[發明專利]基板處理裝置有效
| 申請號: | 201510069668.6 | 申請日: | 2015-02-10 |
| 公開(公告)號: | CN104851825B | 公開(公告)日: | 2018-03-23 |
| 發明(設計)人: | 八木胡桃 | 申請(專利權)人: | 斯克林集團公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司72003 | 代理人: | 宋曉寶,向勇 |
| 地址: | 日本國京*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,其特征在于,具有旋轉卡盤、遮斷構件、上非活性氣體供給單元、杯和排氣單元,
所述旋轉卡盤具有:
圓板狀的旋轉基座,具有配置在基板的下方的圓形的上表面和外徑大于基板的外徑的外周面,
多個卡盤銷,以基板的下表面和所述旋轉基座的所述上表面在上下方向上隔開間隔相向的方式將基板保持為水平,
旋轉馬達,使所述旋轉基座以及多個卡盤銷圍繞通過由所述多個卡盤銷保持的基板的中央部的鉛垂的旋轉軸線旋轉;
所述遮斷構件具有配置在由所述旋轉卡盤保持的基板的上方的相向面和圍繞所述旋轉軸線包圍由所述旋轉卡盤保持的基板的內周面,所述內周面的下端配置在所述旋轉基座的周圍,從所述內周面的下端到所述旋轉基座的所述外周面的徑向的距離在從由所述旋轉卡盤保持的基板的上表面到所述相向面的鉛垂方向的距離以上;
所述上非活性氣體供給單元從在所述遮斷構件的所述相向面開口的向下噴出口向下方噴出非活性氣體;
所述杯圍繞所述旋轉軸線包圍所述旋轉基座并向上開放;
所述排氣單元將所述杯內的氣體向所述杯的外部排出,
所述杯具有使包圍所述旋轉軸線的環狀的間隙形成在所述杯和所述遮斷構件之間的環狀的杯上端部,
所述杯上端部和所述遮斷構件之間的最短距離小于從所述遮斷構件的所述內周面的下端到所述旋轉基座的所述外周面的徑向的距離。
2.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
該基板處理裝置還具有遮斷構件旋轉單元,該遮斷構件旋轉單元使所述遮斷構件圍繞所述旋轉軸線向與由所述旋轉卡盤保持的基板相同的方向旋轉。
3.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述杯上端部和所述遮斷構件之間的所述環狀的間隙具有使向所述杯內吸引的氣體流入的環狀流入口、將流入所述環狀流入口的氣體向所述杯的內部排出的環狀流出口和從所述環狀流入口延伸至所述環狀流出口的環狀流路,
所述環狀流路從所述環狀流出口向上方延伸。
4.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述杯上端部和所述遮斷構件之間的所述環狀的間隙具有使向所述杯內吸引的氣體流入的環狀流入口、將流入所述環狀流入口的氣體向所述杯的內部排出的環狀流出口和從所述環狀流入口延伸到所述環狀流出口的環狀流路,
所述環狀流路具有截面呈L字狀的角部。
5.如權利要求4所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述遮斷構件具有:
圓板部,配置在由所述旋轉卡盤保持的基板的上方,
圓筒部,圍繞所述旋轉軸線包圍由所述旋轉卡盤保持的基板,
環狀的伸出部,比所述圓筒部的下端靠外側;
所述杯上端部在徑向上隔開間隔圍繞所述旋轉軸線包圍所述圓筒部,并且以在上下方向上隔開間隔與所述伸出部相向的方式配置在所述伸出部的下方。
6.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述遮斷構件的所述內周面具有從所述遮斷構件的所述相向面向斜下外側延伸的環狀的內傾斜部。
7.如權利要求6所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述遮斷構件的所述環狀的內傾斜部和所述旋轉基座的上表面的外周端之間的徑向的距離,在從由所述旋轉卡盤保持的基板的上表面到所述遮斷構件的所述相向面的鉛垂方向的距離以上。
8.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
該基板處理裝置還具有:
下非活性氣體供給單元,從在所述旋轉基座的所述上表面開口的向上噴出口向上方噴出非活性氣體;
控制裝置,以在從所述遮斷構件的所述向下噴出口噴出非活性氣體的狀態下,從所述旋轉基座的所述向上噴出口噴出非活性氣體的方式,對所述上非活性氣體供給單元以及下非活性氣體供給單元進行控制。
9.如權利要求8所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述基板處理裝置還具有向所述多個卡盤銷上放置基板的搬送機械手,
所述控制裝置以在從所述旋轉基座的所述向上噴出口噴出非活性氣體的狀態下,將基板放置在所述多個卡盤銷上的方式,對所述搬送機械手以及下非活性氣體供給單元進行控制。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





