[發(fā)明專利]一種陣列基板的制作方法、顯示基板及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510061122.6 | 申請日: | 2015-02-05 |
| 公開(公告)號: | CN104617040A | 公開(公告)日: | 2015-05-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 崔承鎮(zhèn);金熙哲;崔賢植 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 制作方法 顯示 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在襯底基板上形成包括有源層和源漏電極的圖案;
通過一次構圖工藝形成第一透明電極和鈍化層的圖案;
對形成有鈍化層圖案的襯底基板進行處理,使鈍化層的材料至少部分填充于所述第一透明電極圖案中的縫隙處。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述通過一次構圖工藝形成第一透明電極和鈍化層的圖案,包括:
依次形成透明導電層膜層和鈍化層膜層;對所述鈍化層膜層進行構圖工藝,形成所述鈍化層的圖案;
以形成的鈍化層圖案為掩膜板對所述透明導電層膜層進行構圖工藝,形成第一透明電極的圖案。
3.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述對形成有鈍化層圖案的襯底基板進行處理,包括:
對形成有鈍化層圖案的襯底基板進行退火處理。
4.如權利要求3所述的方法,其特征在于,所述鈍化層的材料為樹脂材料。
5.如權利要求4所述的方法,其特征在于,所述對形成有鈍化層圖案的襯底基板進行退火處理,包括:
將形成有鈍化層圖案的襯底基板在溫度為200℃~250℃的環(huán)境中進行加熱處理。
6.如權利要求5所述的方法,其特征在于,所述鈍化層圖案的厚度為0.5μm~1μm,所述加熱處理的時長為20分鐘~60分鐘。
7.如權利要求1-6任一項所述的方法,其特征在于,還包括:
在對形成有鈍化層圖案的襯底基板進行處理之后的襯底基板上,形成第二透明電極的圖案。
8.如權利要求1-6任一項所述的方法,其特征在于,所述在襯底基板上形成有源層和源漏極的圖案,包括:
在襯底基板上依次形成有源層膜層和源漏電極層膜層;
采用一掩膜板對所述有源層膜層和所述源漏電極層膜層進行構圖工藝,形成有源層和源漏極的圖案。
9.如權利要求8所述的方法,其特征在于,所述在襯底基板上形成包括柵極和有源層的圖案,包括:
在形成柵極的圖案的襯底基板上形成有源層和源漏極的圖案;或,
在形成有源層和源漏極的圖案的襯底基板上形成柵極的圖案。
10.一種顯示基板,其特征在于,包括采用如權利要求1-9任一項所述的方法制作的陣列基板。
11.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求10所述的顯示基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





