[發明專利]一種陣列基板的制作方法、顯示基板及顯示裝置在審
| 申請號: | 201510061122.6 | 申請日: | 2015-02-05 |
| 公開(公告)號: | CN104617040A | 公開(公告)日: | 2015-05-13 |
| 發明(設計)人: | 崔承鎮;金熙哲;崔賢植 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 制作方法 顯示 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板的制作方法、顯示基板及顯示裝置。
背景技術
目前,液晶顯示技術被廣泛應用于電視、手機以及公共信息的顯示,用于顯示畫面的液晶顯示面板主要包括驅動顯示面板顯示畫面的陣列基板,和用于實現彩色顯示的彩膜基板,以及填充于陣列基板與彩膜基板之間的液晶,其中,陣列基板為多膜層結構,以高開口率高級超維場轉換(High?Advanced?Super?Dimension?Switch,HADS)模式液晶顯示面板為例,其陣列基板的結構主要包括:柵線、有源層、源漏電極、像素電極、鈍化層和公共電極;而在制作上述陣列基板時,通常采用樹脂工藝制作鈍化層,這樣可以減小源漏電極與像素電極之間的電容,進而減小源漏電極的RC延遲,從而減小顯示面板的功耗。因此,在陣列基板的具體制作過程中,需要對柵極、有源層、源漏極、像素電極、樹脂層和公共電極依次進行構圖工藝,因此至少需要六次掩模工藝來完成陣列基板的制作,這樣的制作方式,成本較高,工藝較復雜。
因此,如何減少陣列基板制作過程中的掩膜次數,進而簡化陣列基板的制作工藝,從而降低陣列基板的生產成本,是本領域技術人員亟待解決的問題。
發明內容
本發明實施例提供了一種陣列基板的制作方法、顯示基板及顯示裝置,用以解決現有技術中存在的陣列基板的制作過程中使用的掩膜次數較多,造成陣列基板的制作工藝較復雜的問題。
本發明實施例提供了一種陣列基板的制作方法,包括:
在襯底基板上形成包括有源層和源漏電極的圖案;
通過一次構圖工藝形成第一透明電極和鈍化層的圖案;
對形成有鈍化層圖案的襯底基板進行處理,使鈍化層的材料至少部分填充于第一透明電極圖案中的縫隙處。
在一種可能的實施方式中,本發明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中,所述通過一次構圖工藝形成第一透明電極和鈍化層的圖案,包括:
依次形成透明導電層膜層和鈍化層膜層;對所述鈍化層膜層進行構圖工藝,形成所述鈍化層圖案;
以形成的鈍化層圖案為掩膜板對所述透明導電層膜層進行構圖工藝,形成第一透明電極的圖案。
在一種可能的實施方式中,本發明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中,所述對形成有鈍化層圖案的襯底基板進行處理,包括:
對形成有鈍化層圖案的襯底基板進行退火處理。
在一種可能的實施方式中,本發明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中,所述鈍化層的材料為樹脂材料。
在一種可能的實施方式中,本發明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中,所述對形成有鈍化層圖案的襯底基板進行退火處理,包括:
將形成有鈍化層圖案的襯底基板在溫度為200℃~250℃的環境中進行加熱處理。
在一種可能的實施方式中,本發明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中,所述鈍化層圖案的厚度為0.5μm~1μm,所述加熱處理的時長為20分鐘~60分鐘。
在一種可能的實施方式中,本發明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中,還包括:
在對形成有鈍化層圖案的襯底基板進行處理之后的襯底基板上,形成第二透明電極的圖案。
在一種可能的實施方式中,本發明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中,所述在襯底基板上形成有源層和源漏極的圖案,包括:
在襯底基板上依次形成有源層膜層和源漏電極層膜層;
采用一掩膜板對所述有源層膜層和所述源漏電極層膜層進行構圖工藝,形成有源層和源漏極的圖案。
在一種可能的實施方式中,本發明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中,所述在襯底基板上形成包括柵極和有源層的圖案,包括:
在形成柵極的圖案的襯底基板上形成有源層和源漏極的圖案;或,
在形成有源層和源漏極的圖案的襯底基板上形成柵極的圖案。
本發明實施例提供了一種顯示基板,包括采用本發明實施例提供的上述陣列基板的制作方法制作的陣列基板。
本發明實施例提供了一種顯示裝置,包括本發明實施例提供的上述顯示基板。
本發明實施例的有益效果包括:
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





