[發(fā)明專利]組合FinFET及其形成方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510075614.0 | 申請(qǐng)日： | 2015-02-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104934474B | 公開（公告）日： | 2018-02-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黃玉蓮;彭辭修;李東穎;蔡明桓;萬幸仁 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/78 | 分類號(hào)： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李偉 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 組合 finfet 及其 形成 方法 | ||
1.一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)，包括：
鰭，從半導(dǎo)體襯底向上延伸；以及
柵極堆疊件，設(shè)置在所述鰭的溝道區(qū)的側(cè)壁上方并且覆蓋所述鰭的溝道區(qū)的側(cè)壁，其中，所述溝道區(qū)包括至少兩種不同的半導(dǎo)體材料，所述溝道區(qū)還包括相互擴(kuò)散區(qū)，所述至少兩種不同的半導(dǎo)體材料中的一種的第一水平尺寸比所述至少兩種不同的半導(dǎo)體材料中的兩種材料之間的界面的第二水平尺寸寬。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，所述至少兩種不同的半導(dǎo)體材料中的一種具有第一垂直尺寸，而所述溝道區(qū)具有第二垂直尺寸，并且其中，所述第一垂直尺寸與所述第二垂直尺寸的比率至少為0.6。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，所述至少兩種不同的半導(dǎo)體材料中的一種中的鍺的原子百分比至少為10％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，所述至少兩種不同的半導(dǎo)體材料中的一種為鍺、硅鍺、砷化銦鎵或硅鍺錫。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，所述至少兩種不同的半導(dǎo)體材料中的一種為硅、硅鍺或硅鍺錫。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，所述鰭包括至少三種不同的半導(dǎo)體材料。
7.一種半導(dǎo)體器件，包括：
第一半導(dǎo)體帶，位于襯底上方；
第二半導(dǎo)體帶，位于所述第一半導(dǎo)體帶上方，其中，所述第一半導(dǎo)體帶和所述第二半導(dǎo)體帶包括不同的半導(dǎo)體材料；
溝道區(qū)，其中，所述溝道區(qū)包括所述第二半導(dǎo)體帶和所述第一半導(dǎo)體帶的至少一部分，并且其中，所述第二半導(dǎo)體帶的第一垂直尺寸與所述溝道區(qū)的第二垂直尺寸的比率至少為0.6，其中，所述溝道區(qū)還包括相互擴(kuò)散區(qū)，所述第二半導(dǎo)體帶的第一水平尺寸比所述第一半導(dǎo)體帶和所述第二半導(dǎo)體帶之間的界面的第二水平尺寸寬；以及
柵極堆疊件，位于所述溝道區(qū)的側(cè)壁上方并且覆蓋所述溝道區(qū)的側(cè)壁。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一半導(dǎo)體帶包括第一半導(dǎo)體材料，而所述第二半導(dǎo)體帶包括第二半導(dǎo)體材料，其中，所述第二半導(dǎo)體材料具有比所述第一半導(dǎo)體材料高的遷移率，并且其中，所述第一半導(dǎo)體材料具有比所述第二半導(dǎo)體材料低的界面陷阱密度。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，還包括：第一淺溝槽隔離(STI)區(qū)和第二淺溝槽隔離區(qū)，其中，所述第一半導(dǎo)體帶設(shè)置在所述第一淺溝槽隔離區(qū)與所述第二淺溝槽隔離區(qū)之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一淺溝槽隔離區(qū)的頂面低于所述第一半導(dǎo)體帶的頂面。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一淺溝槽隔離區(qū)的頂面低于所述第二淺溝槽隔離區(qū)的頂面。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一淺溝槽隔離區(qū)和所述第二淺溝槽隔離區(qū)的頂面平齊。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一淺溝槽隔離區(qū)的頂面是凹形的。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一淺溝槽隔離區(qū)的頂面是凸形的。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
