[發(fā)明專利]脫模薄膜以及使用了其的層疊陶瓷電子部件的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510055944.3 | 申請日： | 2015-02-03 |
| 公開（公告）號： | CN104835644A | 公開（公告）日： | 2015-08-12 |
| 發(fā)明（設計）人： | 堀裕之;福井大介 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號： | H01G4/002 | 分類號： | H01G4/002;H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 李逸雪 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 脫模 薄膜 以及 使用 層疊 陶瓷 電子 部件 制造 方法 | ||
1.一種脫模薄膜，具備：
基材薄膜，其在表面具有多個突起部；和
脫模層，其覆蓋所述基材薄膜的表面，
所述脫模層的厚度T1比所述突起部的高度H大，其中所述脫模層的厚度為從所述脫模層的表面起至所述基材薄膜的所述突起部的根部為止的、沿著與所述脫模層的表面正交的方向X的方向上的尺寸，所述突起部的高度為從所述基材薄膜的所述突起部的頂端起至所述突起部的根部為止的沿著所述方向X的方向上的尺寸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的脫模薄膜，其特征在于，
所述基材薄膜中包含填充物，并且，所述填充物在基材薄膜的厚度方向上均勻分布。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的脫模薄膜，其特征在于，
所述脫模層的厚度T1比所述突起部的高度H大96nm以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3的任意一項所述的脫模薄膜，其特征在于，
所述脫模層的表面粗糙度比所述基材薄膜的表面粗糙度小。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4的任意一項所述的脫模薄膜，其特征在于，
在所述脫模層的表面具備多個脫模層突起部，所述脫模層突起部的高度H2比所述基材薄膜的所述突起部的高度H小，其中所述脫模層突起部的高度為從所述脫模層突起部的頂端起至所述脫模層突起部的根部為止的、沿著所述方向X的方向上的尺寸。
6.一種脫模薄膜，具備：
基材薄膜，其在表面具有多個凹部；和
脫模層，其覆蓋所述基材薄膜的表面，
所述脫模層的厚度T2比所述凹部的深度D大，其中所述脫模層的厚度為從所述脫模層的表面起至所述基材薄膜的所述凹部的底面為止的、沿著與所述脫模層的表面正交的方向X的方向上的尺寸，所述凹部的深度為從所述基材薄膜的表面起至所述凹部的底面為止的、沿著所述方向X的方向上的尺寸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的脫模薄膜，其特征在于，
所述基材薄膜中包含填充物，并且，所述填充物在基材薄膜的厚度方向上均勻分布。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或者7所述的脫模薄膜，其特征在于，
所述脫模層的厚度T2比所述凹部的深度D大50nm以上。
9.根據(jù)權(quán)利要求6～8的任意一項所述的脫模薄膜，其特征在于，
所述脫模層的表面粗糙度比所述基材薄膜的表面粗糙度小。
10.根據(jù)權(quán)利要求6～9的任意一項所述的脫模薄膜，其特征在于，
在所述脫模層的表面具有多個脫模層凹部，所述脫模層凹部的深度D2比所述基材薄膜的所述凹部的深度D小，其中所述脫模層凹部的深度為從所述脫模層的表面起至所述脫模層凹部的底面為止的、沿著所述方向X的方向上的尺寸。
11.一種層疊陶瓷電子部件的制造方法，具備：
在權(quán)利要求1～10的任意一項所述的脫模薄膜上涂敷陶瓷漿料，來形成厚度為0.5～2μm的陶瓷生片的工序；
形成具有所述陶瓷生片與內(nèi)部電極層層疊而成的構(gòu)造的層疊體的工序；和
燒成所述層疊體，來形成陶瓷燒結(jié)體的工序。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會社村田制作所，未經(jīng)株式會社村田制作所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510055944.3/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
