[發明專利]有機發光顯示器及其制造方法

有效

• 申請號: 201510072175.8
• 申請日: 2015-02-11
• 公開（公告）號: CN104851388B
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: 崔千基
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: G09G3/3208
• 分類號: G09G3/3208
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;劉錚

1.一種有機發光顯示器，包括：

基底；

有機發光器件，位于所述基底上；以及

像素電路，將電流供給至所述有機發光器件，

其中所述像素電路包括位于所述基底上的開關晶體管，驅動晶體管和電容器，所述開關晶體管包括位于第一柵電極和氧化物半導體層之間的第一絕緣層，所述驅動晶體管包括位于有源層上的第二柵電極，以及位于所述有源層和所述第二柵電極之間的所述第一絕緣層，所述電容器包括位于所述基底上的第一電極和位于所述第一電極上的第二電極，其中所述第一絕緣層位于所述第一電極和所述第二電極之間。

2.如權利要求1所述的顯示器，其中

所述氧化物半導體層包括鎵、銦、鋅、鉿或錫中的一個或多個以及氧。

3.如權利要求1所述的顯示器，其中

所述第一柵電極包括摻雜有雜質的多晶硅層。

4.如權利要求3所述的顯示器，其中

所述有源層包括位于溝道區兩側的源區和漏區，所述源區和所述漏區摻雜有雜質。

5.如權利要求4所述的顯示器，還包括：

位于所述氧化物半導體層和所述第二柵電極上的第二絕緣層，其中所述開關晶體管包括穿過所述第二絕緣層連接至所述氧化物半導體層的第一源電極和第一漏電極。

6.如權利要求5所述的顯示器，其中

所述驅動晶體管包括穿過所述第一絕緣層和所述第二絕緣層分別連接至所述源區和所述漏區的第二源電極和第二漏電極。

7.如權利要求4所述的顯示器，其中：

所述第一電極包括所述摻雜有雜質的多晶硅層，以及所述第二電極包括所述氧化物半導體層。

8.如權利要求1所述的顯示器，其中所述電容器包括：

位于所述第二電極上的第三電極，

其中第二絕緣層位于所述第二電極和所述第三電極之間。

9.根據權利要求1所述的顯示器，其中

所述有機發光器件包括位于陽極電極和陰極電極之間的有機發射層。

10.一種制造有機發光顯示器的方法，所述方法包括：

圖案化位于基底上的多晶硅層以形成第一柵電極的中間層、有源層的中間層和電容器的第一電極的中間層；

在所述第一柵電極的中間層和所述有源層的中間層上形成第一絕緣層；

在所述有源層的中間層上方的所述第一絕緣層上形成第二柵電極；

對所述第一柵電極的中間層、所述有源層的中間層和所述第一電極的中間層摻雜雜質以形成第一柵電極、有源層和所述電容器的所述第一電極；

在所述第一絕緣層上形成氧化物半導體層，以使所述氧化物半導體層位于所述第一柵電極上，其中形成所述氧化物半導體層還包括形成所述電容器的第二電極以與所述第一電極重疊；

在所述第二柵電極和所述氧化物半導體層上形成第二絕緣層；以及

形成第一源電極和第一漏電極，以穿過所述第二絕緣層連接至所述氧化物半導體層。

11.如權利要求10所述的方法，其中所述有源層包括：

溝道區，與所述第二柵電極重疊，以及

源區和漏區，位于所述溝道區的兩側，所述源區和所述漏區包含雜質。

12.如權利要求11所述的方法，還包括：

形成第二源電極和第二漏電極，以穿過所述第一絕緣層和所述第二絕緣層分別連接至所述源區和所述漏區。

13.根據權利要求10所述的方法，其中：

所述第一柵電極為開關晶體管的柵電極，以及

所述第二柵電極為驅動晶體管的柵電極。

14.如權利要求10所述的方法，其中

所述氧化物半導體層包括鎵、銦、鋅、鉿或錫中的一個或多個以及氧。