[發明專利]一種摻氟預制棒的制備方法

在審

• 申請號: 201510055374.8
• 申請日: 2015-02-03
• 公開（公告）號: CN104556672A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 張佳琦;高亞明;龐璐;梁小紅;潘蓉;衣永青
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十六研究所
• 主分類號: C03B37/012
• 分類號: C03B37/012
• 代理公司: 天津中環專利商標代理有限公司 12105
• 代理人: 王鳳英

1.一種摻氟預制棒的制備方法，其特征在于，采用加入隔離層法制備摻氟預制棒，包括以下步驟：將摻氟基底管固定在玻璃車床上，與大、小支撐管進行接管、拋光和脹管過程，然后在摻氟基底管上沉積隔離層；將生長隔離層的摻氟基底管和接管后的石英芯棒拼裝在一起，然后固定在玻璃車床上進行縮管、套管和退火過程，得到光纖預制棒；最后將光纖預制棒進行熱處理，然后固定在磨床上進行研磨，剝離掉最外面的石英基底管材料。

2.如權利要求1所述的一種摻氟預制棒的制備方法，其特征在于，在進行接管過程時，通入2000ml/min的氧氣作為保護氣體，將摻氟基底管與大、小支撐管熔融燒結在一起。

3.如權利要求1所述的一種摻氟預制棒的制備方法，其特征在于，在進行拋光過程時，通入O₂和SF₆氣體，拋光3～10次，車床轉速40±5rpm，燈速140±5mm/min，溫度1900～2000℃。

4.如權利要求1所述的一種摻氟預制棒的制備方法，其特征在于，在進行脹管過程時，脹管溫度1900～2200℃，壓力0.5～4乇。

5.如權利要求1所述的一種摻氟預制棒的制備方法，其特征在于，對摻氟基底管沉積隔離層時，通入SiCl₄氣體，流量為50～300ml/min,車床轉速降為35±5 rpm，溫度1900～2200℃，沉積層數5～30，壓力0.5～2.5乇。

6.如權利要求1所述的一種摻氟預制棒的制備方法，其特征在于，在進行縮管過程時，通入2000ml/min的氧氣進行保護，溫度1900～2000℃，當石英芯棒與摻氟基底管內壁間的間距小于10mm時，停止縮管。

7.如權利要求1所述的一種摻氟預制棒的制備方法，其特征在于，在進行套管過程時，車床轉速30±5RPM，降低燈速至5～20mm/min，溫度2100～2300℃。

8.如權利要求1所述的一種摻氟預制棒的制備方法，其特征在于，在進行退火過程時，每次退火降低溫度100℃，燈速500mm/min，每次退火10次。

9.如權利要求1所述的一種摻氟預制棒的制備方法，其特征在于，光纖預制棒熱處理溫度為1100℃，恒溫時間為0.5h。

10.如權利要求1所述的一種摻氟預制棒的制備方法，其特征在于，將光纖預制件固定在磨床上進行研磨，先用千分表進行光纖預制件兩端的對中檢測，并通過調整磨床兩頭的卡盤進行對中，使光纖預制件相對于磨床的兩個卡頭同心。