[發明專利]基板處理裝置

有效

• 申請號: 201510069668.6
• 申請日: 2015-02-10
• 公開（公告）號: CN104851825B
• 公開（公告）日: 2018-03-23
• 發明（設計）人: 八木胡桃
• 申請（專利權）人: 斯克林集團公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司72003
• 代理人: 宋曉寶,向勇

技術領域

本發明涉及對基板進行處理的基板處理裝置。作為成為處理對象的基板，例如包括半導體晶片、液晶表示裝置用基板、等離子顯示器用基板、FED(Field Emission Display：場發射顯示器)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。

背景技術

在半導體裝置和液晶表示裝置等的制造工序中，使用對半導體晶片或液晶表示裝置用玻璃基板等基板進行處理的基板處理裝置。

在日本特開2010-56218號公報中公開了對基板一張一張進行處理的單張式的基板處理裝置。在該基板處理裝置中，為了防止因處理液中含有的氧氣而使基板氧化，將含有非活性氣體溶解水的液體作為處理液向基板，該非活性氣體溶解水是進行氧氣的去除和氮氣的添加而成的。進而，在該基板處理裝置中，為了抑制與基板的上表面接觸的氣體中的氧氣濃度的上升，而利用具有基板相向面以及周壁部的遮斷構件覆蓋在旋轉基座的上方配置的基板。

在半導體裝置或液晶表示裝置等的制造工序中，有時希望在氣體中的氧氣濃度極低的狀態對基板進行處理。

如上述公報記載那樣，即使處理液中的氧氣濃度低，當氣體中的氧氣濃度高時，氣體中的氧氣會溶入處理液，因此有時將氧氣濃度上升的處理液供給至基板。另外，當在氣體中的氧氣濃度高的狀態下使基板干燥時，有時由氣體中的氧氣引起的水印會產生在基板上。因此，在液體處理工序以及干燥工序中都需要降低氣體中的氧氣濃度。

發明內容

本發明的目的之一在于，降低與基板接觸的氣體中的氧氣濃度，以便在氧氣濃度低的氣體中處理基板。

本發明的一實施方式提供一種基板處理裝置，具有旋轉卡盤、遮斷構件、上非活性氣體供給單元、杯和排氣單元，

所述旋轉卡盤具有：

圓板狀的旋轉基座，具有配置在基板的下方的圓形的上表面和外徑大于基板的外徑的外周面，

多個卡盤銷，以基板的下表面和所述旋轉基座的所述上表面在上下方向上隔開間隔相向的方式將基板保持為水平，

旋轉馬達，使所述旋轉基座以及多個卡盤銷圍繞通過由所述多個卡盤銷保持的基板的中央部的鉛垂的旋轉軸線旋轉；

所述遮斷構件具有配置在由所述旋轉卡盤保持的基板的上方的相向面和圍繞所述旋轉軸線包圍由所述旋轉卡盤保持的基板的內周面，所述內周面的下端配置在所述旋轉基座的周圍，從所述內周面的下端到所述旋轉基座的所述外周面的徑向的距離在從由所述旋轉卡盤保持的基板的上表面到所述相向面的鉛垂方向的距離以上；

所述上非活性氣體供給單元從在所述遮斷構件的所述相向面開口的向下噴出口向下方噴出非活性氣體；

所述杯圍繞所述旋轉軸線包圍所述旋轉基座并向上開放；

所述排氣單元將所述杯內的氣體向所述杯的外部排出。

在基板的上表面和遮斷構件的相向面不平行的情況下，從由旋轉卡盤保持的基板的上表面到遮斷構件的相向面的鉛垂方向的距離是指最短距離。

根據該結構，基板配置在旋轉基座的上方。遮斷構件的相向面配置在基板的上方。遮斷構件的內周面配置在基板的周圍。在該狀態下，非活性氣體從在遮斷構件的相向面開口的向下噴出口向下方噴出。從遮斷構件的向下噴出口噴出的非活性氣體在基板的上表面和遮斷構件的相向面之間的空間擴散，并從遮斷構件的內周面的下端和旋轉基座的外周面之間排出。由此，基板和遮斷構件之間由非活性氣體充滿，因此，與基板的上表面以及外周面接觸的氣體中的氧氣濃度得以下降。

遮斷構件的內周面的下端在徑向上隔開間隔與旋轉基座的外周面相向。遮斷構件的內周面的下端和旋轉基座的外周面形成排出基板和遮斷構件之間的氣體的環狀的排出口。當從遮斷構件的內周面的下端到旋轉基座的外周面的徑向的距離小時，由于排出口的開口面積小，所以妨礙氣體的排出，氣體有可能在基板和遮斷構件之間滯留。當發生氣體的滯留時，在基板和遮斷構件之間的一部分的區域，氧氣濃度難以充分下降。

從遮斷構件的內周面的下端到旋轉基座的外周面的徑向的距離在由旋轉卡盤保持的基板的上表面到遮斷構件的相向面的鉛垂方向的距離以上。因此，相比從遮斷構件的內周面的下端到旋轉基座的外周面的徑向的距離小于從由旋轉卡盤保持的基板的上表面到遮斷構件的相向面的鉛垂方向的距離的情況，使排出口的開口面積增加。由此，由于氣體的排出效率提高，所以能夠抑制或防止氣體在基板和遮斷構件之間滯留。