[發明專利]晶片清洗裝置及晶片清洗方式

在審

• 申請號: 201510066846.X
• 申請日: 2009-12-24
• 公開（公告）號: CN104624545A
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發明（設計）人: 蔡新庭;余政宏;劉金光;李明星;莊瑋宏;童圭璋;呂彥逸;王進欽
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: B08B3/02
• 分類號: B08B3/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本申請是申請日為2009年12月24日、申請號為200910266338.0、發明名稱為“晶片清洗裝置及晶片清洗方式”的專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及一種晶片清洗裝置和清洗方式，尤其是涉及一種使用不同流速的清洗液來分別沖洗晶片中心和晶片外圍的清洗裝置和清洗方式。

背景技術

半導體裝置是由半導體晶片經歷數個處理操作而制得。這些操作包含有諸如摻雜植入、柵極氧化物產生、層間介電層形成、金屬化沉積、線路圖案化、蝕刻操作、化學機械化研磨(CMP)等等。通常在化學機械化研磨、蝕刻、或光致抗蝕劑顯影之后，晶片表面會有殘留物余留，如化學液體成分或是化學聚合物，因此，為了保持晶片表面的清潔，需要適當地對晶片施予洗凈處理。通常是利用液體噴灑裝置，使用一沖洗液體，如特定的洗凈液或是去離子水進行沖洗處理的程序，以移除停留在晶片上的化學液體成分或是化學聚合物，并且經由旋轉將晶片表面的殘留物和沖洗液體甩離晶片表面。

現有晶片清洗裝置包含有一殼體內含液體噴灑設備，一液體供給系統內含多個輸送線以及設于其下側的多個直線型噴嘴(straight?nozzle)，一驅動裝置用來帶動噴灑運動。然而，現有清洗裝置一面旋轉晶片且一面從直線型噴嘴供給清洗液以進行洗凈的方法中，會使位于外圍的晶片表面上的清洗液產生亂流，造成于晶片中心被洗凈去除的物質殘留在外圍的晶片表面上的問題，并且于晶片外圍產缺陷或是水痕。

因此導致該清洗制作工藝的效果大打折扣，勢必連帶影響到后續各項制作工藝的合格率，是以如何完全洗凈晶片，避免殘留物以及缺陷和水痕，實為一刻不容緩的重要課題。

發明內容

根據本發明的一較佳實施例，本發明提供一種晶片清洗裝置，包含：一平臺，用以承載一晶片，晶片具有一待洗表面、一第一噴嘴設于晶片的上方，前述的第一噴嘴與晶片的待洗表面之間具有一第一高度以及一第二噴嘴設于晶片的上方，第二噴嘴與晶片的待洗表面之間具有一第二高度，其中第一高度小于第二高度。

根據本發明的另一較佳實施例，本發明提供一種晶片清洗裝置，包含：一平臺，用以承載一晶片以及一噴嘴設于晶片的上方，前述的噴嘴包含多個開口，其中各該開口和前述的晶片的一待洗表面的距離隨著各該開口相對于晶片的位置而改變。

根據本發明的又一較佳實施例，本發明提供一種晶片清洗方式：首先提供一晶片包含一待洗表面和至少一噴嘴位于晶片上方，然后旋轉晶片，并且通過噴嘴噴灑一清洗液沖洗前述的待洗表面，噴嘴具有一噴灑參數，噴灑參數為噴嘴相對于晶片的位置的函數。

根據本發明的再一較佳實施例，本發明提供一種晶片清洗方式：一種晶片清洗方式：首先，提供一晶片包含一待洗表面和一噴嘴包含多個開口位于晶片上方以及旋轉晶片，并且通過各該開口各噴灑一清洗液沖洗待洗表面，各該開口各具有一噴灑參數，噴灑參數為各該開口相對于該晶片的位置的函數。

本發明的特點在于噴嘴具有一噴灑參數，此噴灑參數為噴嘴相對于晶片的位置的函數或是噴嘴上的開口相對于晶片的位置的函數，舉例而言，當噴嘴在水平方向的位置不同時，由各個噴嘴噴出的清洗液的流速、清洗液的種類、清洗液和氣體混合的比例和清洗液的濃度其中之一會不相同。例如，當晶片進入清洗時，晶片中心和晶片邊緣所接受到噴嘴噴出清洗液，其流速不同，則清洗液在沖洗殘留物之后，可較順利地連同殘留物一起離開晶片表面。

附圖說明

圖1為本發明的第一較佳實施例繪示的晶片清洗裝置；

第圖2a、圖2b、圖3a、圖3b為晶片旋轉方向及清洗液沖洗方式的上視圖；

圖4為本發明的第二較佳實施例繪示的晶片清洗裝置；

圖5為本發明的第二實施例的變化型示意圖。

主要元件符號說明

10、100?晶片清洗裝置????????????????????12、112?殼體

14、114?內艙????????????????????????????16、116?平臺

18、118?晶片????????????????????????????20、120?待洗表面

22??????第一輸送管??????????????????????24?第一噴嘴

26??????第二輸送管??????????????????????28?第二噴嘴

30??????第一清洗液??????????????????????32?第二清洗液