[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510075482.1
• 申請日: 2015-02-12
• 公開（公告）號: CN105448906A
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 生野徹
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/866
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 王成坤;胡建新

(關(guān)聯(lián)申請的引用)

本申請以2014年9月11日提出申請的在先的日本國專利申請2014－185530號帶來的權(quán)利的利益為基礎(chǔ)，并且要求其利益，在先申請的內(nèi)容整體通過引用而包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

這里說明的實施方式總體上涉及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

作為半導(dǎo)體裝置的ESD(ElectroStaticDischarge：靜電釋放)對策，有在半導(dǎo)體裝置內(nèi)設(shè)置保護半導(dǎo)體元件的齊納二極管的技術(shù)。但是，在大電流流過齊納二極管時，齊納二極管可能被破壞。或者，齊納二極管無法徹底吸收的電流流到元件側(cè)，元件可能被破壞。為了避免該情況，有使齊納二極管的P/N結(jié)面積增加來降低其動態(tài)電阻的方法。

但是，半導(dǎo)體裝置的尺寸小型的情況下，在僅使P/N結(jié)面積增加時，元件面積減少，有導(dǎo)致半導(dǎo)體裝置的通態(tài)電阻上升的問題。

發(fā)明內(nèi)容

實施方式提供ESD耐性得到強化并且通態(tài)電阻增加得到抑制的半導(dǎo)體裝置。

根據(jù)一個實施方式，半導(dǎo)體裝置具備：第1導(dǎo)電型的第1半導(dǎo)體區(qū)域；第1電極，設(shè)置在所述第1半導(dǎo)體區(qū)域之下；第2導(dǎo)電型的第2半導(dǎo)體區(qū)域，選擇性地設(shè)置在所述第1半導(dǎo)體區(qū)域之上；第1導(dǎo)電型的第3半導(dǎo)體區(qū)域，選擇性地設(shè)置在所述第2半導(dǎo)體區(qū)域之上；第2電極，隔著第1絕緣膜而設(shè)置在所述第1半導(dǎo)體區(qū)域、所述第2半導(dǎo)體區(qū)域及所述第3半導(dǎo)體區(qū)域；第1整流元件，隔著第2絕緣膜設(shè)置在未配置所述第2半導(dǎo)體區(qū)域、所述第3半導(dǎo)體區(qū)域、所述第1絕緣膜及所述第2電極的所述第1半導(dǎo)體區(qū)域之上，并具有交替地排列有第4半導(dǎo)體區(qū)域、及導(dǎo)電型與所述第4半導(dǎo)體區(qū)域不同的第5半導(dǎo)體區(qū)域的構(gòu)造；第2整流元件，隔著所述第2絕緣膜設(shè)置在未配置所述第2半導(dǎo)體區(qū)域、所述第3半導(dǎo)體區(qū)域、所述第1絕緣膜及所述第2電極并且未配置所述第1整流元件的所述第1半導(dǎo)體區(qū)域之上，并具有交替地排列有第6半導(dǎo)體區(qū)域、及導(dǎo)電型與所述第6半導(dǎo)體區(qū)域不同的第7半導(dǎo)體區(qū)域的構(gòu)造；第3電極，設(shè)置在所述第1半導(dǎo)體區(qū)域的上側(cè)，與所述第3半導(dǎo)體區(qū)域電連接，并與所述第1整流元件的所述第4半導(dǎo)體區(qū)域的任一個第4半導(dǎo)體區(qū)域及所述第2整流元件的所述第6半導(dǎo)體區(qū)域的任一個第6半導(dǎo)體區(qū)域電連接；以及第4電極，設(shè)置在所述第1半導(dǎo)體區(qū)域的上側(cè)，與所述第2電極電連接，包圍所述第3電極，與所述第1整流元件的所述任一個第4半導(dǎo)體區(qū)域以外的所述第4半導(dǎo)體區(qū)域、及所述第2整流元件的所述任一個第6半導(dǎo)體區(qū)域以外的所述第6半導(dǎo)體區(qū)域電連接。

根據(jù)上述構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置，能夠提供ESD耐性得到強化并且通態(tài)電阻增加得到抑制的半導(dǎo)體裝置。

附圖說明

圖1(a)及圖1(b)是對第1實施方式的半導(dǎo)體裝置進行表示的示意性的俯視圖。

圖2是在沿著圖1(b)所示的第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的A－A’線的位置處的示意性的剖視圖。

圖3是在沿著圖1(b)所示的第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的B－B’線的位置處的示意性的剖視圖。

圖4是對第1實施方式的半導(dǎo)體裝置進行表示的示意性的俯視圖。

圖5在沿著圖1(b)所示的第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的C－C’線的位置處的示意性的剖視圖。

圖6是對第1實施方式的半導(dǎo)體裝置進行表示的示意性的俯視圖。

圖7(a)～圖7(c)是對第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的動作進行表示的示意圖。

圖8(a)是對第2實施方式的第1例的半導(dǎo)體裝置進行表示的示意性的俯視圖，圖8(b)是對第2實施方式的第2例的半導(dǎo)體裝置進行表示的示意性的俯視圖。

具體實施方式

以下，參照附圖對實施方式進行說明。在以下的說明中，對同一部件標(biāo)注同一符號，對于說明過一次的部件，適當(dāng)省略其說明。

(第1實施方式)

圖1(a)及圖1(b)是對第1實施方式的半導(dǎo)體裝置進行表示的示意性的俯視圖。

在此，圖1(a)中示出了半導(dǎo)體裝置1的平面布局。圖1(b)中示出了在半導(dǎo)體裝置1的上表面?zhèn)人O(shè)置的電極的平面布局。