[發明專利]晶片封裝體及其制造方法有效
| 申請號: | 201510060529.7 | 申請日: | 2015-02-05 |
| 公開(公告)號: | CN104835792B | 公開(公告)日: | 2018-04-17 |
| 發明(設計)人: | 何彥仕;劉滄宇;林佳升;鄭家明;張恕銘;曾姿雯 | 申請(專利權)人: | 精材科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/13 | 分類號: | H01L23/13;H01L21/58;H01L21/50 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 中國臺灣桃園市中*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 封裝 及其 制造 方法 | ||
1.一種晶片封裝體,其特征在于,包括:
一半導體基底;
一凹口,位于該半導體基底內且鄰接該半導體基底的一側邊,其中該半導體基底具有至少一間隔部,該至少一間隔部突出于該凹口的一底部,且該至少一間隔部與該半導體基底由相同的材料所形成;以及
一導線,設置于該半導體基底上,且延伸至該凹口內。
2.根據權利要求1所述的晶片封裝體,其特征在于,該至少一間隔部的高度等于或小于該凹口的深度。
3.根據權利要求1所述的晶片封裝體,其特征在于,該至少一間隔部沿著該導線的延伸方向而延伸至該側邊。
4.根據權利要求1所述的晶片封裝體,其特征在于,還包括另一導線,該另一導線延伸至該凹口內,其中該至少一間隔部位于該導線與該另一導線之間。
5.根據權利要求1所述的晶片封裝體,其特征在于,該半導體基底包括間隔排列的多個間隔部,且該導線延伸至所述間隔部中的兩者之間。
6.根據權利要求5所述的晶片封裝體,其特征在于,還包括另一導線,該另一導線延伸至該凹口內,其中所述間隔部中的至少一個位于該導線與該另一導線之間。
7.根據權利要求5所述的晶片封裝體,其特征在于,所述間隔部之間具有相同或不同的間距。
8.一種晶片封裝體,其特征在于,包括:
一半導體基底;
一凹口,位于該半導體基底內且鄰接該半導體基底的一側邊并橫跨該側邊,其中從俯視方向來看,該凹口的一側壁具有一第一部分及沿著該半導體基底的該側邊的方向與該第一部分鄰接的一第二部分,且從該俯視方向來看,該第一部分與該側邊之間的一第一距離大于該第二部分與該側邊之間的一第二距離;以及
一導線,設置于該半導體基底上,且延伸至該凹口內。
9.根據權利要求8所述的晶片封裝體,其特征在于,該凹口的該側壁還包括一第三部分,該第三部分鄰接于該第二部分,且從俯視方向來看,該第三部分與該側邊之間的一第三距離相同或不同于該第一距離。
10.根據權利要求8所述的晶片封裝體,其特征在于,該凹口還橫跨該半導體基底中與該側邊相鄰的至少一側邊。
11.根據權利要求10所述的晶片封裝體,其特征在于,該凹口具有橫跨該至少一側邊的另一側壁,且該另一側壁具有一第一部分及與該第一部分鄰接的一第二部分,且從俯視方向來看,該另一側壁的該第一部分與該至少一側邊之間的一第三距離不同于該另一側壁的該第二部分與該至少一側邊之間的一第四距離。
12.根據權利要求11所述的晶片封裝體,其特征在于,該第三距離或該第四距離相同或不同于該第二距離。
13.根據權利要求8所述的晶片封裝體,其特征在于,還包括另一凹口,該另一凹口位于該半導體基底內且與相對于該側邊的另一側邊鄰接并橫跨該另一側邊。
14.根據權利要求13所述的晶片封裝體,其特征在于,該另一凹口的一側壁具有一第一部分及與該第一部分鄰接的一第二部分,且從俯視方向來看,該另一凹口的該側壁的該第一部分與該另一側邊之間的一第三距離不同于該另一凹口的該側壁的該第二部分與該另一側邊之間的一第四距離。
15.根據權利要求14所述的晶片封裝體,其特征在于,該第三距離或該第四距離相同或不同于該第二距離。
16.根據權利要求8所述的晶片封裝體,其特征在于,該半導體基底包括至少一間隔部,該至少一間隔部突出于該凹口的一底部。
17.根據權利要求16所述的晶片封裝體,其特征在于,還包括另一導線,該另一導線延伸至該凹口內,其中該至少一間隔部位于該導線與該另一導線之間。
18.根據權利要求16所述的晶片封裝體,其特征在于,該半導體基底包括間隔排列的多個間隔部,且該導線延伸至所述間隔部中的兩者之間。
19.根據權利要求16所述的晶片封裝體,其特征在于,還包括另一導線,該另一導線延伸至該凹口內,其中所述間隔部中的至少一個位于該導線與該另一導線之間。
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