[發明專利]一種電子負載MOS管防浪涌電路有效
| 申請號: | 201510055546.1 | 申請日: | 2015-02-02 |
| 公開(公告)號: | CN104617568B | 公開(公告)日: | 2018-01-05 |
| 發明(設計)人: | 魏晨光;吳濤;黃明雄;石利軍 | 申請(專利權)人: | 深圳市中科源電子有限公司 |
| 主分類號: | H02H9/02 | 分類號: | H02H9/02 |
| 代理公司: | 北京聯瑞聯豐知識產權代理事務所(普通合伙)11411 | 代理人: | 曾少麗 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市光明新區*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電子負載 mos 浪涌 電路 | ||
技術領域
本發明涉及浪涌抑制領域,特別涉及一種電子負載MOS管防浪涌電路。
背景技術
目前,傳統的電源電子負載電路設計方案中,利用MOS管的導通內阻作為電源的負載,其控制方便和實現簡便,廣泛得到使用者的贊同。但目前在業界電子負載機所使用的MOS管不是理想的開關,其結電容會造成上電瞬間的浪涌,若被測電源是以脈沖波方式輸出,其結電容及MOS管的米勒效應會對脈沖產生較大的浪涌,致使被測電源因過流產生保護動作,因此造成電子負載受到了一定的使用局限性。
發明內容
本發明要解決的技術問題在于,針對現有技術的上述MOS管結電容造成意外浪涌脈沖現象、電子負載不能做到理想化的缺陷,提供一種能防止意外浪涌脈沖現象、電子負載更加理想化的電子負載MOS管防浪涌電路。
本發明解決其技術問題所采用的技術方案是:構造一種電子負載MOS管防浪涌電路,包括MOS管、二極管和被測電源,在所述MOS管的漏極加一個第一電壓,所述第一電壓與被測電源通過所述二極管進行隔離,所述第一電壓大于或等于所述被測電源的電壓。
在本發明所述的電子負載MOS管防浪涌電路中,還包括限流電阻,所述MOS管的漏極通過所述限流電阻加入所述第一電壓,所述MOS管的漏極還通過所述二極管與所述被測電源連接。
在本發明所述的電子負載MOS管防浪涌電路中,所述MOS管的漏極與所述二極管的陰極連接,所述二極管的陽極與所述被測電源的正極連接,所述MOS管的源極與所述被測電源的負極連接。
在本發明所述的電子負載MOS管防浪涌電路中,所述MOS管為N溝道MOS管。
在本發明所述的電子負載MOS管防浪涌電路中,還包括控制電路,所述控制電路與所述MOS管的柵極連接、用于控制所述MOS管的導通程度。
在本發明所述的電子負載MOS管防浪涌電路中,所述第一電壓為400V。
實施本發明的電子負載MOS管防浪涌電路,具有以下有益效果:由于在MOS管的漏極加一個第一電壓,該第一電壓與被測電源通過二極管進行隔離,且第一電壓大于或等于被測電源的電壓,在被測電源上電啟動時由于MOS管的漏極已經加入一個較高的電壓,MOS管上的分布電容已經充滿電荷,不再出現瞬間浪涌電流,所以其能防止意外浪涌脈沖現象、電子負載更加理想化。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動性的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為MOS管的示意圖;
圖2為本發明電子負載MOS管防浪涌電路一個實施例中的結構示意圖。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例中的附圖,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發明保護的范圍。
在傳統的電子負載中,用MOS管的開通線性區來控制電流,利用MOS管的導通內阻的大小來控制電流實現模擬負載,但MOS管是非理想的功率開關器件,它的一些分布參數會帶來意外的問題。如圖1所示,控制柵極G的電壓改變漏極D和源極S之間的導通內阻可以作為電源的負載,但電源剛接入電路或電源剛啟動建立電壓的瞬間,由于MOS管各極間的電容對瞬變的電壓進行分壓,當漏極D接入較高的脈沖電壓瞬間,柵極G和源極S之間的結電容CGS有可能分得幾伏甚至十幾伏的電壓,這時MOS管失控瞬間導通,導致漏極D和源極S之間瞬間產生較大的電流,顯然這不是我們想要的結果。
為了解決上述目前電子負載因MOS管結電容造成的意外浪涌脈沖問題,在本發明電子負載MOS管防浪涌電路實施例中,其電子負載MOS管防浪涌電路的結構示意圖如圖2所示。圖2中,該電子負載MOS管防浪涌電路包括MOS管、二極管D1和被測電源,在MOS管的漏極D加一個第一電壓VCC,第一電壓VCC與被測電源通過二極管D1進行隔離,第一電壓VCC大于或等于被測電源的電壓。由于在模擬負載MOS管的漏極D上預先加一個大于或等于被測電源的第一電壓,用二極管D1隔離,在被測電源上電啟動時由于MOS的漏極D已經加入一個較高的電壓,MOS管上的分布電容已經充滿電荷,其不再出現瞬間浪涌電流,所以其能防止意外浪涌脈沖現象。
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