[發(fā)明專利]具有松弛硅/鍺鰭片的集成電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510070796.2
• 申請日: 2015-02-11
• 公開（公告）號: CN104835744B
• 公開（公告）日: 2018-01-12
• 發(fā)明（設計）人: A·衛(wèi);劉金平;S·M·高;A·金德倫
• 申請（專利權）人: 格羅方德半導體公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L27/105;H01L21/8234
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司11314
• 代理人: 程偉,王錦陽

1.一種制造集成電路的方法，包括：

在襯底上方形成復合層，其中，該復合層包括結晶硅和鍺，且該襯底包括結晶硅，以及其中，復合層晶格松弛，這意味著結晶體中的原子處于該結晶體的材料的自然結晶原子間距離；

自該復合層形成鰭片；

在該鰭片上方形成柵極；

移除位于該柵極的相對側上的該鰭片的部分，以形成源極開口及漏極開口；以及

在該源極開口中形成源極以及在該漏極開口中形成漏極。

2.如權利要求1所述的方法，其中，形成該源極及該漏極還包括形成該源極及該漏極以使該源極及該漏極包括90質量百分比或更高的結晶硅，以及其中，源極晶格應變且漏極晶格應變。

3.如權利要求2所述的方法，其中，形成該源極及該漏極還包括形成具有摻雜物的該源極及該漏極，其中，該摻雜物包括磷、砷以及銻的其中一種或多種。

4.如權利要求1所述的方法，其中，形成該源極及該漏極還包括形成該源極及該漏極以使該源極及該漏極包括硅和鍺，以及其中，該鍺為50質量百分比或更高。

5.如權利要求4所述的方法，其中，形成該源極及該漏極還包括形成具有鍺濃度梯度的該源極及該漏極，其中，源極表面及漏極表面的鍺濃度大于95質量百分比的鍺。

6.如權利要求4所述的方法，其中，形成該源極及該漏極還包括形成具有摻雜物的該源極及該漏極，其中，該摻雜物包括硼、鋁、鎵以及銦的其中一種或多種。

7.如權利要求1所述的方法，其中，形成該復合層還包括：

形成包括硅和鍺的松弛層；

松弛松弛晶格結構；以及

通過外延生長在該松弛層上方形成復合鰭片層，其中，該復合鰭片層包括硅和鍺。

8.如權利要求7所述的方法，其中，形成該復合層還包括：

在該松弛層上方形成松弛低缺陷層；以及

在該松弛低缺陷層上方形成超陡后退阱，其中，該超陡后退阱包括硅、鍺以及碳。

9.如權利要求1所述的方法，其中，在該鰭片上方形成該柵極還包括在形成該源極及該漏極以前在該鰭片上方形成偽柵極；以及

使用替代金屬柵極替代該偽柵極。

10.如權利要求1所述的方法，其中，形成該鰭片還包括形成多個鰭片，該方法還包括：

將該多個鰭片的部分指定為N鰭片，部分指定為P鰭片；以及

其中，在該源極開口中形成該源極以及在該漏極開口中形成該漏極還包括在形成該源極及該漏極以前交替掩蔽該N鰭片及該P鰭片。

11.一種制造集成電路的方法，包括：

在襯底上方形成多個鰭片，其中，該多個鰭片包括硅和鍺，其中，該襯底包括硅，其中，該多個鰭片中的晶格松弛，這意味著結晶體中的原子處于該結晶體的材料的自然結晶原子間距離，以及其中，將該多個鰭片劃分為“N”型鰭式場效應晶體管指定的N鰭片以及為“P”型鰭式場效應晶體管指定的P鰭片；

在該多個鰭片上方形成多個偽柵極；

移除位于該多個偽柵極的相對側上的該多個鰭片的部分，以形成多個源極開口以及多個漏極開口；

掩蔽該N鰭片；

針對該P鰭片，在該源極開口中形成源極以及在該漏極開口中形成漏極，其中，該P鰭片的該源極及該漏極包括結晶硅和鍺；

掩蔽該P鰭片；以及

針對該N鰭片，在該源極開口中形成源極以及在該漏極開口中形成漏極，其中，該N鰭片的該源極及該漏極包括90質量百分比或更高的結晶硅。

12.如權利要求11所述的方法，其中，形成該多個鰭片還包括：

在該襯底上方形成復合層，其中，該復合層包括硅和鍺；以及

在該復合層中形成該多個鰭片。

13.如權利要求12所述的方法，其中，移除位于該多個偽柵極的相對側上的該多個鰭片還包括保留位于該源極開口及該漏極開口下方的該復合層的至少部分。

14.如權利要求13所述的方法，其中，針對該N鰭片，在該源極開口中形成該源極以及在該漏極開口中形成該漏極還包括在該源極開口及該漏極開口中外延生長硅，以使源極晶格應變以及漏極晶格應變。