[發明專利]一種金屬電阻率Cu/Cu2O半導體彌散復合薄膜及其制備方法有效
| 申請號： | 201510076766.2 | 申請日： | 2015-02-12 |
| 公開（公告）號： | CN104651790B | 公開（公告）日： | 2017-10-20 |
| 發明（設計）人： | 蘇江濱;王旭東;馬驥;劉陽;蔣美萍;唐斌 | 申請（專利權）人： | 常州大學 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/16 |
| 代理公司： | 南京知識律師事務所32207 | 代理人： | 霍冠禹 |
| 地址： | 213164 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 金屬 電阻率 cu cu2o 半導體 彌散 復合 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種金屬電阻率Cu/Cu2O半導體彌散復合薄膜，其特征在于，所述薄膜中Cu和Cu2O組分彌散均勻分布，摩爾比例為10:1，薄膜厚度約為72nm，電阻率為(5.23～9.98)×10-5Ω·cm，禁帶寬度為(2.23～2.47)eV。
2.一種金屬電阻率Cu/Cu2O半導體彌散復合薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
1)采用JGP500A型平衡磁控濺射鍍膜系統，先將干凈的玻璃片固定在樣品盤上，再將高純銅靶安裝在濺射源上；
2)關上腔門抽高真空，然后通高純氬氣，并調節高閥保持腔室氣壓恒定；所述步驟2)中，所述高真空為5.0×10-4Pa，所述氬氣的流量和純度分別為15sccm和99.999wt.％，所述腔室氣壓為0.1Pa；
3)在直流100W的功率下對銅靶預濺射10分鐘，以除去銅靶表面可能的氧化層；
4)調節濺射功率，打開樣品擋板，通過改變襯底偏壓在玻璃襯底上沉積了Cu/Cu2O彌散復合薄膜。
3.根據權利要求2所述的金屬電阻率Cu/Cu2O半導體彌散復合薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟1)中，所述銅靶的純度為99.99wt.％。
4.根據權利要求2所述的金屬電阻率Cu/Cu2O半導體彌散復合薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟1)中，所述濺射源為直流濺射源。
5.根據權利要求2所述的金屬電阻率Cu/Cu2O半導體彌散復合薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟4)中，所述濺射功率為直流40W。
6.根據權利要求2所述的金屬電阻率Cu/Cu2O半導體彌散復合薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟4)中，所述襯底偏壓為直流(0～-200)V。
7.根據權利要求2所述的金屬電阻率Cu/Cu2O半導體彌散復合薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟4)中，所述沉積的溫度為室溫，沉積的速率和時間分別為0.03nm/s和40分鐘。
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