[發(fā)明專利]混合型DAC電容陣列結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510055601.7 | 申請日: | 2015-02-03 |
| 公開(公告)號: | CN104734718A | 公開(公告)日: | 2015-06-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊雁;伏進(jìn);王國興;李龍;吳高林;王謙;孟曉旭;籍勇亮;李勇;耿文良 | 申請(專利權(quán))人: | 國網(wǎng)重慶市電力公司電力科學(xué)研究院;國家電網(wǎng)公司;上海交通大學(xué) |
| 主分類號: | H03M1/38 | 分類號: | H03M1/38 |
| 代理公司: | 北京眾合誠成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246 | 代理人: | 裴娜 |
| 地址: | 401123 重慶市渝北*** | 國省代碼: | 重慶;85 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 混合 dac 電容 陣列 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種混合型DAC電容陣列結(jié)構(gòu),其特征在于:包括n個C2C電容陣列單元、m個二進(jìn)制電容陣列單元、以及一個冗余電容,n個C2C單元對應(yīng)從第0個到第n個比特,m個二進(jìn)制電容陣列單元對應(yīng)第n+1個到第n+m個比特,其中m+n=總比特數(shù);
n個C2C電容陣列單元中共有n個電容值為C的單位電容,n-1個電容值為2*C的電容,每個電容值為C的單位電容的上極板為相應(yīng)比特所對應(yīng)的節(jié)點,n個C2C電容陣列單元中共有n個節(jié)點,相鄰的兩個節(jié)點間用電容值為2*C的電容相連接;
m個二進(jìn)制電容陣列單元中共有m個電容值依次為21*C,22*C…2m*C的電容,且各電容的上極板連在一起共有1個節(jié)點,該節(jié)點對應(yīng)第n+1到第n+m個比特;
n個C2C電容陣列單元中第1個比特對應(yīng)的節(jié)點與冗余電容相連接,為電容陣列結(jié)構(gòu)的輸入端,第n個比特對應(yīng)的節(jié)點與第n+1個比特到第n+m個比特對應(yīng)的節(jié)點相連,為電容陣列結(jié)構(gòu)的輸出端,每個節(jié)點下端的電容的下極板連接一個選擇接地或接電源的選擇開關(guān)。
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