[發明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201510067673.3
• 申請日: 2015-02-09
• 公開（公告）號: CN104576659A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 白金超;郭總杰;丁向前;劉曉偉;劉耀
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/528;H01L21/77
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板劃分為像素區與外圍電路區，在所述像素區，包括依次位于所述襯底基板上的柵極、柵極絕緣層、半導體有源層、像素電極、源漏電極、鈍化層和公共電極；在所述外圍電路區，包括依次位于所述襯底基板上的用柵極層金屬形成的第一電路線、柵極絕緣層、用源漏電極層金屬形成的第二電路線和鈍化層，其特征在于，所述第二電路線在所述襯底基板上的正投影區域與所述第一電路線在所述襯底基板上的正投影區域至少部分重疊，所述第二電路線通過貫穿所述柵極絕緣層的過孔直接與所述第一電路線電連接。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電路線和所述第二電路線的材料相同。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電路線和所述第二電路線的材料為銅，或鉬鋁鉬。

4.一種顯示裝置，其特征在于，所述裝置包括權利要求1-3任一權項所述的陣列基板。

5.一種如權利要求1-3任一權項所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在襯底基板上依次制作柵極和第一電路線、柵極絕緣層、半導體有源層，其中，所述第一電路線為在外圍電路區用柵極層金屬形成的電路線；

在完成上述步驟的襯底基板上沉積一透明導電層，在所述透明導電層上涂覆光刻膠，使用掩膜板對所述光刻膠曝光、顯影，形成光刻膠完全去除區、光刻膠部分保留區以及光刻膠完全保留區；所述光刻膠完全保留區對應形成像素電極的區域，所述光刻膠完全去除區在所述襯底基板上的正投影區域與所述第一電路線在所述襯底基板上的正投影區域至少部分重疊；

對光刻膠完全去除區、光刻膠部分保留區以及光刻膠完全保留區進行刻蝕，形成像素電極和過孔，所述過孔貫穿所述柵極絕緣層以至少暴露出部分所述第一電路線；

在完成上述步驟的襯底基板上依次制作源漏電極和第二電路線、鈍化層、公共電極，其中，第二電路線通過所述過孔直接與所述第一電路線電連接。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述掩膜板為半色調掩膜板或灰色調掩膜板。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，對光刻膠完全去除區、光刻膠部分保留區以及光刻膠完全保留區進行刻蝕，形成像素電極和過孔，所述過孔貫穿所述柵極絕緣層以至少暴露出部分所述第一電路線，具體包括：

通過第一次刻蝕，去除光刻膠完全去除區的透明導電層；

通過第二次刻蝕，形成過孔，并去除光刻膠部分保留區的光刻膠；所述過孔貫穿所述柵極絕緣層以至少暴露出部分所述第一電路線；

通過第三次刻蝕，去除暴露出的透明導電層；

去除光刻膠完全保留區的光刻膠，形成像素電極。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一次刻蝕采用濕法刻蝕。

9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二次刻蝕采用干法刻蝕。

10.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述第三次刻蝕采用濕法刻蝕。