[發(fā)明專利]氧化鐵多孔納米棒陣列電極材料及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510065512.0 | 申請日: | 2015-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN105990560B | 公開(公告)日: | 2018-04-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 齊利民;陳帥;信躍龍;周恒輝 | 申請(專利權(quán))人: | 北京大學(xué) |
| 主分類號: | H01M4/04 | 分類號: | H01M4/04;H01M4/1391;H01M4/131;H01M4/52;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 北京萬象新悅知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11360 | 代理人: | 李稚婷 |
| 地址: | 100871*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氧化鐵 多孔 納米 陣列 電極 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種氧化鐵多孔納米棒陣列的制備方法,包括以下步驟:
1)將導(dǎo)電基底浸入含有Fe3+和SO42-的醋酸水溶液中,170~190℃水熱反應(yīng)18小時以上,在導(dǎo)電基底上生長出氧化鐵納米陣列薄膜,然后自然冷卻、清洗、晾干,其中所述溶液中醋酸含量在20%~30%v/v,F(xiàn)e3+的濃度為0.005~0.02mol/L,SO42-的濃度為0.4~0.7mol/L;
2)將步驟1)制備的氧化鐵納米陣列薄膜及其導(dǎo)電基底置于酸溶液中刻蝕,擴大氧化鐵納米陣列中的孔道,所述酸溶液為含有草酸和FeSO4的溶液,其中草酸濃度在0.5mol/L以上,F(xiàn)eSO4濃度為0~200μmol/L,刻蝕反應(yīng)溫度為15~30℃;然后洗凈,晾干,得到氧化鐵多孔納米棒陣列;
3)將氧化鐵多孔納米棒陣列在400~500℃下煅燒20~60分鐘。
2.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟1)中所述導(dǎo)電基底是鈦片。
3.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,在步驟1)中所述含有Fe3+和SO42-的醋酸水溶液是將Fe2(SO4)3固體和Na2SO4或K2SO4固體溶解在水中,再加入冰醋酸混勻得到。
4.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟1)中所述氧化鐵納米陣列薄膜生長好并自然冷卻后,用去離子水和乙醇洗凈,晾干備用。
5.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟2)酸刻蝕去除50%~70%的氧化鐵。
6.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟2)將生長了氧化鐵納米陣列的導(dǎo)電基底置于含1mol/L草酸和100μmol/L FeSO4的溶液中,26℃下靜置1.5小時,刻蝕完成后,用水清洗并晾干。
7.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟3)在馬弗爐中400~450℃下煅燒20~40分鐘。
8.一種氧化鐵多孔納米棒陣列材料,是通過權(quán)利要求1~7任意一項所述的制備方法制備得到的導(dǎo)電基底上的氧化鐵多孔納米棒陣列薄膜,薄膜的厚度為200~400nm,內(nèi)部的多孔納米棒直徑在80~150nm之間,孔道直徑為10~30nm。
9.權(quán)利要求8所述氧化鐵多孔納米棒陣列材料用作鋰離子電池負極材料的用途。
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