[發明專利]一種電子負載MOS管防浪涌電路有效
| 申請號： | 201510055546.1 | 申請日： | 2015-02-02 |
| 公開（公告）號： | CN104617568B | 公開（公告）日： | 2018-01-05 |
| 發明（設計）人： | 魏晨光;吳濤;黃明雄;石利軍 | 申請（專利權）人： | 深圳市中科源電子有限公司 |
| 主分類號： | H02H9/02 | 分類號： | H02H9/02 |
| 代理公司： | 北京聯瑞聯豐知識產權代理事務所(普通合伙)11411 | 代理人： | 曾少麗 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市光明新區*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電子負載 mos 浪涌 電路 | ||
【權利要求書】：
1.一種電子負載MOS管防浪涌電路，其特征在于，包括MOS管、二極管和被測電源，在所述MOS管的漏極加一個第一電壓，所述第一電壓與被測電源通過所述二極管進行隔離，所述第一電壓大于或等于所述被測電源的電壓；
還包括限流電阻，所述MOS管的漏極通過所述限流電阻加入所述第一電壓，所述MOS管的漏極還通過所述二極管與所述被測電源連接。
2.根據權利要求1所述的電子負載MOS管防浪涌電路，其特征在于，所述MOS管的漏極與所述二極管的陰極連接，所述二極管的陽極與所述被測電源的正極連接，所述MOS管的源極與所述被測電源的負極連接。
3.根據權利要求2所述的電子負載MOS管防浪涌電路，其特征在于，所述MOS管為N溝道MOS管。
4.根據權利要求3所述的電子負載MOS管防浪涌電路，其特征在于，還包括控制電路，所述控制電路與所述MOS管的柵極連接、用于控制所述MOS管的導通程度。
5.根據權利要求4所述的電子負載MOS管防浪涌電路，其特征在于，所述第一電壓為400V。
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