[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201510075482.1
• 申請日: 2015-02-12
• 公開（公告）號: CN105448906A
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發明（設計）人: 生野徹
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/866
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 王成坤;胡建新

1.一種半導體裝置，具備：

第1導電型的第1半導體區域；

第1電極，設置在所述第1半導體區域之下；

第2導電型的第2半導體區域，選擇性地設置在所述第1半導體區域之上；

第1導電型的第3半導體區域，選擇性地設置在所述第2半導體區域之上；

第2電極，隔著第1絕緣膜而設置在所述第1半導體區域、所述第2半導體區域及所述第3半導體區域；

第1整流元件，隔著第2絕緣膜設置在未配置所述第2半導體區域、所述第3半導體區域、所述第1絕緣膜及所述第2電極的所述第1半導體區域之上，并具有交替地排列有第4半導體區域、及導電型與所述第4半導體區域不同的第5半導體區域的構造；

第2整流元件，隔著所述第2絕緣膜設置在未配置所述第2半導體區域、所述第3半導體區域、所述第1絕緣膜及所述第2電極并且未配置所述第1整流元件的所述第1半導體區域之上，并具有交替地排列有第6半導體區域、及導電型與所述第6半導體區域不同的第7半導體區域的構造；

第3電極，設置在所述第1半導體區域的上側，與所述第3半導體區域電連接，并與所述第1整流元件的所述第4半導體區域中的任一個第4半導體區域及所述第2整流元件的所述第6半導體區域的任一個第6半導體區域電連接；以及

第4電極，設置在所述第1半導體區域的上側，與所述第2電極電連接，包圍所述第3電極，與所述第1整流元件的所述任一個第4半導體區域以外的所述第4半導體區域、及所述第2整流元件的所述任一個第6半導體區域以外的所述第6半導體區域電連接。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，

所述第4半導體區域及所述第6半導體區域的導電型是第1導電型，所述第5半導體區域及所述第7半導體區域的導電型是第2導電型。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，

所述第4半導體區域及所述第6半導體區域的導電型是第2導電型，所述第5半導體區域及所述第7半導體區域的導電型是第1導電型。

4.如權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置，

所述第1整流元件與配置有所述第2半導體區域、所述第3半導體區域、所述第1絕緣膜及所述第2電極的區域并列配置。

5.如權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置，

所述第2整流元件沿著配置有所述第2半導體區域、所述第3半導體區域、所述第1絕緣膜及所述第2電極的區域配置。

6.如權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置，

所述第4半導體區域及所述第5半導體區域配置成環狀。

7.如權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置，

所述第6半導體區域及所述第7半導體區域沿著配置有所述第2半導體區域、所述第3半導體區域、所述第1絕緣膜及所述第2電極的區域配置。

8.如權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置，

配置有所述第2半導體區域、所述第3半導體區域、所述第1絕緣膜及所述第2電極的區域具有至少一個角部，

所述第2整流元件具有沿著所述角部彎曲的區域。