[發明專利]一種晶體硅生長裝置

在審

• 申請號: 201510065833.0
• 申請日: 2015-02-09
• 公開（公告）號: CN104630886A
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發明（設計）人: 陳坤助;李圣琦;林彥廷;張立峰
• 申請（專利權）人: 洛陽巨子新能源科技有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B35/00
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

1.一種晶體硅生長裝置，包括有固定底座、保溫外桶、保溫內桶、中軸托桿、加熱電極、加熱器和水冷裝置，其特征在于：所述的保溫外桶的上端口內側面上設置有卡環，所述的水冷裝置卡放于卡環上，所述的保溫內桶設置于保溫外桶內部，所述的保溫內桶與保溫外桶之間填裝有石墨氈層，所述的保溫內桶內部設置有隔熱層，所述的隔熱層與保溫內桶之間設置有一定的間隔距離，所述的保溫外桶側壁上設置有抽空孔，所述的抽空孔連通隔熱層并與內部連通，且連通保溫外桶并與外界連通，所述的加熱器設置于隔熱層內部，所述的加熱器內側面最下邊緣位置以加熱器中心線為基準線左右對稱設置有兩個固定耳，所述的固定耳上設置有電極固定孔，所述的加熱器內側面上設置有導熱層，所述的加熱電極固定在固定耳上設置的電極固定孔上，所述的中軸托桿設置于固定底座中心位置，所述的中心托桿上端設置有堝托，所述的堝托上設置有坩堝。

2.根據權利要求1所述的一種晶體硅生長裝置，其特征在于：所述的水冷裝置為盤管式水循環水冷裝置。

3.根據權利要求1所述的一種晶體硅生長裝置，其特征在于：所述的固定底座為三層石墨層。

4.根據權利要求1所述的一種晶體硅生長裝置，其特征在于：所述的抽空孔設置有兩個。

5.根據權利要求1所述的一種晶體硅生長裝置，其特征在于：所述的隔熱層為蜂巢狀隔熱層。

6.根據權利要求1所述的一種晶體硅生長裝置，其特征在于：所述的導熱層為鋁制網狀層。

7.根據權利要求1所述的一種晶體硅生長裝置，其特征在于：所述的導熱層通過螺釘固定的方式安裝在加熱器內側壁上。

8.根據權利要求1所述的一種晶體硅生長裝置，其特征在于：所述的加熱器側壁上設置有至少4個導流孔。

9.根據權利要求1所述的一種晶體硅生長裝置，其特征在于：所述的加熱器及隔熱層均為圓柱形桶狀結構。