[發(fā)明專利]一種OLED像素單元、OLED顯示面板及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510064154.1 | 申請日: | 2015-02-06 |
| 公開(公告)號: | CN104617130A | 公開(公告)日: | 2015-05-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吳長晏;辛龍寶;林俊杰;上官榮剛 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 oled 像素 單元 顯示 面板 顯示裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光領(lǐng)域,尤其涉及一種OLED像素單元、OLED顯示面板及顯示裝置。
背景技術(shù)
有機電致發(fā)光顯示裝置(Organic?Light-Emitting?Device,簡稱OLED)相對于液晶顯示裝置具有自發(fā)光、反應(yīng)快、亮度高、輕薄等諸多優(yōu)點,被認(rèn)為是下一代主流顯示技術(shù)。
OLED顯示裝置包括陣列排布的多個像素單元,每個像素單元包括有紅、綠、藍(lán)三種顏色的子像素單元(簡稱為R/G/B子像素單元)。其中,如圖1所示,任一個子像素單元具體包括陽極層10、空穴傳輸層50、可發(fā)出紅光/綠光/藍(lán)光的發(fā)光層30、電子傳輸層60以及陰極層20。
目前,OLED顯示裝置中的R/G/B子像素單元通常采用像素并置法(Side?by?Side)的排列方式,在制備各子像素單元時主要是采用FMM(Fine?Metal?Mask,高精度金屬掩膜)技術(shù),利用掩膜板遮擋區(qū)域的屏蔽作用將R/G/B子像素單元中的兩種子像素單元(如R子像素單元和G子像素單元)遮擋住,通過蒸鍍或噴墨打印的方法沉積對應(yīng)于另一種顏色的子像素單元(如B子像素單元)的發(fā)光層(Emitting?Layer,簡稱為EML)的主體材料。
其中,顯示裝置的重要參數(shù)之一PPI(Pixels?Per?Inch,分辨率)與R/G/B子像素單元的大小有直接關(guān)系,而R/G/B子像素單元的大小取決于掩膜板的開口大小。隨著顯示裝置PPI的要求逐漸提高,單個R/G/B子像素單元的大小也隨之減小,相應(yīng)地要求掩膜板的開口也較小。然而,掩膜板的開口變得更小后,不但會造成掩膜板的制作工藝(主要是刻蝕和焊接工藝)、成本以及清洗難度顯著增加,更會造成掩膜時的對位精度下降,導(dǎo)致制備出的R/G/B子像素單元混色現(xiàn)象嚴(yán)重,生產(chǎn)良率降低。因此,受制于FMM制作工藝的諸多限制,掩膜板的開口不能任意變形,這就使得高PPI的OLED顯示裝置難以實現(xiàn)。
在不減小FMM開口大小的前提下,為了提高OLED顯示裝置的PPI,現(xiàn)有技術(shù)主要是通過以下兩種像素單元的設(shè)計方式實現(xiàn)的:
設(shè)計方式一:如圖2a所示,同時制作對應(yīng)于兩種顏色的子像素(如R子像素單元和G子像素單元)的發(fā)光層(圖中標(biāo)注為EML1+EML2),再通過R子像素單元與G子像素單元不同厚度的ITO陽極層10,以微腔效應(yīng)萃取出其中一種顏色,之后再制作對應(yīng)于第三種顏色的子像素(如B子像素單元)的發(fā)光層(圖中標(biāo)注為EML3)時,通過B子像素單元與R、G子像素單元不同厚度的ITO陽極層10,可以在整個像素單元內(nèi)都形成第三種顏色的發(fā)光層EML3。
然而,采用上述設(shè)計方式獲得的OLED顯示裝置,當(dāng)觀看者視角變換時,RGB混色問題非常嚴(yán)重,使得制備出的顯示裝置實際使用價值非常低;并且,由于R子像素單元和G子像素單元的發(fā)光層是同時制作的,最終從R子像素單元和G子像素單元發(fā)出的紅光和綠光的發(fā)光效率也會有所損失。
設(shè)計方式二、如圖2b所示,采用開口較大的FMM(例如參考圖中所示的開口對應(yīng)于4個B子像素單元),同時形成不同像素單元01中具有相同顏色子像素(如B子像素)的發(fā)光層(圖中標(biāo)注為B)。
然而,采用上述設(shè)計方式會造成R/G/B子像素排列順序不一致,導(dǎo)致OLED顯示裝置顯示圖像時,產(chǎn)生線條不連續(xù)的鋸齒圖像,降低了顯示品質(zhì)。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于此,為解決現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的實施例提供一種OLED像素單元、OLED顯示面板及顯示裝置,可在相同F(xiàn)MM開口精度的條件下,顯著提高OLED顯示裝置的PPI,且克服了現(xiàn)有技術(shù)中混色、發(fā)光效率低、圖像顯示品質(zhì)差等缺陷。此外,本發(fā)明實施例提供的OLED像素單元還可以應(yīng)用子像素渲染算法,進一步提高OLED顯示裝置的顯示品質(zhì)。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案:
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于京東方科技集團股份有限公司,未經(jīng)京東方科技集團股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510064154.1/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





