[發明專利]有機發光顯示器及其制造方法

有效

• 申請號: 201510072175.8
• 申請日: 2015-02-11
• 公開（公告）號: CN104851388B
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: 崔千基
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: G09G3/3208
• 分類號: G09G3/3208
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;劉錚

公開了一種有機發光顯示器及其制造方法。所述有機發光顯示器包括像素電路以將電流供給至有機發光器件。像素電路包括開關晶體管和驅動晶體管。開關晶體管包括位于第一柵電極和氧化物半導體層之間的第一絕緣層。驅動晶體管包括位于有源層上的第二柵電極。第一絕緣層位于有源層和第二柵電極之間。

相關申請的交叉引用

于2014年2月19日提交的、題為“有機發光顯示裝置及其制造方法”的第10-2014-0019212號韓國專利申請通過整體引用并入本文。

技術領域

本文中的一個或多個實施方式涉及有機發光顯示器以及制造該有機發光顯示器的方法。

背景技術

有機發光顯示器利用有機發光器件(OLED)產生光。每個OLED包括位于空穴注入電極和電子注入電極之間的有機發射層。操作中，來自空穴注入電極的空穴和來自電子注入電極的電子在有機發射層中結合以形成激子。當激子從激發態躍遷至基態時，產生光以形成圖像。

由于有機發光顯示器是自發光的(例如，不需要背光源)，因此其可以以低壓驅動，同時能夠較為纖薄和輕便。此外，這種顯示器具有寬視角、高對比度和快速響應速度。

發明內容

根據一個實施方式，有機發光顯示器包括：基底；位于基底上的有機發光器件；以及將電流供給至有機發光器件的像素電路，其中像素電路包括位于基底上的開關晶體管和驅動晶體管，開關晶體管包括位于第一柵電極和氧化物半導體層之間的第一絕緣層，驅動晶體管包括位于有源層上的第二柵電極，以及位于有源層和第二柵電極之間的第一絕緣層。

氧化物半導體層可包括從由鎵、銦、鋅、鉿和錫組成的組中所選擇的一個或多個以及氧。第一柵電極可包括摻雜有雜質的多晶硅層。有源層可包括位于溝道區兩側的源區和漏區，其中源區和漏區摻雜有雜質。

顯示器可包括位于氧化物半導體層和第二柵電極上的第二絕緣層，其中開關晶體管可包括穿過第二絕緣層連接至氧化物半導體層的第一源電極和第一漏電極。

驅動晶體管可包括穿過第一絕緣層和第二絕緣層分別連接至源區和漏區的第二源電極和第二漏電極。

像素電路可包括電容器，其中電容器包括位于基底上的第一電極和位于第一電極上的第二電極，其中第一絕緣層位于第一電極和第二電極之間。第一電極可包括摻雜有雜質的多晶硅層，以及第二電極包括氧化物半導體層。電容器可包括位于第二電極上的第三電極，其中第二絕緣層位于第二電極和第三電極之間。有機發光器件可包括位于陽極電極和陰極電極之間的有機發射層。

根據另一實施方式，制造有機發光顯示器的方法包括：對位于基底上的多晶硅層進行圖案化以形成第一柵電極的中間層和有源層的中間層；在第一柵電極的中間層和有源層的中間層上形成第一絕緣層；在有源層的中間層上方的第一絕緣層上形成第二柵電極；對第一柵電極的中間層和有源層的中間層摻雜雜質以形成第一電極和有源層；在第一絕緣層上形成氧化物半導體層，以使氧化物半導體層位于第一柵電極上；在第二柵電極和氧化物半導體層上形成第二絕緣層；以及形成第一源電極和第一漏電極以穿過第二絕緣層連接至氧化物半導體層。

有源層包括與第二柵電極重疊的溝道區以及位于溝道區兩側的源區和漏區，其中源區和漏區包含雜質。

該方法可包括形成第二源電極和第二漏電極以穿過第一絕緣層和第二絕緣層分別連接至源區和漏區。第一柵電極可以是開關晶體管的柵電極，第二柵電極可以是驅動晶體管的柵電極。氧化物半導體層可包括從由鎵、銦、鋅、鉿和錫組成的組中所選擇的一個或多個以及氧。

該方法可包括在基底上施加非晶硅層并使非晶硅層結晶以形成多晶硅層。該雜質可以是P型雜質。

圖案化位于基底上的多晶硅層的操作還可包括圖案化多晶硅層以形成電容器的第一電極的中間層，并且摻雜雜質的操作還可包括利用雜質對第一電極的中間層進行摻雜以形成電容器的第一電極。