[發明專利]一種硅異質結太陽能電池結構及其制造方法在審
| 申請號: | 201510057905.7 | 申請日: | 2015-02-04 |
| 公開(公告)號: | CN104638039A | 公開(公告)日: | 2015-05-20 |
| 發明(設計)人: | 張傑 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0352 | 分類號: | H01L31/0352;H01L31/072;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 硅異質結 太陽能電池 結構 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及光伏發電技術領域,尤其涉及一種硅異質結太陽能電池結構及其制造方法。
背景技術
近些年來,由于世界各地的原油存量逐年的減少,能源問題已成為全球注目的焦點。為了解決能源耗竭的危機,各種替代能源的發展與利用實為當務之急。隨著環保意識抬頭,加上太陽能具有零污染、取之不盡用之不竭的優點,太陽能發電技術(又可稱為光伏發電技術)已成為相關領域中最受矚目的焦點。因此,在日照充足的位置,例如建筑物屋頂、廣場等等,愈來愈廣泛地見到太陽能面板的裝設。
太陽能面板是一種通過光伏效應(Photovoltaic?Effect)將光線轉化為電力的設施。一般來說,太陽能面板包括基板以及設置在基板上的多個太陽能電池片(solar?cell)。在此,太陽能電池片又稱為“太陽能芯片”或“光電池”,是一種利用太陽光直接發電的光電半導體薄片。它只要被光照到,瞬間就可輸出電壓并且在有回路的情況下就能夠產生電流。
在現有技術中,為提高太陽能的轉化效率,已研發出一種硅異質結(silicon?heterojunction)太陽能電池,其以n型單晶硅作為襯底,并在該襯底的上下表面用氫化非晶硅材質進行鈍化處理,之后將p型氫化非晶硅和n型氫化非晶硅與n型晶體硅進行硅異質結,之后在它們的正反兩面鍍上透明導電氧化層(transparent?conductive?oxide?layer),最后在正面電極刷上柵格狀的銀膠,并在背面電極濺鍍鎳釩合金(NiV)/銀(Ag)薄膜。然而,該太陽能電池結構在背面電極部分至少存在以下問題:在單晶的透明導電氧化層表面與NiV/Ag的界面接觸能力太差,導致Ribbon(金屬焊帶)焊接時容易出現剝離(peeling)等不良情形,且Ribbon在進行拉力測試時的拉力值小于1N/m2。
有鑒于此,如何設計一種新的太陽能電池結構,以解決現有技術中的上述缺陷或不足,提升透明導電氧化層表面與NiV/Ag的界面接觸能力,是業內相關技術人員亟待解決的一項課題。
發明內容
針對現有技術中的太陽能電池結構所存在的上述缺陷,本發明提供了一種新的硅異質結太陽能電池結構及其制造方法。
依據本發明的一個方面,提供一種硅異質結太陽能電池(silicon?heterojunction?solar?cell)結構,包括:
一n型晶體硅(n-type?crystal?Si),具有一正面和一背面,所述正面和所述背面均使用氫化非晶硅(a-Si:H)進行鈍化處理;
一p型氫化非晶硅層,位于所述n型晶體硅的正面之上,且與所述n型晶體硅進行異質結;
一n型氫化非晶硅層,位于所述n型晶體硅的背面之下,且與所述n型晶體硅進行異質結;
一第一透明導電氧化(transparent?conductive?oxide,TCO)層,位于所述p型氫化非晶硅層的上方;
一第二透明導電氧化層,位于所述n型氫化非晶硅層的下方;
一非晶透明導電氧化(amorphous?TCO)層,形成于所述第二透明導電氧化層的遠離所述n型晶體硅的一表面;
一銀膠層,呈柵格狀,形成于所述第一透明導電氧化層的上方;以及
一緩沖薄膜層,濺鍍形成于所述非晶透明導電氧化層的遠離所述n型晶體硅的一表面。
在其中的一實施例,所述緩沖薄膜層為銀(Ag)材質。
在其中的一實施例,所述硅異質結太陽能電池結構采用PVD(Physical?Vapor?Deposition,物理氣相沉積)方式濺鍍形成所述緩沖薄膜層。
在其中的一實施例,所述非晶透明導電氧化層與濺鍍的銀產生氧化銀,藉由氧化銀中的氧-銀(O-Ag)鍵來增加模組串焊時的焊帶拉力。
在其中的一實施例,所述非晶透明導電氧化層為氧化錫、氧化銦或氧化鋅。
在其中的一實施例,所述第一透明導電氧化層和所述第二透明導電層為氧化銦錫材質。
依據本發明的另一個方面,提供了一種硅異質結太陽能電池(silicon?heterojunction?solar?cell)結構的制造方法,包括以下步驟:
形成一n型晶體硅(n-type?crystal?Si),具有一正面和一背面,所述正面和所述背面均使用氫化非晶硅(a-Si:H)進行鈍化處理;
形成一p型氫化非晶硅層于所述正面,以及形成一n型氫化非晶硅層于所述背面;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于友達光電股份有限公司,未經友達光電股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510057905.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





