[發(fā)明專(zhuān)利]基板處理裝置、噴嘴以及基板處理方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510055024.1 | 申請(qǐng)日: | 2015-02-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104952765B | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-10-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 山下永二;富藤幸雄;羽方滿(mǎn)之 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 斯克林集團(tuán)公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/67 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/67;B05C11/00 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11205 | 代理人: | 楊貝貝,臧建明 |
| 地址: | 日本京都府京都市上京區(qū)堀*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 噴嘴 以及 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種利用其他處理液來(lái)對(duì)附著有前處理液的基板進(jìn)行置換而進(jìn)行處理的技術(shù)。
背景技術(shù)
迄今為止,也提出過(guò)將附著有其他處理液的基板置換為新的處理液而對(duì)該基板進(jìn)行處理的技術(shù)(例如專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1中揭示的殘液去除裝置具備如下結(jié)構(gòu),即:在用于制造液晶面板的抗蝕劑(resist)剝離設(shè)備中,將供給至玻璃基板的剝離液(舊液)置換為新的剝離液(新液)。更具體而言,殘液去除裝置從第1除液部件朝向移動(dòng)的玻璃基板噴吹簾(curtain)狀的空氣,以去除剝離液(舊液)。然后,通過(guò)新液供給部件來(lái)對(duì)玻璃基板供給新的剝離液(新液)。另外,該殘液去除裝置中,隨后再?gòu)牡?除液部件向基板噴吹簾狀的空氣,從而去除剝離液(新液)。由此,抑制殘存于基板上的抗蝕劑被帶入下個(gè)處理室內(nèi)。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專(zhuān)利文獻(xiàn)
專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本專(zhuān)利特開(kāi)2005-103434號(hào)公報(bào)
[發(fā)明所要解決的問(wèn)題]
專(zhuān)利文獻(xiàn)1的殘液去除裝置中,第1除液部件是朝向搬送方向的上游側(cè)來(lái)對(duì)玻璃基板噴吹簾狀的空氣。此時(shí),剝離液被去除的位置較第1除液部件的位置而設(shè)定在上游側(cè)。而且,即便使新液供給部件的位置盡可能與第1除液部件接近,從剝離液被去除的位置到供給新液的位置為止的距離仍較長(zhǎng)。因此,玻璃基板有可能局部干燥,從而有可能無(wú)法利用新液來(lái)均勻地進(jìn)行處理。為了避免該問(wèn)題,例如考慮以如下方式構(gòu)成,即,第1除液部件朝向正下方或者搬送方向的下游側(cè)來(lái)對(duì)玻璃基板噴吹簾狀的空氣。但是,在這些情況下,有可能會(huì)因該空氣而擾亂沿基板的寬度方向延伸的新液的液面。于是,無(wú)法均勻地供給新液,因此有可能無(wú)法利用新液來(lái)均勻地處理基板。
發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明的目的在于提供一種利用處理液來(lái)均勻地對(duì)附著有前處理液的基板進(jìn)行處理的技術(shù)。
[解決問(wèn)題的技術(shù)手段]
為了解決所述問(wèn)題,第1方案是一種基板處理裝置,包括:搬送機(jī)構(gòu),從搬送方向的上游側(cè)朝向下游側(cè)來(lái)搬送附著有前處理液的基板;空氣噴嘴,對(duì)由所述搬送機(jī)構(gòu)朝向所述下游側(cè)搬送的基板的表面供給簾狀的空氣,從而去除附著于所述基板的所述前處理液;第一噴出部,配置在所述空氣噴嘴的所述下游側(cè),從狹縫的第一噴出口向所述基板噴出處理液,所述狹縫的第一噴出口形成在所述第一噴出部的下表面,并沿與所述搬送方向正交的正交方向延伸;以及第二噴出部,配置在所述第一噴出部的下游側(cè),從沿所述正交方向延伸的狹縫的第二噴出口噴出處理液,以向所述基板供給薄膜狀的所述處理液,其中從所述第一噴出部朝向所述基板噴出的所述處理液接觸至所述基板及所述下表面,并且在所述基板及所述下表面的間隙內(nèi)蔓延。
而且,第2方案是根據(jù)第1方案的基板處理裝置,其中,所述第二噴出部朝向所述下游側(cè)噴出所述處理液。
而且,第3方案是根據(jù)第2方案的基板處理裝置,其中,所述第二噴出部在所述第二噴出口下方的位置,具有朝向所述下游側(cè)而朝下傾斜的傾斜面。
而且,第4方案是根據(jù)第3方案的基板處理裝置,其中,所述第二噴出部包括:本體部,形成所述第二噴出口;以及傾斜構(gòu)件,形成所述傾斜面,并安裝于所述本體部。
而且,第5方案是根據(jù)第4方案的基板處理裝置,其中,所述傾斜構(gòu)件相對(duì)于所述本體部可拆卸地設(shè)置。
而且,第6方案是根據(jù)第1方案至第5方案中任一方案的基板處理裝置,其中,所述第一噴出部包含第一構(gòu)件及第二構(gòu)件,所述第一構(gòu)件及第二構(gòu)件通過(guò)彼此連接,而形成所述第一噴出口及與所述第一噴出口連通的空洞部,所述第二噴出部包含所述第二構(gòu)件及第三構(gòu)件,所述第二構(gòu)件及第三構(gòu)件通過(guò)彼此連接,而形成所述第二噴出口及與所述第二噴出口連通的空洞部。
而且,第7方案是根據(jù)第1方案至第4方案中任一方案的基板處理裝置,其包括:第一處理液噴嘴,配置在所述空氣噴嘴的所述下游側(cè),構(gòu)成所述第一噴出部;以及第二處理液噴嘴,配置在所述第一處理液噴嘴的所述下游側(cè),構(gòu)成所述第二噴出部。
而且,第8方案是根據(jù)第1方案至第7方案中任一方案的基板處理裝置,其中,所述第一噴出部噴出所述處理液的每單位時(shí)間的量小于所述第二噴出部噴出所述處理液的每單位時(shí)間的量。
而且,第9方案是根據(jù)第1方案至第8方案中任一方案的基板處理裝置,其中,所述第一噴出口的寬度大于所述第二噴出口的寬度。
而且,第10方案是根據(jù)第1方案至第9方案中任一方案的基板處理裝置,其中,所述前處理液為堿性,所述基板處理裝置還包括:碳酸水供給部,向所述第一噴出部供給碳酸水。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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