[發明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201510067673.3
• 申請日: 2015-02-09
• 公開（公告）號: CN104576659A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 白金超;郭總杰;丁向前;劉曉偉;劉耀
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/528;H01L21/77
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術

在當今薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)行業，窄邊框化是一種發展趨勢。為了實現窄邊框，就需要盡可能的壓縮像素區以外的外圍電路面積，其中最常用的手段就是采用陣列基板行驅動(Gate Driver On Array，GOA)技術，GOA技術是將柵極驅動做到陣列基板上，從而省掉柵極驅動集成電路部分。但是GOA單元會有大量的過孔和透明電極用于連接用柵極(Gate)層金屬形成的電路線和用源漏極(SD)層金屬形成的電路線，這就會占用大量的面積，影響薄膜晶體管液晶顯示器窄邊框的最小化。

現有技術制作得到的陣列基板如圖1所示，陣列基板包括襯底基板12，襯底基板12劃分為像素區11和外圍電路區10，襯底基板12上設置有柵極13和用柵極層金屬形成的電路線14，電路線14位于外圍電路區10，柵極13和電路線14上設置有柵極絕緣層15，柵極絕緣層15上設置有半導體有源層16，半導體有源層16上設置有像素電極17，像素電極17上設置有源極18、漏極19和用源漏電極層金屬形成的電路線110，漏極19與像素電極17電連接，電路線110位于外圍電路區10，源極18、漏極19和電路線110上設置有鈍化層111，鈍化層111上設置有公共電極112，公共電極112為透明電極，其中，在外圍電路區10中，當需要將電路線14和電路線110連接在一起傳輸信號時，現有技術與公共電極112同層制作的透明電極通過貫穿柵極絕緣層15和鈍化層111的過孔將電路線14和電路線110連接在一起。

綜上所述，現有技術陣列基板的外圍電路區中，連接用柵極層金屬形成的電路線和用源漏極層金屬形成的電路線時需要大量的過孔和透明電極，會占用外圍電路的大量面積，進而導致顯示面板外圍電路區域的寬度較大。

發明內容

本發明實施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，用以降低顯示面板外圍電路區域的寬度，實現窄邊框顯示。

本發明實施例提供的一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板劃分為像素區與外圍電路區，在所述像素區，包括依次位于所述襯底基板上的柵極、柵極絕緣層、半導體有源層、像素電極、源漏電極、鈍化層和公共電極；在所述外圍電路區，包括依次位于所述襯底基板上的用柵極層金屬形成的第一電路線、柵極絕緣層、用源漏電極層金屬形成的第二電路線和鈍化層，其中，所述第二電路線在所述襯底基板上的正投影區域與所述第一電路線在所述襯底基板上的正投影區域至少部分重疊，所述第二電路線通過貫穿所述柵極絕緣層的過孔直接與所述第一電路線電連接。

由本發明實施例提供的陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板劃分為像素區與外圍電路區，由于在所述外圍電路區，包括依次位于所述襯底基板上的用柵極層金屬形成的第一電路線、柵極絕緣層、用源漏電極層金屬形成的第二電路線和鈍化層，其中，所述第二電路線在所述襯底基板上的正投影區域與所述第一電路線在所述襯底基板上的正投影區域至少部分重疊，所述第二電路線通過貫穿所述柵極絕緣層的過孔直接與所述第一電路線電連接，與現有技術相比，可以有效的避免外圍電路用于連接用柵極層金屬形成的電路線和用源漏極層金屬形成的電路線的過孔和透明電極，從而減少了外圍電路的面積，降低了外圍電路區域的寬度，進而實現窄邊框顯示。

較佳地，所述第一電路線和所述第二電路線的材料相同。

這樣，在具體制作過程中更加方便、簡單。

較佳地，所述第一電路線和所述第二電路線的材料為銅，或鉬鋁鉬。

本發明實施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的陣列基板。

由于本發明實施例提供的顯示裝置包括上述的陣列基板，因此該顯示裝置可以實現窄邊框顯示。

本發明實施例還提供了一種陣列基板的制作方法，所述方法包括：

在襯底基板上依次制作柵極和第一電路線、柵極絕緣層、半導體有源層，其中，所述第一電路線為在外圍電路區用柵極層金屬形成的電路線；

在完成上述步驟的襯底基板上沉積一透明導電層，在所述透明導電層上涂覆光刻膠，使用掩膜板對所述光刻膠曝光、顯影，形成光刻膠完全去除區、光刻膠部分保留區以及光刻膠完全保留區；所述光刻膠完全保留區對應形成像素電極的區域，所述光刻膠完全去除區在所述襯底基板上的正投影區域與所述第一電路線在所述襯底基板上的正投影區域至少部分重疊；