[發明專利]一種OLED像素單元、OLED顯示面板及顯示裝置在審
| 申請號： | 201510064154.1 | 申請日： | 2015-02-06 |
| 公開（公告）號： | CN104617130A | 公開（公告）日： | 2015-05-13 |
| 發明（設計）人： | 吳長晏;辛龍寶;林俊杰;上官榮剛 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 oled 像素 單元 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種OLED像素單元，包括相對設置的陽極層與陰極層；其特征在于，所述陽極層與所述陰極層相對的區域包括依次排列的第一子像素區域、第二子像素區域、第三子像素區域以及第四子像素區域；依次遠離所述陽極層或所述陰極層設置有：
至少覆蓋所述第一子像素區域與所述第四子像素區域的第一發光層；
覆蓋除所述第一子像素區域外的電荷阻擋層；
覆蓋除所述第三子像素區域外的第二發光層；
至少覆蓋包括所述第三子像素區域在內的相鄰兩個子像素區域的第三發光層；
其中，針對所述第一發光層、所述電荷阻擋層、所述第二發光層以及所述第三發光層依次遠離所述陽極層設置的情況，所述電荷阻擋層的主體材料、所述第三發光層的主體材料、所述第二發光層的主體材料以及所述第一發光層的主體材料的最低未占軌道LUMO能級依次降低；
針對所述第一發光層、所述電荷阻擋層、所述第二發光層以及所述第三發光層依次遠離所述陰極層設置的情況，所述電荷阻擋層的主體材料、所述第三發光層的主體材料、所述第二發光層的主體材料以及所述第一發光層的主體材料的最高已占軌道HOMO能級依次升高。
2.根據權利要求1所述的OLED像素單元，其特征在于，所述第一發光層、所述電荷阻擋層、所述第二發光層以及所述第三發光層依次遠離所述陽極層設置；
其中，所述第一發光層覆蓋四個子像素區域；
所述第三發光層覆蓋所述第二子像素區域與所述第三子像素區域；或者，所述第三發光層覆蓋除所述第一子像素區域之外的區域。
3.根據權利要求1所述的OLED像素單元，其特征在于，所述第一發光層、所述電荷阻擋層、所述第二發光層以及所述第三發光層依次遠離所述陽極層；
其中，所述第一發光層覆蓋所述第一子像素區域與所述第四子像素區域；
所述第三發光層覆蓋所述第二子像素區域與所述第三子像素區域。
4.根據權利要求1所述的OLED像素單元，其特征在于，所述第一發光層、所述電荷阻擋層、所述第二發光層以及所述第三發光層依次遠離所述陰極層設置；
其中，所述第一發光層覆蓋四個子像素區域；
所述第三發光層覆蓋所述第二子像素區域與所述第三子像素區域；或者，所述第三發光層覆蓋除所述第一子像素區域之外的區域。
5.根據權利要求1所述的OLED像素單元，其特征在于，所述第一發光層、所述電荷阻擋層、所述第二發光層以及所述第三發光層依次遠離所述陰極層設置；
其中，所述第一發光層覆蓋所述第一子像素區域與所述第四子像素區域；
所述第三發光層覆蓋所述第二子像素區域與所述第三子像素區域。
6.根據權利要求1至5任一項所述的OLED像素單元，其特征在于，所述OLED像素單元還包括：空穴傳輸層和/或電子傳輸層；
其中，針對所述第一發光層、所述電荷阻擋層、所述第二發光層以及所述第三發光層依次遠離所述陽極層設置的情況，所述空穴傳輸層位于所述陽極層與所述第一發光層之間；和/或，所述電子傳輸層位于所述第三發光層與所述陰極層之間；
針對所述第一發光層、所述電荷阻擋層、所述第二發光層以及所述第三發光層依次遠離所述陰極層設置的情況，所述空穴傳輸層位于所述陽極層與所述第三發光層之間；和/或，所述電子傳輸層位于所述第一發光層與所述陰極層之間。
7.根據權利要求1至5任一項所述的OLED像素單元，其特征在于，所述第一發光層、所述第二發光層以及所述第三發光層共發出三種顏色的光，且所述三種顏色包括紅色、綠色以及藍色。
8.根據權利要求1至5任一項所述的OLED像素單元，其特征在于，所述陽極層采用透明導電材料；所述陰極層采用金屬材料。
9.一種OLED顯示面板，其特征在于，包括如權利要求1至8任一項所述的OLED像素單元。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求9所述的OLED顯示面板。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
