[發明專利]基板處理裝置、噴嘴以及基板處理方法

有效

• 申請號: 201510055024.1
• 申請日: 2015-02-03
• 公開（公告）號: CN104952765B
• 公開（公告）日: 2017-10-03
• 發明（設計）人: 山下永二;富藤幸雄;羽方滿之
• 申請（專利權）人: 斯克林集團公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;B05C11/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 楊貝貝,臧建明

1.一種基板處理裝置，其特征在于包括：

搬送機構，從搬送方向的上游側朝向下游側來搬送附著有前處理液的基板；

空氣噴嘴，對由所述搬送機構朝向所述下游側搬送的所述基板的表面供給簾狀的空氣，從而去除附著于所述基板的所述前處理液；

第一噴出部，配置在所述空氣噴嘴的所述下游側，從狹縫的第一噴出口向在上游側通過所述空氣噴嘴去除所述前處理液的所述基板的下游側的所述表面噴出處理液，所述狹縫的第一噴出口形成在所述第一噴出部的下表面，并沿與所述搬送方向正交的正交方向延伸；以及

第二噴出部，配置在所述第一噴出部的下游側，從沿所述正交方向延伸的狹縫的第二噴出口噴出處理液，以向所述基板供給薄膜狀的所述處理液，

在所述基板的上游側通過所述空氣噴嘴去除所述前處理液，并且通過所述第二噴出部向所述基板的下游側供給處理液時，從所述第一噴出部朝向所述基板的所述表面噴出的所述處理液接觸至所述基板及所述下表面，并且在所述基板的所述表面及所述第一噴出部的所述下表面的間隙內蔓延，而在所述基板的所述表面以及所述第一噴出部的所述下表面之間形成液密密封，

所述第一噴出部配置成：所述第一噴出口距離所述基板的高度與堆積于所述基板上的所述處理液的上表面的高度相同或比其低的高度。

2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述第二噴出部朝向所述下游側噴出所述處理液。

3.根據權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述第二噴出部在所述第二噴出口下方的位置，具有朝向所述下游側而朝下傾斜的傾斜面。

4.根據權利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述第二噴出部包括：

本體部，形成所述第二噴出口；以及

傾斜構件，形成所述傾斜面，并安裝于所述本體部。

5.根據權利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述傾斜構件相對于所述本體部可拆卸地設置。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述第一噴出部包含第一構件及第二構件，所述第一構件及第二構件通過彼此連接，而形成所述第一噴出口及與所述第一噴出口連通的空洞部，

所述第二噴出部包含所述第二構件及第三構件，所述第二構件及第三構件通過彼此連接，而形成所述第二噴出口及與所述第二噴出口連通的空洞部。

7.根據權利要求1至4中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于包括：

第一處理液噴嘴，配置在所述空氣噴嘴的所述下游側，構成所述第一噴出部；以及

第二處理液噴嘴，配置在所述第一處理液噴嘴的所述下游側，構成所述第二噴出部。

8.根據權利要求1至5中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述第一噴出部噴出所述處理液的每單位時間的量小于所述第二噴出部噴出所述處理液的每單位時間的量。

9.根據權利要求1至5中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述第一噴出口的寬度大于所述第二噴出口的寬度。

10.根據權利要求1至5中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述前處理液為堿性，

所述基板處理裝置還包括：

碳酸水供給部，向所述第一噴出部供給碳酸水。

11.一種噴嘴，其對從搬送方向的上游側朝向下游側所搬送的附著有前處理液的基板噴出處理液，所述噴嘴的特征在于包括：

第一噴出部，配置在所述上游側，具有沿與所述基板的表面相向的一方向延伸的平滑的第一下表面，且在所述第一下表面，形成有沿所述一方向延伸的狹縫的第一噴出口；以及

第二噴出部，相對于所述第一噴出口在所述下游側隔開間隔而設置，具有沿噴出所述處理液的所述一方向延伸的狹縫的第二噴出口，及在使從第二噴出口噴出的所述處理液流下的下側與所述下游側傾斜的傾斜面，所述第二噴出部向所述基板的所述表面供給簾狀的所述處理液，

由所述第一噴出部在所述基板的所述表面以及所述第一下表面之間通過所述處理液形成液密密封，在所述液密密封的下游側由所述第二噴出部供給所述處理液，

所述第一噴出部配置成：所述第一噴出口距離所述基板的高度與堆積于所述基板上的所述處理液的上表面的高度相同或比其低的高度。

12.一種基板處理方法，其特征在于包括：

(a)搬送工序，從搬送方向的上游側朝向下游側來搬送附著有前處理液的基板；

(b)去除工序，對由所述搬送工序搬送的所述基板的表面供給簾狀的空氣，從而去除附著于所述基板的所述前處理液；

(c)第一處理液噴出工序，在執行所述去除工序時，從狹縫的第一噴出口朝向由所述搬送工序搬送的所述基板的下游側的所述表面噴出處理液，所述狹縫的所述第一噴出口形成在第一噴出部的下表面，并沿與所述搬送方向正交的方向延伸；以及

(d)第二處理液噴出工序，在執行所述第一處理液噴出工序時，朝向由所述搬送工序搬送的所述基板的下游側的所述表面噴出薄膜狀的處理液，

在執行所述去除工序及所述第二處理液噴出工序時，在所述第一處理液噴出工序中，從所述第一噴出口朝向所述基板的所述表面噴出的處理液接觸至所述基板的所述表面以及所述第一噴出部的所述下表面，并且在所述基板的所述表面以及所述第一噴出部的所述下表面的間隙內蔓延，而在所述基板的所述表面以及所述第一噴出部的所述下表面之間形成液密密封，

所述第一噴出部配置成：所述第一噴出口距離所述基板的高度與堆積于所述基板上的所述處理液的上表面的高度相同或比其低的高度。