[發(fā)明專利]晶片封裝體及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510060529.7
• 申請(qǐng)日: 2015-02-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104835792B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何彥仕;劉滄宇;林佳升;鄭家明;張恕銘;曾姿雯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/13
• 分類號(hào): H01L23/13;H01L21/58;H01L21/50
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明有關(guān)于一種晶片封裝體及其制造方法，特別為有關(guān)于以晶圓級(jí)封裝制程所形成的晶片封裝體。

背景技術(shù)

晶片封裝制程是形成電子產(chǎn)品過(guò)程中的重要步驟。晶片封裝體除了將晶片保護(hù)于其中，使免受外界環(huán)境污染外，還提供晶片內(nèi)部電子元件與外界的電性連接通路。

制作晶片封裝體的過(guò)程包括將在基底上形成與導(dǎo)電墊電性連接的多個(gè)導(dǎo)線，以及與導(dǎo)線電性連接的外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(例如，焊線或焊球)。

然而，形成于基底上的外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)使得晶片封裝體的整體尺寸增加，而無(wú)法進(jìn)一步縮小晶片封裝體的尺寸。

因此，有必要尋求一種新穎的晶片封裝體及其制造方法，其能夠解決或改善上述的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種晶片封裝體，包括：一半導(dǎo)體基底；一凹口，位于半導(dǎo)體基底內(nèi)且鄰接半導(dǎo)體基底的一側(cè)邊，其中半導(dǎo)體基底具有至少一間隔部，至少一間隔部突出于凹口的一底部；一導(dǎo)線，設(shè)置于半導(dǎo)體基底上，且延伸至凹口內(nèi)。

本發(fā)明還提供另一種晶片封裝體，包括：一半導(dǎo)體基底；一凹口，位于半導(dǎo)體基底內(nèi)且鄰接半導(dǎo)體基底的一側(cè)邊并橫跨該側(cè)邊，其中凹口的一側(cè)壁具有一第一部分及與第一部分鄰接的一第二部分，且從俯視方向來(lái)看，第一部分與該側(cè)邊之間的一第一距離大于第二部分與該側(cè)邊之間的一第二距離；一導(dǎo)線，設(shè)置于半導(dǎo)體基底上，且延伸至凹口內(nèi)。

本發(fā)明還提供一種晶片封裝體的制造方法，包括：提供一半導(dǎo)體基底；去除半導(dǎo)體基底的一部分，以在半導(dǎo)體基底內(nèi)形成一凹口且在凹口內(nèi)形成至少一間隔部，其中間隔部突出于凹口的一底部；在半導(dǎo)體基底上形成一導(dǎo)線，該導(dǎo)線延伸至凹口內(nèi)。

本發(fā)明還提供另一種晶片封裝體的制造方法，包括：提供一半導(dǎo)體基底；去除半導(dǎo)體基底的一部分，以在半導(dǎo)體基底內(nèi)形成一第一凹口，其中第一凹口具有一第一部分及與第一部分鄰接的一第二部分，且從俯視方向來(lái)看，第一部分的兩相對(duì)側(cè)壁之間的一第一距離大于第二部分的兩相對(duì)側(cè)壁之間的一第二距離；在半導(dǎo)體基底上形成一導(dǎo)線，該導(dǎo)線延伸至第一凹口內(nèi)。

本發(fā)明不僅能夠降低與導(dǎo)線電性連接的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的高度，還可減少應(yīng)力而避免半導(dǎo)體基底破裂，且有效縮短導(dǎo)線的導(dǎo)電路徑，進(jìn)而增加輸出信號(hào)的布局彈性。另外，由于半導(dǎo)體基底具有突出于凹口的底部的間隔部，因此可避免導(dǎo)線發(fā)生短路的問(wèn)題，進(jìn)而提升晶片封裝體的可靠度。

附圖說(shuō)明

圖1A至1E繪示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制造方法的剖面示意圖。

圖2繪示出本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的局部立體示意圖。

圖3及4繪示出本發(fā)明各種實(shí)施例的晶片封裝體的平面示意圖。

圖5繪示出本發(fā)明另一實(shí)施例的晶片封裝體的制造方法的平面示意圖。

圖6至10繪示出根據(jù)本發(fā)明各種實(shí)施例的晶片封裝體的平面示意圖。

其中，附圖中符號(hào)的簡(jiǎn)單說(shuō)明如下：

100 半導(dǎo)體基底；

100a 第一表面；

100b 第二表面；

101、102、103 側(cè)邊；

110 晶片區(qū)；

115 裝置區(qū)；

120 切割道區(qū)；

130 介電層；

140 開(kāi)口；

150 導(dǎo)電墊；

160 鈍化護(hù)層；

200、220 凹口；

200a、200b、200c、200d、200e、200f、200g、200h、220a、220b、220c側(cè)壁部分；

210 底部；

300、310、320 導(dǎo)線；

400、400’ 間隔部；

P1、P2、P3 間距。

具體實(shí)施方式

以下將詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的制作與使用方式。然應(yīng)注意的是，本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念，其可以多種特定型式實(shí)施。文中所舉例討論的特定實(shí)施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式，非用以限制本發(fā)明的范圍。此外，在不同實(shí)施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號(hào)或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡(jiǎn)單清楚地?cái)⑹霰景l(fā)明，不代表所討論的不同實(shí)施例及/或結(jié)構(gòu)之間具有任何關(guān)連性。再者，當(dāng)述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時(shí)，包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。