與所述第二部分之間的距離，

在俯視觀察時(shí)，所述第二方向上的、所述第二阱與所述第二部分之間的距離大于所述第三阱與所述第二部分之間的距離。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述第一雜質(zhì)區(qū)域被設(shè)置在所述第二阱之下以及所述第三阱之下。

3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，包括：

所述第一導(dǎo)電型的第四阱，其被設(shè)置于所述第二部分與所述第一阱之間的所述外延層中；

所述第一導(dǎo)電型的第五阱，其被設(shè)置于所述第二部分與所述第二阱之間的所述外延層中；

第四MOS晶體管，其被設(shè)置于所述第四阱中；

第五MOS晶體管，其被設(shè)置于所述第五阱中。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，包括：

所述第二導(dǎo)電型的第六阱，其在俯視觀察時(shí)被設(shè)置于所述第二部分的外側(cè)的所述外延層中；

所述第二導(dǎo)電型的第三雜質(zhì)區(qū)域，其以在俯視觀察時(shí)包圍所述第六阱的方式而被設(shè)置；

LDMOS晶體管，其被設(shè)置于所述第六阱中。

5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，包括：

所述第二導(dǎo)電型的第六阱，其在俯視觀察時(shí)被設(shè)置于所述第二部分的外側(cè)的所述外延層中；

所述第二導(dǎo)電型的第三雜質(zhì)區(qū)域，其以在俯視觀察時(shí)包圍所述第六阱的方式而被設(shè)置；

LDMOS晶體管，其被設(shè)置于所述第六阱中。

6.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述第一阱在俯視觀察時(shí)被設(shè)置于所述第一雜質(zhì)區(qū)域的外緣的內(nèi)側(cè)。

7.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述第一MOS晶體管的柵極絕緣膜的厚度與所述第二MOS晶體管的柵極絕緣膜的厚度不同。

8.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括：

在外延生長(zhǎng)于半導(dǎo)體基板上的第一導(dǎo)電型的外延層中形成所述第一導(dǎo)電型的第一雜質(zhì)區(qū)域以及第二導(dǎo)電型的第二雜質(zhì)區(qū)域的工序；

在所述第一雜質(zhì)區(qū)域上的所述外延層中形成所述第二導(dǎo)電型的第一阱，在所述外延層中形成所述第二導(dǎo)電型的第二阱，在所述第一阱與所述第二阱之間的所述外延層中形成所述第一導(dǎo)電型的第三阱的工序；

在所述第一阱中形成第一MOS晶體管，在所述第二阱中形成第二MOS晶體管，在所述第三阱中形成第三MOS晶體管的工序，

在所述第一阱上施以第一電位，

在所述第二阱上施以與所述第一電位不同的第二電位，

在形成所述第一雜質(zhì)區(qū)域的工序中，

所述第一雜質(zhì)區(qū)域以與所述外延層相比雜質(zhì)濃度較高的方式而被形成，

在形成所述第二雜質(zhì)區(qū)域的工序中，

所述第二雜質(zhì)區(qū)域以具有被設(shè)置在所述第一雜質(zhì)區(qū)域之下的第一部分以及與所述第一部分連接的第二部分的方式而被形成，

在形成所述第一阱、所述第二阱以及所述第三阱的工序中，

所述第一阱、所述第二阱以及所述第三阱以在俯視觀察時(shí)被第二部分包圍的方式而被形成，

所述第一阱、所述第二阱以及所述第三阱以在第一方向上排列的方式而被形成，

在俯視觀察時(shí)，與所述第一方向正交的第二方向上的、所述第一阱與所述第二部分之間的距離大于所述第三阱與所述第二部分之間的距離，

在俯視觀察時(shí)，所述第二方向上的、所述第二阱與所述第二部分之間的距離大于所述第三阱與所述第二部分之間的距離。