[發明專利]一種晶體硅生長裝置在審
| 申請號: | 201510065833.0 | 申請日: | 2015-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN104630886A | 公開(公告)日: | 2015-05-20 |
| 發明(設計)人: | 陳坤助;李圣琦;林彥廷;張立峰 | 申請(專利權)人: | 洛陽巨子新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | C30B29/06 | 分類號: | C30B29/06;C30B35/00 |
| 代理公司: | 無 | 代理人: | 無 |
| 地址: | 471000 河南省洛陽*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶體 生長 裝置 | ||
技術領域
本發明屬于無機材料生產領域,具體涉及一種晶體硅生長裝置。
背景技術
在現有技術中對于晶體硅生長裝置的改造涉及較多,主要是為了保證內部晶體硅的生長均勻,能夠生長出質量較好的晶體形態,而能夠較大影響其生長質量問題的一大因素便是內部溫度的控制,現有技術中對熱場內部的溫度控制精度交差,其溫度的上升與下降受環境影響較大,從而導致內部溫度變化較為劇烈,而晶體硅生長需要的條件也比較苛刻,所以較為劇烈的溫度變化很容易對晶體硅整體生長造成不利影響,另一方面經過長期研究,固定底座對導熱影響也較大,所以固定底座的阻熱也是一個需要改進的方向。
晶體生長裝置中加熱器屬于熱場的供熱元件,在長晶裝置中是必不可少的基礎構件,現有技術中所采用的加熱器種類也比較多,具體有盤繞式加熱絲、桶狀加熱片和矩形加熱片,但是由于加熱電極只能從加熱器的一端接入,所以根據加熱器采用的不同材料會導致加熱器前期受熱不均勻,長期的受熱不均會導致加熱器局部之間產生差異,而晶體生長比較注重整體成型,所以局部結構的差異會導致內部溫度隨之產生差異,最終導致晶體生長形態不均勻,對生產的產品整體質量造成較大的影響,所以現有技術中對加熱器還需要做進一步的改造,從而達到晶體形態生長均勻的目的。
發明內容
本發明的目的在于克服現有技術的不足,而提供一種結構簡單、熱量散發穩定、熱量流動均勻的晶體硅生長裝置。
本發明的目的是這樣實現的:一種晶體硅生長裝置,包括有固定底座、保溫外桶、保溫內桶、中軸托桿、加熱電極、加熱器和水冷裝置,所述的保溫外桶的上端口內側面上設置有卡環,所述的水冷裝置卡放于卡環上,所述的保溫內桶設置于保溫外桶內部,所述的保溫內桶與保溫外桶之間填裝有石墨氈層,所述的保溫內桶內部設置有隔熱層,所述的隔熱層與保溫內桶之間設置有一定的間隔距離,所述的保溫外桶側壁上設置有抽空孔,所述的抽空孔連通隔熱層并與內部連通,且連通保溫外桶并與外界連通,所述的加熱器設置于隔熱層內部,所述的加熱器內側面最下邊緣位置以加熱器中心線為基準線左右對稱設置有兩個固定耳,所述的固定耳上設置有電極固定孔,所述的加熱器內側面上設置有導熱層,所述的加熱電極固定在固定耳上設置的電極固定孔上,所述的中軸托桿設置于固定底座中心位置,所述的中軸托桿上端設置有堝托,所述的堝托上設置有坩堝。
所述的水冷裝置為盤管式水循環水冷裝置。
所述的固定底座為三層石墨層。
所述的抽空孔設置有兩個。
所述的隔熱層為蜂巢狀隔熱層。
所述的導熱層為鋁制網狀層。
所述的導熱層通過螺釘固定的方式安裝在加熱器內側壁上。
所述的加熱器側壁上設置有至少4個導流孔。
所述的加熱器及隔熱層均為圓柱形桶狀結構。
本發明所產生的有益效果是:在保溫外桶的上端口內側面上設置有卡環,可以提供較好的水冷裝置限位固定位置,設置的保溫內桶與保溫外桶起到保溫作用,在保溫內桶與保溫外桶之間填裝的石墨氈層具有較好的耐高溫特性,使其整體在受熱時更加穩定,在保溫內桶內部設置的隔熱層具有較好的隔熱效果,隔熱層與保溫內桶之間保持一定的距離,使中間形成真空狀態,具有較好的隔熱效果,其中將隔熱層設置為蜂巢狀隔熱層,使其局部構造更加復雜,具有較好的圈熱效果,能夠是熱量的散發更加緩慢均勻,便于內部晶體的成型;在保溫外桶底部設置的抽空孔提供空氣抽濾位置,使其對內部的空氣抽濾更加方便;
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