[發(fā)明專利]晶片清洗裝置及晶片清洗方式在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510066846.X | 申請(qǐng)日： | 2009-12-24 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN104624545A | 公開(kāi)（公告）日： | 2015-05-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 蔡新庭;余政宏;劉金光;李明星;莊瑋宏;童圭璋;呂彥逸;王進(jìn)欽 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 聯(lián)華電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | B08B3/02 | 分類號(hào)： | B08B3/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶片 清洗 裝置 方式 | ||
1.一種晶片清洗方式，包含：
提供一晶片，其包含待洗表面和至少一噴嘴位于該晶片上方；
旋轉(zhuǎn)該晶片，并且通過(guò)該噴嘴噴灑一清洗液沖洗該待洗表面，該噴嘴具有噴灑參數(shù)，該噴灑參數(shù)為該噴嘴在水平方向相對(duì)于晶片的位置的函數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片清洗方式，其中該清洗液在噴灑之前，至少和一氣體混合。
3.如權(quán)利要求2所述的晶片清洗方式，其中該噴灑參數(shù)選自下列群組：該噴嘴和該待洗表面之間的距離、該清洗液的流速、該清洗液的種類、該清洗液和該氣體混合的比例和該清洗液的濃度。
4.如權(quán)利要求1所述的晶片清洗方式，其中該晶片清洗方式是在化學(xué)機(jī)械研磨制作工藝后、蝕刻制作工藝后的表面或光致抗蝕劑顯影制作工藝之后進(jìn)行。
5.一種晶片清洗方式，包含：
提供一晶片包含待洗表面和噴嘴，該噴嘴包含多個(gè)開(kāi)口位于該晶片上方；以及
旋轉(zhuǎn)該晶片，并且通過(guò)各該開(kāi)口各噴灑一清洗液沖洗該待洗表面，各該開(kāi)口各具有噴灑參數(shù)，該噴灑參數(shù)為各該開(kāi)口在水平方向相對(duì)于該晶片的位置的函數(shù)。
6.如權(quán)利要求5所述的晶片清洗方式，其中該清洗液在噴灑之前，至少和一氣體混合。
7.如權(quán)利要求6所述的晶片清洗方式，其中該噴灑參數(shù)選自下列群組：各該開(kāi)口和該待洗表面之間的距離、該清洗液的流速、該清洗液的種類、該清洗液和該氣體混合的比例和該清洗液的濃度。
8.如權(quán)利要求5所述的晶片清洗方式，其中該晶片清洗方式是在化學(xué)機(jī)械研磨制作工藝后、蝕刻制作工藝后的表面或光致抗蝕劑顯影制作工藝之后進(jìn)行。
9.如權(quán)利要求5所述的晶片清洗方式，其中該清洗液由各該開(kāi)口噴出時(shí)，各形成一噴灑面積共同覆蓋該晶片的直徑。
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