[發明專利]導線架結構、四方平面無引腳封裝及形成導線架結構方法

有效

• 申請號: 201510063591.1
• 申請日: 2015-02-06
• 公開（公告）號: CN104835799B
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發明（設計）人: 林殿方
• 申請（專利權）人: 東琳精密股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L21/60
• 代理公司: 北京匯信合知識產權代理有限公司 11335
• 代理人: 翟國明

用于四方平面無引腳(quad flat no?lead,QFN)封裝的導線架結構包括一基座，多個端點以及一第一金屬層。該基座具有一中心區域用以承載一半導體芯片，以及一外圍區域圍繞該中心區域。該多個端點是環繞該基座設置。該第一金屬層具有一第一部分形成于該基座的外圍區域上，以及一第二部分形成于該多個端點上。其中該基座及該多個端點是由一沖壓工藝所形成，且該第一金屬層是在該沖壓工藝之前由一鍍膜工藝所形成。

技術領域

本發明相關于一種導線架結構，尤指一種用于四方平面無引腳封裝的導線架結構。

背景技術

請參考圖1，圖1是公知形成導線架結構的方法的流程圖100。如圖1所示，一導線架的各個元件首先在步驟110中形成。在步驟120中，對導線架的部分區域進行半蝕刻，以減少部分區域的厚度。之后，在步驟130中，一金屬層被鍍膜于導線架上以加強電性連接。

請參考圖2，并一并參考圖1。圖2是公知導線架結構20的剖面圖。如圖2所示，由于金屬層230是在形成導線架200的元件210、220后被鍍膜于導線架200上，部分殘留金屬材料240有可能會存在于導線架200的元件210、220的側壁上，造成封裝材料容易隨著殘留金屬材料240從導線架200的金屬層230剝離，使得濕氣容易從剝離部分的縫隙入侵至封裝中，進而降低電性可靠度。因此，在導線架結構20被封裝之后，導線架結構20會因殘留金屬材料240而無法穩固地和封裝材料接合。由此可得知，當公知導線架結構20應用于四方平面無引腳封裝時具有較差的封裝品質和可靠度。

發明內容

本發明提供一種導線架結構，適用于四方平面無引腳封裝，包括一基座，多個端點以及一第一金屬層。該基座具有一中心區域用以承載一半導體芯片，以及一外圍區域圍繞該中心區域。該多個端點是環繞該基座設置。該第一金屬層具有一第一部分形成于該基座的外圍區域上，以及一第二部分形成于該多個端點上。其中該基座及該多個端點是由一沖壓工藝所形成，且該第一金屬層是在該沖壓工藝之前由一鍍膜工藝所形成。另包括：多個連接條，設置于該基座及該多個端點之間；以及其中該第一金屬層，另具有一第三部分形成于該多個連接條上。另包括：多個凸塊，其高度高于該基座及該多個端點，用以支撐一封裝模具。該第一金屬層的第一部分是連續地形成于該外圍區域上以環繞該中心區域。該第一金屬層的第一部分是不連續地形成于該外圍區域上以環繞該中心區域。

本發明另提供一種四方平面無引腳封裝，包括一導線架結構，一半導體芯片以及一封裝單元。該導線架結構包括一基座，多個端點以及一第一金屬層。該基座具有一中心區域用以承載一半導體芯片，以及一外圍區域圍繞該中心區域。該多個端點是環繞該基座設置。該第一金屬層具有一第一部分形成于該基座的外圍區域上，以及一第二部分形成于該多個端點上。該半導體芯片是通過一貼附層接合于該基座的中心區域，且電連接于該第一金屬層的第一部分及該第一金屬層的第二部分。該封裝單元是用以封裝該半導體芯片。其中該基座及該多個端點是由一沖壓工藝所形成，且該第一金屬層是在該沖壓工藝之前由一鍍膜工藝所形成。該封裝單元的下表面是對齊于該導線架結構的背面。該導線架結構另包括：多個連接條，設置于該基座及該多個端點之間；以及其中該第一金屬層，另具有一第三部分形成于該多個連接條上。該導線架結構另包括：多個凸塊，其高度高于該基座及該多個端點，用以支撐一封裝模具；其中該封裝單元的上表面是對齊于該多個凸塊的上表面。另包括：一第二金屬層，用以覆蓋該基座的背面，且覆蓋該多個端點的背面及側壁。本發明另提供一種形成導線架結構的方法，包括提供一金屬板；于該金屬板的正面形成一圖案化金屬層；以及于形成該圖案化金屬層后，沖壓該金屬板以形成一基座和多個端點；其中該基座形成有一中心區域用以承載一半導體芯片，以及一外圍區域圍繞該中心區域，且該多個端點是形成于該基座周圍；以及其中該圖案化金屬層具有一第一部分形成于該基座的外圍區域上，以及一第二部分形成于該多個端點上。于沖壓該金屬板之前，對該金屬板的背面進行半蝕刻。多個連接條是于沖壓該金屬板時進一步形成，并設置于該基座及該多個端點之間，且該圖案化金屬層另具有一第三部分形成于該多個連接條上。本發明的有益效果為：