[發(fā)明專利]一種硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池結(jié)構(gòu)及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510057905.7
• 申請(qǐng)日: 2015-02-04
• 公開（公告）號(hào): CN104638039A
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張傑
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0352
• 分類號(hào): H01L31/0352;H01L31/072;H01L31/18
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池結(jié)構(gòu)包括：

一n型晶體硅，具有一正面和一背面，所述正面和所述背面均使用氫化非晶硅進(jìn)行鈍化處理；

一p型氫化非晶硅層，位于所述n型晶體硅的正面之上，且與所述n型晶體硅進(jìn)行異質(zhì)結(jié)；

一n型氫化非晶硅層，位于所述n型晶體硅的背面之下，且與所述n型晶體硅進(jìn)行異質(zhì)結(jié)；

一第一透明導(dǎo)電氧化層，位于所述p型氫化非晶硅層的上方；

一第二透明導(dǎo)電氧化層，位于所述n型氫化非晶硅層的下方；

一非晶透明導(dǎo)電氧化層，形成于所述第二透明導(dǎo)電氧化層的遠(yuǎn)離所述n型晶體硅的一表面；

一銀膠層，呈柵格狀，形成于所述第一透明導(dǎo)電氧化層的上方；以及

一緩沖薄膜層，濺鍍形成于所述非晶透明導(dǎo)電氧化層的遠(yuǎn)離所述n型晶體硅的一表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述緩沖薄膜層為銀材質(zhì)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池結(jié)構(gòu)采用PVD方式濺鍍形成所述緩沖薄膜層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述非晶透明導(dǎo)電氧化層與濺鍍的銀產(chǎn)生氧化銀，藉由氧化銀中的氧-銀鍵來增加模組串焊時(shí)的焊帶拉力。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述非晶透明導(dǎo)電氧化層為氧化錫、氧化銦或氧化鋅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一透明導(dǎo)電氧化層和所述第二透明導(dǎo)電層為氧化銦錫材質(zhì)。

7.一種硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池結(jié)構(gòu)的制造方法包括以下步驟：

形成一n型晶體硅，具有一正面和一背面，所述正面和所述背面均使用氫化非晶硅進(jìn)行鈍化處理；

形成一p型氫化非晶硅層于所述正面，以及形成一n型氫化非晶硅層于所述背面；

形成一第一透明導(dǎo)電氧化層于所述p型氫化非晶硅層的上方以及形成一第二透明導(dǎo)電氧化層于所述n型氫化非晶硅層的下方；

形成一非晶透明導(dǎo)電氧化層于所述第二透明導(dǎo)電氧化層的遠(yuǎn)離所述n型晶體硅的一表面；

形成一柵格狀的銀膠層于所述第一透明導(dǎo)電氧化層的上方，以及濺鍍形成一緩沖薄膜層于所述非晶透明導(dǎo)電氧化層的遠(yuǎn)離所述n型晶體硅的一表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述緩沖薄膜層為銀材質(zhì)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，采用PVD的方式濺鍍形成所述緩沖薄膜層。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述非晶透明導(dǎo)電氧化層與濺鍍的銀產(chǎn)生氧化銀，藉由氧化銀中的氧-銀鍵來增加模組串焊時(shí)的焊帶拉力。