[發明專利]從混合金屬氧化物選擇性回收有價金屬的方法在審
| 申請號: | 201510076991.6 | 申請日: | 2015-02-12 |
| 公開(公告)號: | CN104862482A | 公開(公告)日: | 2015-08-26 |
| 發明(設計)人: | 何錦鏢;何國強;王然石;鄭富林 | 申請(專利權)人: | 納米及先進材料研發院有限公司 |
| 主分類號: | C22B7/00 | 分類號: | C22B7/00;C25C1/14;C25C1/22 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人: | 武晨燕;遲姍 |
| 地址: | 中國香港九龍清水灣香港科技大學賽馬會*** | 國省代碼: | 中國香港;81 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 混合 金屬 氧化物 選擇性 回收 方法 | ||
1.一種用于從含ITO的廢物中連續回收銦和錫的方法,其包括:
a)通過切碎和壓碎來減小含ITO材料的尺寸以便形成細碎顆粒;
b)通過化學和物理清潔步驟對所述細碎顆粒進行預處理,以避免溶解步驟中的干擾;
c)將經過預處理的顆粒轉移到處于60℃到120℃范圍浴溫下的包含第一浴制劑的第一溶解浴中,同時連續攪拌30-180分鐘以溶解所述經過預處理的顆粒;
d)將50-300體積%的水加入到來自步驟(c)的含有溶解顆粒的溶液中以形成第一混合物,并過濾所述第一混合物以便收集富含銦的濾液和富含錫的濾渣;
e)將銦板放入所述富含銦的濾液中1-10小時以通過置換反應去除錫殘余物;
f)通過第一沉積工藝從所述富含銦的濾液回收純度不低于99.9%的銦;
g)在蒸發水之后,將步驟(c)中的所述溶解浴再用于下一個回收循環。
2.根據權利要求1所述的方法,其進一步包括:
h)將從步驟(d)獲得的所述富含錫的濾渣轉移到處于60℃到120℃范圍浴溫下的包含第二浴制劑的第二溶解浴中,同時連續攪拌30-180分鐘以溶解所述富含錫的濾渣;
i)將50-300體積%的水加入到含有溶解的富含錫的濾渣的溶液中以形成第二混合物,并過濾所述第二混合物以便收集富含錫的濾液和未溶解的基質;
j)通過第二沉積工藝從步驟(i)中獲得的所述富含錫的濾液回收錫;
k)在蒸發水之后,將步驟(h)中的所述第二溶解浴再用于下一個回收循環。
3.根據權利要求1所述的方法,其中所述第一浴制劑包含以下組分:
一種或多于一種類型的有機鹵化物鹽,其中所述有機鹵化物鹽的陽離子包括四烷基銨、(二烷基、三烷基和四烷基)咪唑鎓、烷基吡啶鎓、二烷基吡咯烷鎓、二烷基哌啶鎓、四烷基鏻、四烷基锍、二烷基吡唑鎓和N-烷基噻唑鎓;和
20-80mol%的二羧酸,所述二羧酸包括草酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸和己二酸。
4.根據權利要求3所述的方法,其中所述有機鹵化物鹽的陽離子是四烷基銨且所述二羧酸是草酸;所述有機鹵化物鹽與二羧酸的摩爾比為1:1。
5.根據權利要求1所述的方法,其中所述第一沉積工藝是銦的電沉積工藝,其包括以下操作條件和/或組分:
pH不高于1.5;
電流密度為0.6mA/cm2到4mA/cm2或電壓為2V到4V;
電沉積時間為10分鐘到60分鐘;
溫度為20℃到70℃;
用于從所述富含銦的濾液中電沉積銦的基板,所述基板包括鈦、不銹鋼和石墨;和
對電極,所述對電極包括鈦、鉑和石墨。
6.根據權利要求2所述的方法,其中所述第二浴制劑包含以下組分:
一種或多于一種類型的有機鹵化物鹽,其中所述有機鹵化物鹽的陽離子包括四烷基銨、(二烷基、三烷基和四烷基)咪唑鎓、烷基吡啶鎓、二烷基吡咯烷鎓、二烷基哌啶鎓、四烷基鏻、四烷基锍、二烷基吡唑鎓和N-烷基噻唑鎓;和
20-80mol%的羧酸,所述羧酸包括三氟乙酸、三氯乙酸、二氯乙酸、氯乙酸、丙酸、丁酸和戊酸。
7.根據權利要求6所述的方法,其中所述有機鹵化物鹽的陽離子是四烷基銨且所述羧酸是三氯乙酸;所述有機鹵化物鹽與羧酸的摩爾比為1:2。
8.根據權利要求2所述的方法,其中所述第二沉積工藝是錫的電沉積工藝,其包括以下操作條件和/或組分:
pH不高于1;
電流密度為0.8mA/cm2到5mA/cm2或電壓為2.2V到4.5V;
電沉積時間為10分鐘到60分鐘;
溫度為20℃到70℃;
用于從所述富含錫的濾液中電沉積錫的基板,所述基板包括鈦、不銹鋼和石墨;和
對電極,所述對電極包括鈦、鉑和石墨。
9.根據權利要求1所述的方法,其中所述置換反應包括利用銦板的伽伐尼置換工藝,用于在所述第一沉積工藝后從所述富含銦的濾液中去除錫殘余物。
10.根據權利要求1所述的方法,其中所述含ITO材料包括來自顯示面板、太陽能電池面板或消費電子副產品的含ITO的廢料和含ITO的粉末。
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