[發明專利]復合電路元件的布局有效
| 申請號: | 201510062364.7 | 申請日: | 2015-02-06 |
| 公開(公告)號: | CN104835815B | 公開(公告)日: | 2019-04-16 |
| 發明(設計)人: | F·普切爾;C·G·萊登 | 申請(專利權)人: | 亞德諾半導體集團 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
| 地址: | 百慕大群島(*** | 國省代碼: | 百慕大群島;BM |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 復合 電路 元件 布局 | ||
本發明涉及復合電路元件的布局。公開了比例電平電路元件(諸如,晶體管)的物理布局。這些布局可以在存在施加到集成電路(諸如,封裝在塑料中的集成電路)的機械應力的情況下保持比例電平電路元件相對于彼此的電氣特性。比例電平電路元件可以包括由第一組和第二組電路元件形成的第一和第二復合電路元件,所述第一組和第二組電路元件分別圍繞中心點設置。第一組電路元件可以布置在柵格上,以及第二組電路元件可以包括與中心點間隔距離近似相等的四個電路元件。第二組中的每個電路元件可在至少一個維度上是離開柵格的。在一些實施例中,第一和第二組電路元件可以被布置成圍繞虛擬電路元件的周邊。
相關申請的交叉引用
本申請是在美國的35U.S.C.§119(e)于2014年2月7日提交的、標題為“LAYOUT OFCOMPOSITE CIRCUIT ELEMENTS”的臨時申請61/937,094并請求其權益,其全部公開內容通過引用并入本文。
技術領域
所公開的技術涉及到電子,并且更具體地,涉及在集成電路上的電路元件的物理布局。
背景技術
集成電路可以被封裝在模塑化合物(諸如,塑料)中。顯著應力可通過集成電路的封裝被施加到集成電路的電子電路。該應力可由于例如溫度和/或濕度發生變化。因此,校準以除去封裝后的誤差可無法充分補償由于電子電路的工作條件導致的應力。施加到電子電路的應力可影響電氣特性和/或電子電路的性能。但是,用于補償由集成電路的封裝應用于電子電路的機械應力的之前嘗試并沒有完全補償這種應力。
因此,有必要在存在施加到集成電路的應力的情況下改進電子電路的性能。
發明內容
本公開的一個方面是一種裝置,包括:在集成電路上的第一組電路元件,和在同一集成電路上的第二組電路元件。第一組電路元件被布置在圍繞中心點的二維柵格。第一組電路元件被配置為用作具有第一區域的第一復合電路元件。第二組電路元件被布置圍繞同一中心點。第二組電路元件被配置為具有第二區域的第二復合電路元件。所述第二組電路元件包括從中心點間隔近似相同距離的四個電路元件。第二組電路元件中的四個電路元件的每個在至少一個維度是離開柵格的。在包括第一組電路元件和第二組電路元件的相同集成電路上的電路被配置成基于所述第一區域到所述第二區域的比率操作,其中,第一區域比第二區域至少大2倍。
本公開的另一個方面是在單個集成電路上包括晶體管結構的裝置。晶體管的裝置包括第一組晶體管、第二組晶體管和一個或多個虛設晶體管。第一組晶體管被布置成圍繞中心點并配置為用作具有第一區域的第一復合晶體管。第二組晶體管布置圍繞同一中心點并配置為用作具有第二區域的第二復合晶體管。第一區域至少兩倍于第二區域。第一和第二組晶體管被布置成圍繞所述一個或多個虛設晶體管的整個周邊。
但本公開的另一個方面是一種形成集成電路的方法。該方法包括:在布置圍繞中心點的集成電路上形成第一組晶體管,其中第一組晶體管被配置為用作具有第一區域的第一復合晶體管。該方法進一步包括:在圍繞同一中心點電路布置的相同集成電路上形成第二組晶體管,其中第二組的四個晶體管近似與中心點的距離相同。第二組晶體管被配置為用作具有第二區域的第二復合晶體管,并且所述第一區域至少近似比所述第二區域大2倍。該方法進一步包括:在同一集成電路上的交叉圖案中形成虛設晶體管。圍繞虛設晶體管的周邊形成第一和第二組晶體管,以及虛設晶體管中的一個被布置在第一和第二組晶體管的排列的中心點上。
為了總結本發明,已在本文中描述發明的某些方面、優點和的新穎性特征。但是應該理解,不一定所有這些優點可以按照任何本發明的特定實施例來實現。因此,本發明可以實現或優化本文所教導一個優點或一組優點的方式實施或執行,而不一定實現如本文可教導或所建議的其他優點。
附圖說明
圖1是集成電路封裝的一部分的示意性側剖視圖,其中,成型材料向集成電路管芯適用空間上改變的力。
圖2是示例性帶隙基準電路的示意圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





