[發(fā)明專利]一種三維云紋干涉儀及材料表面測量方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510056770.2 | 申請日: | 2015-02-04 |
| 公開(公告)號: | CN104713489B | 公開(公告)日: | 2017-10-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陸鵬;張慶;劉張超;邱愛華;陳原偉;龔禮東;孫偉;周唯 | 申請(專利權(quán))人: | 中國船舶重工集團公司第七一一研究所 |
| 主分類號: | G01B11/16 | 分類號: | G01B11/16 |
| 代理公司: | 北京理工大學(xué)專利中心11120 | 代理人: | 楊志兵,仇蕾安 |
| 地址: | 201108 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 三維 干涉儀 材料 表面 測量方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及無損檢測領(lǐng)域,具體涉及一種三維云紋干涉儀及材料表面測量方法。
背景技術(shù)
表面微觀變形(微米級)是材料研究的難點。主要表現(xiàn)在:一、材料種類繁多,沒有通用的表面微觀變形的檢測儀器;二、材料實際受載荷千變?nèi)f化,還有可能是多種載荷的耦合情況,測量環(huán)境復(fù)雜;三、微米級測量要求精度高,對環(huán)境及測量儀器的靈敏度等也要求高。綜合以上原因,使得表面微觀變形測量測不準確甚至導(dǎo)致測量失敗。
目前,材料表面微米級測量的實驗方法主要有:電測法和光測法。電測法是在試件表面粘貼應(yīng)變片,是一種接觸式測量法,測量準確程度受環(huán)境影響較大,且為逐點測量,只有貼有應(yīng)變片的位置才能獲得測量數(shù)據(jù)。光側(cè)法種類繁多,有數(shù)字相關(guān)法、電子散斑法、投影柵法、云紋法等。電測法是一種接觸式測量法,在測量過程中,受到很多因素的限制,如高溫、有毒有害環(huán)境,需測試件內(nèi)部等,此類情況均不能使用電測法測量。光測法克服了電測法的缺點,是一種非接觸測量法,理論上,光能照射到的地方均可以測量,相當于在被測試件表面粘貼無數(shù)的應(yīng)變片,所以是一種全場測量技術(shù)。
云紋法作為光測法的一種測量方式,現(xiàn)有的云紋干涉技術(shù)或儀器均為面內(nèi)測量儀器,只能測量試件表面以及平行于試件表面方向的變形,見現(xiàn)有技術(shù)[1](參見陸鵬,陳巨兵,張熹等.殘余應(yīng)力沿深度分布分析儀:中國,103033297A.2013-04-10。),現(xiàn)有技術(shù)[2](參見陳巨兵,余征躍,張熹等.面內(nèi)三方向云紋干涉儀:中國,1740738.2006-03-01.)。而實際測量試件多為三維物體,且受載多為空間載荷,因此對于試件表面變形測量僅限于面內(nèi)測量已經(jīng)不能滿足工程實際需求了。因此,需要一種即能測量面內(nèi)變形,又能測量垂直于試件表面的變形的云紋干涉儀。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種三維云紋干涉儀及其測量方法,相對于目前光測法本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)測量試件三維變形,從而提高測量范圍。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的:
一種三維云紋干涉儀,包括:光源、光路提升機構(gòu)、擴束器、三維云紋儀本體、試件平臺、相位及其控制系統(tǒng)、圖像采集及處理系統(tǒng).
三維云紋儀本體包括非球面鏡、全反射鏡M1、M1'、M2、M2'、K1、K1'、K2、K2'、M3、輸出全反射鏡、分光棱鏡以及成像屏。
光源發(fā)出的激光經(jīng)光路提升機構(gòu)實現(xiàn)光路提升;提升后的光路到達擴束器實現(xiàn)擴束,形成錐形擴束光。
在擴束器后方放置三維云紋本體;其中擴束器的中心點與非球面鏡的焦點重合,擴束光經(jīng)過非球面鏡形成準直光,全反射鏡M1、M1'、M2、M2'、K1、K1'、K2、K2'布置在非球面鏡后面,全反射鏡M1、M1'、M2、M2'放置方向與水平成45°角,全反射鏡M1、M2、M1'、M2'依次上下左右均勻布置第一圓周上,K1、K2、K1'、K2'全反射鏡依次上下左右均勻布置在第二圓周上,第一圓周的圓周直徑大于第二圓周的直徑,第一圓周與第二圓周的圓心重合,且圓心過非球面鏡的中心光軸,同時兩個圓周所在的平面與非球面鏡的中心光軸垂直;準直光到達全反射鏡M1、M2被反射后形成兩束光,并再次到全反射鏡K1、K2上進行二次反射,形成兩束對稱光在光柵試件表面干涉;準直光到達全反射鏡M1'、M2'被反射后形成兩束光,并再次到全反射鏡K1'、K2'上進行二次反射,形成兩束對稱光在光柵試件表面干涉。
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